一种制备R‑T‑B稀土永磁体的方法.pdf
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一种制备R‑T‑B稀土永磁体的方法.pdf
一种制备R‑T‑B稀土永磁体的方法,包括以下步骤,a)将含稀土氟化物、稀土氧化物、稀土氢化物的一种或多种包覆到R‑T‑B稀土永磁体表面,上述三类稀土化合物中的稀土元素为重稀土元素;b)将包裹完毕的R‑T‑B稀土永磁体放入至已经布置过金属镝或镝合金的盒子内;c)将所述的盒子放入真空烧结炉,在750℃‑950℃温度范围内进行4‑72h的热处理;d)在450‑600℃温度范围进行2‑8h的时效处理。本发明具有以下有益效果:既能防止磁体与磁体间或磁体与支撑体之间发生粘连,又能解决镝蒸汽对磁体表面的过渗透,还不会降
一种R-T-B稀土永磁体的制备方法.pdf
本发明公开了一种R‑T‑B稀土永磁体的制备方法,涉及磁性材料技术领域领域,为提高产品性能和生产效率,降低生产成本;本发明采用上端面开设有多条气槽的治具,利用网印工艺在烧结磁体表面沉积膜层,其中网印膜层的浆液包括稀土低氧化物、稀土氟化物、稀土氢化物中的至少一种,还可包括金属元素或其氢化物、氧化物、氮化物中的至少一种;将沉积膜层后的烧结磁体在真空烧结炉中热处理,使稀土元素扩散进入烧结磁体内部;本发明可以实现自动化加工时产品侧边紧密排放,大大简化了自动化实施难度,热处理后粘连现象大大减少,产品性能一致性也得到改
一种高温环境用具有富Gd核的核壳结构R-T-B稀土永磁体及其制备方法.pdf
本发明提供了一种高温环境用具有富Gd核的核壳结构R‑T‑B稀土永磁体,所述磁体中,稀土元素R含量为29.0wt.%~34.0wt.%,R由Gd和R1组成,Gd元素含量为磁体质量的1.0wt.%~20.0wt.%;主相晶粒中包含体积比20vol.%~80vol.%的富Gd核、贫Gd壳层的主相晶粒。本发明采用双合金的方法分别熔炼高Gd含量和低Gd含量的合金片,然后制得烧结磁体,其中在高温扩散处理时高Gd含量主相中的Gd元素会向晶界富R相中扩散,最终高Gd含量主相晶粒会形成具有贫Gd壳层和富Gd核心的反壳层结构
一种稀土永磁体及其制备方法.pdf
本发明提供了一种稀土永磁体及其制备方法。稀土永磁体的制备方法包括:S10:对稀土永磁材料制备的工件进行表面处理,以控制工件表面的粗糙度在Ra0.5?5.5;S20:将质量份之比为5:(1?10)的S10处理后的工件和辅助球放入滚筒中,S10处理后的工件和辅助球的总体积与滚筒体积的比值为1:(2?6),并将滚筒浸入稀土浆料中,进行滚动处理;S30:对S20处理后的工件进行热处理,得到稀土永磁体。本发明解决了使用滚筒在小尺寸稀土永磁体表面涂覆稀土浆料厚薄不均、局部堆积、局部涂覆不良的问题。
一种稀土永磁体及其制备方法.pdf
本发明提供了一种稀土永磁体及其制备方法。制备方法包括依次进行的如下步骤:真空感应炉熔炼、吸氢破碎、微粉碎、取向成型处理、烧结处理、多级时效处理。本发明通过采用多级时效处理的方式增加晶界相中R