晶体硅太阳能电池的硼扩散方法.pdf
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晶体硅太阳能电池的硼扩散方法.pdf
本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的硼扩散方法,包括如下步骤:(1)将制绒清洗后的硅片放入扩散炉管内,升温至900~1100℃,通氮气以及较大流量的硼源、氧气进行硼扩散,扩散时间为5~60min;(2)保持步骤(1)中的温度通入氮气以及较低流量的硼源、氧气进行硼扩散,扩散时间为15~80min;(3)保持步骤(1)中的温度或升温至910~1100℃,通入氮气、以及较大流量的硼源、氧气进行硼扩散,扩散时间为2~30min;(4)完成扩散过程。本发明的硼扩散方法在硅片表层较浅的深度范围内形成较高的杂质浓度,以利
晶体硅太阳能电池的硼扩散装置及方法.pdf
本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的硼扩散装置及方法。硼扩散装置包括:炉管,具有第一进气口;以及尾气瓶,与炉管的尾部连通;第一进气口设置在炉管的管壁上,且位于炉管的水平方向中分面以上。通过将进气口设置在炉管的水平方向中分面以上的管壁上,相对于现有技术中将进气口设置在炉管的水平方向中分面上的情况,提高了硼源进气口距离硅片的相对高度,延长了硅片沉积扩散的时间和距离,较好地解决了硼源在扩散过程中因重力太大导致较快地沉积到炉管底部,以至于部分硅片表面扩散方阻均匀性差的问题,避免了过多的硼沉积到炉管底部生成硼硅玻璃(
一种晶体硅太阳能电池的硼扩散方法.pdf
本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的硼扩散方法,包括如下步骤:(1)将制绒清洗后的硅片放入扩散炉管内,升温至800~1100℃,通入氧气进行氧化,氧化时间为1~30min;(2)保持步骤(1)中的温度或升温至900~1100℃,通硼源、氧气和氮气进行硼扩散;(3)停止通源,保持温度或降温至800~900℃,在氮气气氛下保温5~50min;(4)降温,出舟,完成扩散过程。本发明的扩散方法可以提高硼扩散的均匀性,避免或减少富硼层的形成,提高硅片的少子寿命,同时可以保持较高的表面杂质浓度,有利于形成良好的欧姆接触
N 型硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法.pdf
本发明公开了一种N型硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法。硼扩散方法包括以下步骤:沉积阶段,将湿法刻蚀后的硅片放入扩散炉内升温至890℃~920℃,之后通入氮气、氧气和硼源使其硅片表面进行沉积;扩散阶段,在氮气气氛下将表面沉积后的硅片升温至预定温度,推进硼扩散;以及后氧化阶段,将硼扩散后的硅片降温,并同时通入氧气和氮气,得到硼扩散后的硅片。采用本发明的沉积扩散工艺降低了硅片表面的硼原子浓度,减小了表面的复合速率和晶格损伤,将方阻标准差(STDEV)控制在2.0左右,改善了硼扩散方阻均匀性,提高了
N型硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法.pdf
本发明公开了一种N型硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法。硼扩散方法包括以下步骤:沉积阶段,将湿法刻蚀后的硅片放入扩散炉内升温至预定沉积温度,并通入硼源、氧气和氮气使其在硅片表面进行沉积;推进扩散阶段,将表面沉积后的硅片升温至预定扩散温度,推进扩散,并在升温和推进扩散的过程中通入氧气和氮气;以及后氧化阶段,将扩散后的硅片降温,并在降温的过程中通入氧气和氮气。该沉积扩散工艺降低了硅片表面的硼原子浓度,减小了表面的复合速率和晶格损伤,将方阻标准差(STDEV)控制在2.0左右,改善了硼扩散方阻均匀性