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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112582278A(43)申请公布日2021.03.30(21)申请号202011465023.1(22)申请日2020.12.14(71)申请人江苏富乐德半导体科技有限公司地址224200江苏省盐城市东台市城东新区鸿达路18号(72)发明人王斌贺贤汉葛荘欧阳鹏孙泉(74)专利代理机构上海申浩律师事务所31280代理人陆叶(51)Int.Cl.H01L21/48(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种DCB覆铜基板的制备方法(57)摘要本发明涉及半导体技术领域。一种DCB覆铜基板制备方法,包括如下步骤:步骤一,真空扩散焊:将清洗后的金属薄片以及铜片叠放在一起,真空条件下进行扩散焊,形成金属薄片与铜片焊接相连的组合体;步骤二,组合体表面清洗;步骤三,干法氧化:在氮气保护的弱氧气氛下对组合体进行表面氧化;步骤四,烧结:组合体预弯,预弯后的组合体扣在瓷片上进行氧化烧结。保证金属面的质量,从而显著减少烧结大气泡。CN112582278ACN112582278A权利要求书1/1页1.一种DCB覆铜基板制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一,真空扩散焊:将清洗后的金属薄片以及铜片叠放在一起,真空条件下进行扩散焊,形成金属薄片与铜片焊接相连的组合体;步骤二,组合体表面清洗;步骤三,干法氧化:在氮气保护的弱氧气氛下对组合体进行表面氧化;步骤四,烧结:组合体预弯,预弯后的组合体扣在瓷片上进行氧化烧结。2.根据权利要求1所述的一种DCB覆铜基板的制备方法,其特征在于:所述金属薄片为铜箔,厚度为2‑20um。3.根据权利要求1所述的一种DCB覆铜基板的制备方法,其特征在于:步骤一中,真空扩散焊的温度为600℃‑800℃,保温时间为2min‑20min,真空度为0.01Pa‑0.1Pa,升温速率为10℃/min‑40℃/min,降温速率为10℃/min‑40℃/min,通过机械加压方式在铜箔与铜片之间提供2‑10MPa压力。4.根据权利要求1所述的一种DCB覆铜基板的制备方法,其特征在于:步骤一中,金属薄片与铜片叠合构成一组待焊接组,两组待焊接组之间使用陶瓷板隔开。5.根据权利要求1所述的一种DCB覆铜基板的制备方法,其特征在于:步骤二中,依次进行除油、酸性微蚀、超声水洗、溢流水洗、吸水滚轮以及热风烘干;热风烘干的温度为80℃‑100℃。6.根据权利要求1所述的一种DCB覆铜基板的制备方法,其特征在于:步骤三中,所述干法氧化的条件为氧化温度500℃‑900℃,氧化时间10min‑60min,氧化气氛为氮气保护下的氧化气氛,氧含量为500ppm‑3000ppm。7.根据权利要求1所述的一种DCB覆铜基板的制备方法,其特征在于:步骤四中,烧结为双面烧结,第一面烧结温度为1065℃‑1075℃,烧结时间为20min‑35min,气氛为氮气保护的弱氧气氛,氧含量为5ppm‑200ppm;第二面烧结温度设定为1070℃‑1090℃,烧结时间为20min‑35min,气氛为氮气保护的弱氧气氛,氧含量为5ppm‑200ppm。8.根据权利要求1所述的一种DCB覆铜基板的制备方法,其特征在于:金属薄片为铜箔,铜箔的厚度为18um;步骤一中,真空扩散焊的温度为700℃,保温时间为15min,真空度为0.05Pa,升温速率为20℃/min,降温速率为20℃/min,通过机械加压方式在铜箔与铜片之间提供5MPa压力。9.根据权利要求1所述的一种DCB覆铜基板的制备方法,其特征在于:金属薄片为铜箔,铜箔的厚度为10um;步骤一中,真空扩散焊温度为650℃,保温时间为10min,通过机械加压方式在铜箔与铜片之间提供压力值为2MPa。10.根据权利要求1所述的一种DCB覆铜基板的制备方法,其特征在于:步骤三中氧化温度为700℃‑900℃。2CN112582278A说明书1/4页一种DCB覆铜基板的制备方法技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域,具体是覆铜基板的制备方法。背景技术[0002]陶瓷基板具有热导率高、耐热性好、热膨胀系数低、机械强度高、绝缘性好、耐腐蚀、抗辐射等特点,在电子器件封装中得到广泛应用,根据制备原理和工艺的不同,目前主流产品可以分为厚膜印刷陶瓷基板(ThickPrintingCeramicSubstrate,TPC)、直接键合铜陶瓷基板(DirectBondedCopperCeramicSubstrate,DCB或称DBC)、活性金属焊接陶瓷基板(ActiveMetalBrazingCeramicSubstrate,AMB)等。小型化的高压大功率模块是半导体器件重要发展方向之一,在半导体器件设计中,随着尺寸减小,芯片功率密度急剧增加,对模块