一种坩埚升降法单晶金属生长炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106222733A(43)申请公布日2016.12.14(21)申请号201610891676.3(22)申请日2016.10.12(71)申请人安徽贝意克设备技术有限公司地址230088安徽省合肥市高新区科学大道110号(72)发明人孔令杰张志琴吴克松(74)专利代理机构北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)11390代理人胡剑辉(51)Int.Cl.C30B11/00(2006.01)C30B29/20(2006.01)权利要求书1页说明书2页附图1页(54)发明名称一种坩埚升降法单晶金属生长炉(57)摘要本发明公开了一种坩埚升降法单晶金属生长炉，包括炉体，所述炉体内部一侧顶端固定有步进电机，所述步进电机底端与丝杆进行传动连接，所述丝杆上安装有滑块；所述炉体内部另一侧固定有加热炉，所述加热炉中间贯穿设置有炉管，所述炉管与滑块相互固定连接，所述炉管顶端连接有法兰，所述炉管底端连接有真空计；所述炉体内部底端还固定有变压器。本发明通过升降机构实现加热炉匀速起落，能够通过调节电机转速，自由控制升降速度，满足晶体结晶点的变化要求，整套设备结构设计简洁合理，科学实用，适合推广和使用。CN106222733ACN106222733A权利要求书1/1页1.一种坩埚升降法单晶金属生长炉，包括炉体(9)，其特征在于：所述炉体(9)内部一侧顶端固定有步进电机(1)，所述步进电机(1)底端与丝杆(2)进行传动连接，所述丝杆(2)上安装有滑块(3)；所述炉体(9)内部另一侧固定有加热炉(4)，所述加热炉(4)中间贯穿设置有炉管(5)，所述炉管(5)与滑块(3)相互固定连接，所述炉管(5)顶端连接有法兰(6)，所述炉管(5)底端连接有真空计(7)；所述炉体(9)内部底端还固定有变压器(8)。2.根据权利要求1所述的一种坩埚升降法单晶金属生长炉，其特征在于：所述炉体(9)外侧面设置有触摸屏。3.根据权利要求1所述的一种坩埚升降法单晶金属生长炉，其特征在于：所述炉体(9)表面安装有双开门。4.根据权利要求1所述的一种坩埚升降法单晶金属生长炉，其特征在于：所述炉体(9)底部安装有福马轮。5.根据权利要求1所述的一种坩埚升降法单晶金属生长炉，其特征在于：所述加热炉(4)与炉管(5)之间安装有密封装置。2CN106222733A说明书1/2页一种坩埚升降法单晶金属生长炉技术领域[0001]本发明属于生长炉领域，尤其涉及一种坩埚升降法单晶金属生长炉。背景技术[0002]晶体的生长，是将放有原料的坩埚设置于热场中，将原料熔化为熔体。通过籽晶与熔体的接触，沿籽晶晶向拉伸进行晶体的生长。在晶体生长的过程中，尤其是蓝宝石晶体晶体生长过程中，为了使晶体生长在合适的温场中，需要将加热炉定位在加热器适合的位置；同时需要通过底部热屏的移动来实现晶体生长全过程所需要的温度梯度，从而生长出优质的晶体。因此需要相应的升降设备来调整坩埚的高度，以及坩埚与底部热屏之间的距离。发明内容[0003]本发明的目的在于克服现有技术存在的以上问题，提供一种坩埚升降法单晶金属生长炉，能够对加热炉进行升降调节，并自由控制升降速度。[0004]为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本发明通过以下技术方案实现：[0005]一种坩埚升降法单晶金属生长炉，包括炉体，所述炉体内部一侧顶端固定有步进电机，所述步进电机底端与丝杆进行传动连接，所述丝杆上安装有滑块；[0006]所述炉体内部另一侧固定有加热炉，所述加热炉中间贯穿设置有炉管，所述炉管与滑块相互固定连接，所述炉管顶端连接有法兰，所述炉管底端连接有真空计；[0007]所述炉体内部底端还固定有变压器。[0008]进一步地，所述炉体外侧面设置有触摸屏，能够实现对步进电机自动化智能控制。[0009]进一步地，所述炉体表面安装有双开门，打开与关闭操作方便，安装结构简单。[0010]进一步地，所述炉体底部安装有福马轮，便于炉体的移动，摆脱了空间限制。[0011]进一步地，所述加热炉与炉管之间安装有密封装置，提高生长炉的运转可靠性。[0012]本发明的有益效果是：[0013]本发明通过升降机构实现加热炉匀速起落，能够通过调节电机转速，自由控制升降速度，满足晶体结晶点的变化要求，整套设备结构设计简洁合理，科学实用，适合推广和使用。附图说明[0014]此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：[0015]图1是本发明的结构示意图；[0016]图中标号说明：1-步进电机、2-丝杆、3-滑块、4-加热炉、5-炉管、6-法兰、7-真空计、8-变压器、9-炉体。具体实施方式3CN10622273