一种用于LTCC基板的玻璃包覆铜浆的制备方法.pdf
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一种用于LTCC基板的玻璃包覆铜浆的制备方法.pdf
本发明公开了一种用于LTCC基板的玻璃包覆铜浆的制备方法,先用盐酸‑丙酮预处理铜粉;再用溶胶凝胶法制备玻璃溶胶;再采用溶胶凝胶法将玻璃包覆铜粉表面;另制备有机载体。最后将玻璃包覆铜粉和有机载体按配方比例混合得到铜浆,丝网印刷于LTCC基片上,在氮气气氛炉中880‑910℃烧结,得到玻璃包覆铜浆/LTCC复合基板。本发明中1wt%玻璃包覆铜粉制备的铜浆在910℃下烧结60min后,铜膜结构致密,导电性能优异,方阻仅为1.9mΩ/□;本发明中玻璃均匀包覆铜粉,制备流程工艺简单,有效的降低了生产成本。
一种用于LTCC基板的二氧化硅包覆铜电子浆料的制备方法.pdf
本发明公开了一种用于LTCC基板的二氧化硅包覆铜电子浆料的制备方法,先用稀盐酸预处理铜粉;再将TEOS预水解;再采用溶胶凝胶法将二氧化硅包覆于铜粉表面;另制备有机载体。最后,将二氧化硅包覆铜粉与有机载体混合,丝网印刷于LTCC基板上,于氮气气氛炉中850‑910℃烧结,得到二氧化硅包覆铜电子浆料/LTCC复合基板。本发明制得的铜/LTCC复合基板致密度较好、导电优良、方阻低;本发明实现了二氧化硅粘结剂在浆料中均匀分散,工艺简便,降低成本,无毒环保。
一种DCB覆铜基板的制备方法.pdf
本发明涉及半导体技术领域。一种DCB覆铜基板制备方法,包括如下步骤:步骤一,真空扩散焊:将清洗后的金属薄片以及铜片叠放在一起,真空条件下进行扩散焊,形成金属薄片与铜片焊接相连的组合体;步骤二,组合体表面清洗;步骤三,干法氧化:在氮气保护的弱氧气氛下对组合体进行表面氧化;步骤四,烧结:组合体预弯,预弯后的组合体扣在瓷片上进行氧化烧结。保证金属面的质量,从而显著减少烧结大气泡。
一种LTCC基板及其制备方法.pdf
本发明涉及一种LTCC基板及其制备方法。本发明的LTCC基板,制备原料包括预烧料和添加料;所述预烧料包括B<base:Sub>2</base:Sub>O<base:Sub>3</base:Sub>和SiO<base:Sub>2</base:Sub>,所述B<base:Sub>2</base:Sub>O<base:Sub>3</base:Sub>和SiO<base:Sub>2</base:Sub>的质量比为0.5~2:1;所述添加料包括AlF<base:Sub>3</base:Sub>和Al<base:Su
一种激光熔覆制备预焊覆铜陶瓷基板方法.pdf
本发明涉及一种激光熔覆制备预焊覆铜陶瓷基板方法,包括如下步骤:1)除油清洗及丝网印刷:覆铜陶瓷基板除油清洗后在表面需焊接芯片位置印刷锡焊膏或涂覆助焊剂后贴附焊片;2)激光熔覆‑预加热:采用0.4~0.8kW功率激光处理锡焊膏或助焊剂进行预加热,排出有机组分;3)激光熔覆‑形成熔覆层:激光熔覆装置抽真空后,通入保护气体,采用1.5~3kW功率激光再次对焊膏区或助焊剂进行处理,使锡焊膏金属化,冷却后形成熔覆层与铜面牢固结合或使焊片四周与覆铜陶瓷基板固接在一起;4)清洗、烘干:将步骤3)得到的预焊覆铜陶瓷基板清