一种R-T-B稀土永磁体的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113963931A(43)申请公布日2022.01.21(21)申请号202111225521.3(22)申请日2021.10.21(71)申请人中钢天源股份有限公司地址243000安徽省马鞍山市雨山区霍里山大道南段9号(72)发明人郑大伟周军孙红军宋伟徐鹏翟厚勤聂凯王海燕(74)专利代理机构马鞍山市金桥专利代理有限公司34111代理人吴方舟(51)Int.Cl.H01F41/02(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图1页(54)发明名称一种R-T-B稀土永磁体的制备方法(57)摘要本发明公开了一种R‑T‑B稀土永磁体的制备方法，涉及磁性材料技术领域领域，为提高产品性能和生产效率，降低生产成本；本发明采用上端面开设有多条气槽的治具，利用网印工艺在烧结磁体表面沉积膜层，其中网印膜层的浆液包括稀土低氧化物、稀土氟化物、稀土氢化物中的至少一种，还可包括金属元素或其氢化物、氧化物、氮化物中的至少一种；将沉积膜层后的烧结磁体在真空烧结炉中热处理，使稀土元素扩散进入烧结磁体内部；本发明可以实现自动化加工时产品侧边紧密排放，大大简化了自动化实施难度，热处理后粘连现象大大减少，产品性能一致性也得到改善，有利于提高自动化程度，减少人工成本，复合粉体利用有利于提高产品性能，降低稀土用量。CN113963931ACN113963931A权利要求书1/1页1.一种R‑T‑B稀土永磁体的制备用网印治具，包括上端用于放置产品的治具，其表面设有多个吸气孔，其特征在于：所述治具上端面还开设有多条气槽，各吸气孔上端通过气槽相连通。2.根据权利要求1所述的一种R‑T‑B稀土永磁体的制备用网印治具，其上的吸气孔成矩形阵列分布，其特征在于：所述气槽沿两种方向分布，分别平行于吸气孔阵列的行和列方向设置，同一行吸气孔通过一行气槽穿过各吸气孔上端的中心点相连通，同一列吸气孔通过一列气槽穿过各吸气孔上端的中心点相连通，每相邻的两行吸气孔之间设有一行气槽，每相邻的两列吸气孔之间设有一列气槽，且吸气孔阵列的四周还开设有一圈矩形气槽。3.根据权利要求1所述的一种R‑T‑B稀土永磁体的制备用网印治具，其特征在于：所述气槽深度和宽度均为0‑1mm。4.一种R‑T‑B稀土永磁体的制备方法，包括表面活化处理后的烧结磁体，其特征在于，采用权利要求1‑3任意一项所述的治具，利用网印工艺在烧结磁体表面沉积膜层，其中网印膜层的浆液包括稀土低氧化物、稀土氟化物、稀土氢化物中的至少一种；将沉积膜层后的烧结磁体在真空烧结炉中热处理，使稀土元素扩散进入烧结磁体内部。5.根据权利要求4所述的一种R‑T‑B稀土永磁体的制备方法，其特征在于：所述浆液包括稀土低氧化物、稀土氟化物、稀土氢化物中的至少两种。6.根据权利要求5所述的一种R‑T‑B稀土永磁体的制备方法，其特征在于：所述浆液中稀土低氧化物、稀土氟化物、稀土氢化物占粉体重量百分比的55‑98％，浆液中的其余粉体为一种或多种强还原性且/或低熔点无机元素和/或其强还原性化合物，其余粉体包括但不限于镧、铈、钾、钙、镁、铝、锌、铁、钴、锡、铜、镓、硅、锗、锡和/或上述元素的氢化物、氧化物、硫化物、氮化物中的一种或多种。7.根据权利要求4所述的一种R‑T‑B稀土永磁体的制备方法，其特征在于：所述治具在烧结磁体表面沉积膜层时，治具的内框有效区长边公差为+m1至+m2，宽边公差为+m3至+m4，其中m1＝0.1X+n1，m2＝0.2X+n2，m3＝0.1Y+n3，m4＝0.2Y+n4，n1、n2、n3、n4的取值范围为0‑1.5mm，X为治具长边方向对应的烧结磁体摆放数量，Y为治具宽边方向对应的烧结磁体摆放数量。8.根据权利要求4所述的一种R‑T‑B稀土永磁体的制备方法，其特征在于：所述浆液的粘度为50000‑350000mPa·s。9.根据权利要求4至8任意一项所述的一种R‑T‑B稀土永磁体的制备方法，其特征在于：所述烧结磁体为R‑Fe‑B‑M烧结磁体，其中稀土元素R包括但不限于La、Ce、Pr、Nd、Dy、Tb、Gd、Ho中的一种或者几种，其总量为26.5wt％‑34wt％，金属元素M包括但不限于Ga、Al、Cu、Co、Ti、Zr、Nb、W中的一种或者几种，其总量为0‑6wt％，B总量为0.55wt％‑1.5wt％，其余为Fe。10.根据权利要求4至8任意一项所述的一种R‑T‑B稀土永磁体的制备方法，其特征在于：所述表面活化处理包括但不限于除油、清洗、酸洗、喷砂；所述热处理包括两级，其中一级热处理温度范围为750℃‑960℃，热处理时间为2h‑72h，二级热处理温度范围为430℃‑560℃，热处理时间为2h‑8h，烧结炉真空度控制为10‑1‑10‑4Pa。2CN11396393