一种稀土永磁体及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115274286A(43)申请公布日2022.11.01(21)申请号202211181833.3H01F1/057(2006.01)(22)申请日2022.09.27(71)申请人宁波科宁达工业有限公司地址315000浙江省宁波市北仑区科苑路18、28号申请人宁波科宁达和丰新材料有限公司宁波科宁达日丰磁材有限公司宁波科宁达鑫丰精密制造有限公司(72)发明人丁立军潘存康姚丽红魏方允王登兴(74)专利代理机构浙江中桓凯通专利代理有限公司33376专利代理师李美宝(51)Int.Cl.H01F41/02(2006.01)权利要求书2页说明书7页(54)发明名称一种稀土永磁体及其制备方法(57)摘要本发明提供了一种稀土永磁体及其制备方法。制备方法包括依次进行的如下步骤：真空感应炉熔炼、吸氢破碎、微粉碎、取向成型处理、烧结处理、多级时效处理。本发明通过采用多级时效处理的方式增加晶界相中R6‑T13‑M相的比例，抑制由于硼含量降低引起的稀土永磁体Hcj的波动，从而获得具有稳定的高Hcj的稀土永磁材料。CN115274286ACN115274286A权利要求书1/2页1.一种稀土永磁体的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：S100：准备原料，对所述原料进行熔炼，得到第一中间体；S200：对所述第一中间体进行破碎处理，得到第二中间体；S300：对所述第二中间体进行取向成型处理，得到第三中间体；S400：对所述第三中间体进行烧结处理，得到第四中间体；S500：对所述第四中间体进行时效处理，得到所述稀土永磁体；其中，所述S500具体包括：S510：对所述第四中间体进行一次时效处理，控制时效温度850℃‑950℃，时效时间2h‑3h；S520：对所述第四中间体进行二次时效处理，控制时效温度450℃‑550℃，时效时间3h‑8h；S530：对所述第四中间体进行三次时效处理，控制时效温度850℃‑950℃，时效时间2h‑3h；S540：对所述第四中间体进行四次时效处理，控制时效温度600℃‑700℃，时效时间3h‑8h，得到所述稀土永磁体；在100质量份计的所述稀土永磁体中，包括：稀土29质量份‑32质量份、硼0.88质量份‑0.92质量份、镓0.25质量份‑0.45质量份、铁66.63质量份‑69.87质量份。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述S100具体包括：S110：准备所述原料，将所述原料放入真空感应炉中进行熔炼，控制所述真空感应炉的真空度在10‑2Pa‑10‑3Pa、熔炼温度在1300℃‑1500℃；S120：在1400℃‑1500℃温度下进行浇铸，得到所述第一中间体。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述S200具体包括：S210：对所述第一中间体进行吸氢破碎，得到粗破碎材料；S220：对所述粗破碎材料进行微粉碎处理，得到所述第二中间体。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述吸氢破碎中控制吸氢压力0.3MPa‑0.4MPa、脱氢温度560℃‑600℃；和/或所述微粉碎处理中控制气流磨研磨室压力0.5MPa‑0.7MPa、粒度为3.2um‑4.2um。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二中间体的粒度分布满足：D50＜D90/D10＜D50+2。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述S400中所述烧结处理控制烧结温度1000℃‑1100℃、烧结时间7.5h‑8.5h。7.根据权利要求1至6任一项所述的制备方法，其特征在于，在进行所述S200前，对至少10个所述第一中间体进行稀土元素含量检测，并控制至少10个所述第一中间体的稀土元素含量满足如下公式：（Tmax‑Tmin）/Tmax*100%＜2%；其中，所述Tmax表示至少10个所述第一中间体中稀土元素含量的最高值，Tmin表示至少10个所述第一中间体中稀土元素含量的最低值。8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在进行所述S200前，对至少10个所述第一中间体进行镓元素含量检测，并控制至少10个所述第一中间体的镓元素含量满足如下2CN115274286A权利要求书2/2页公式：（Gamax‑Gamin）/Gamax*100%＜5%；其中，Gamax表示至少10个所述第一中间体中镓元素含量的最高值，Gamin表示至少10个所述第一中间体中镓元素含量的最低值。9.根据权利要求1至6任一项所述的制备方法，其特征在于，在100质量份的所述稀土永磁体中还包括：钛≤0.2质量份、锆≤0.3质量份、铜0.1质量份‑0.15质量份、钴1.5质量份‑2质量份。10.一种稀土永磁体，其特征在于，所述稀土永磁体通过权利要求1至9任一项所述的制备方法制备得到。3CN115