N型双面电池及其制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105405899A(43)申请公布日2016.03.16(21)申请号201510628285.8(22)申请日2015.09.28(71)申请人上海大族新能源科技有限公司地址201615上海市松江区九泾路1000号(72)发明人张松王培然刘超夏世伟季海晨(74)专利代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司44224代理人何冲(51)Int.Cl.H01L31/0216(2014.01)H01L31/18(2006.01)权利要求书3页说明书9页附图3页(54)发明名称N型双面电池及其制作方法(57)摘要本发明涉及一种N型双面电池及其制作方法。该方法包括：将N型硅片的第一表面和第二表面进行制绒处理；在N型硅片的第一表面上形成硼掺杂源层，采用第一激光参数，对第一表面进行激光处理，在第一表面上形成p+掺杂区域，并采用第二激光参数，对第一表面进行激光处理，在第一表面上形成p++重掺杂区域；在N型硅片的第二表面上涂覆磷掺杂源，采用第三激光参数，对第二表面进行激光处理，在第二表面上形成n+掺杂区域，并采用第四激光参数，对第二表面进行激光处理，在第二表面上形成n++重掺杂区域；再在第一表面上依次制备钝化减反射膜层和电极。上述N型双面电池及其制作方法，降低对N型硅片的热损伤，且能提高电池转换率。CN105405899ACN105405899A权利要求书1/3页1.一种N型双面电池的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：将N型硅片的第一表面和第二表面进行制绒处理；在所述N型硅片的第一表面上形成硼掺杂源层，采用第一激光参数，对所述第一表面进行激光处理，在所述第一表面上形成p+掺杂区域，并采用第二激光参数，对所述第一表面进行激光处理，在所述第一表面上形成p++重掺杂区域，所述p+掺杂区域和所述p++掺杂区域构成第一掺杂层；在所述N型硅片的第二表面上形成磷掺杂源层，采用第三激光参数，对所述第二表面进行激光处理，在所述第二表面上形成n+掺杂区域，并采用第四激光参数，对所述第二表面进行激光处理，在所述第二表面上形成n++重掺杂区域，所述n+掺杂区域和所述n++掺杂区域构成第二掺杂层；在所述第一掺杂层和所述第二掺杂层上分别形成第一钝化减反射膜层和第二钝化减反射膜层；在所述第一钝化减反射膜层和所述第二钝化减反射膜层上分别制备电极。2.根据权利要求1所述的N型双面电池的制作方法，其特征在于，在所述将N型硅片的第一表面和第二表面进行制绒处理的步骤中，采用含有碱、异丙醇、添加剂以及水的混合溶液，对所述N型硅片的第一表面和第二表面进行制绒处理，所述碱、异丙醇、添加剂以及水的质量比为2.5:10:0.5:87。3.根据权利要求1所述的N型双面电池的制作方法，其特征在于，在所述在所述N型硅片的第一表面上形成硼掺杂源层，采用第一激光参数，对所述第一表面进行激光处理，在所述第一表面上形成p+掺杂区域，并采用第二激光参数，对所述第一表面进行激光处理，在所述第一表面上形成p++重掺杂区域，所述p+掺杂区域和所述p++掺杂区域构成第一掺杂层的步骤中，采用所述第一激光参数，对所述第一表面的整个表面进行激光处理，在所述第一表面的整个表面上形成p+掺杂层；采用所述第二激光参数，对所述p+掺杂层的特定区域进行激光重复扫描，所述p+掺杂层的特定区域中的硼掺杂源自所述第一表面向所述N型硅片内扩散，在所述第一表面上形成所述p++重掺杂区域，且所述p++重掺杂区域中的部分区域位于所述N型硅片内，所述p+掺杂层的除了所述特定区域的区域为所述p+掺杂区域。4.根据权利要求1所述的N型双面电池的制作方法，其特征在于，在所述在所述N型硅片的第一表面上形成硼掺杂源层，采用第一激光参数，对所述第一表面进行激光处理，在所述第一表面上形成p+掺杂区域，并采用第二激光参数，对所述第一表面进行激光处理，在所述第一表面上形成p++重掺杂区域，所述p+掺杂区域和所述p++掺杂区域构成第一掺杂层的步骤中，采用所述第一激光参数，对所述第一表面进行激光扫描；当所述激光扫描到所述第一表面的特定区域时，切换所述第一激光参数到所述第二激光参数，采用所述第二激光参数对所述特定区域进行激光扫描，所述特定区域中的硼掺杂源自所述第一表面向所述N型硅片内扩散，在所述第一表面上形成所述p++重掺杂区域，且所述p++重掺杂区域中的部分区域位于所述N型硅片内；采用所述第一激光参数，继续扫描所述第一表面中剩余的未扫描区域，在所述第一表面的除了所述特定区域之外的区域形成所述p+掺杂区域。5.根据权利要求3或4所述的N型双面电池的制作方法，其特征在于，所述第一激光参数和所述第二激光参数均为：激光波长为355-1064nm；模式为脉冲模式、准连续模式或连续模式；脉冲宽度为30