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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113913918A(43)申请公布日2022.01.11(21)申请号202111187759.1(22)申请日2021.10.12(71)申请人江西匀晶光电技术有限公司地址332000江西省九江市开发区长城路121号恒盛科技园内(72)发明人夏钰坤夏宗仁夏文英张婷(74)专利代理机构南昌合达信知识产权代理事务所(普通合伙)36142代理人刘学涛(51)Int.Cl.C30B11/00(2006.01)C30B29/20(2006.01)权利要求书2页说明书4页附图1页(54)发明名称一种适用坩埚下降法的晶体生长炉(57)摘要一种适用坩埚下降法的晶体生长炉,包括坩埚和设于升降平台上的耐热管,坩埚内置于耐热管,耐热管内部填充满Al2O3粉,Al2O3粉将密闭的坩埚包裹;耐热管外设置有加热管,加热管外设置有保温箱;还包括导流管,导流管与坩埚连通处作为入流口,结晶到入流口高度时即将出现结晶不透明的情况,导流管的出流口的高度低于入流口;导流管外设置有加热环,坩埚顶部通过引出管连通至保温箱外。本发明可在现有的晶体生长炉上进行改动,仅通过设置导流管实现了对尚未结晶的原料的及时泄放,保证得到的单晶为完全透明的整根晶棒。CN113913918ACN113913918A权利要求书1/2页1.一种适用坩埚下降法的晶体生长炉,包括坩埚(1)和设于升降平台(2)上的耐热管(3),坩埚(1)内置于耐热管(3),耐热管(3)内部填充满Al2O3粉,Al2O3粉将密闭的坩埚(1)包裹;耐热管(3)外设置有加热管(4),加热管(4)外设置有保温箱(5);其特征在于:还包括导流管(7),导流管(7)包括位于保温箱内的内段和位于保温箱外的外段,并且内段、外段连通,内段连通坩埚(1);导流管(7)与坩埚(1)连通处作为入流口(14),结晶到入流口高度时即将出现结晶不透明的情况,导流管的出流口的高度低于入流口;导流管(7)外设置有加热环(8),坩埚(1)顶部通过引出管(9)连通至保温箱外。2.根据权利要求1所述的晶体生长炉,其特征在于:导出管(7)的出流口连接有透明弯管(10),透明弯管(10)向上弯起,其顶部高于导流管的入流口但低于排液时坩埚内原料的液面高度;在注入原料时,当导流管内的原料上升至透明弯管(10)内且未到达顶部高度前停止注入原料,待导出管内原料冷却结晶堵塞后继续注入原料。3.根据权利要求2所述的晶体生长炉,其特征在于:透明弯管(10)可采用耐高温的透明陶瓷材料。4.根据权利要求2所述的晶体生长炉,其特征在于:引入管上连接有U型封(11),U型封外设置有加热环;在注入原料后,继续向U型封(11)内注入原料,原料浸没U型封(11)后形成密封;在结晶完成后需要排除原料时,加热环通电加热使得U型封内的原料融化,再注入一定量的原料,将U型封内的原料一并注入坩埚内,最终由导流管流出。5.根据权利要求4所述的晶体生长炉,其特征在于:加热环将U型封(11)内的固态原料加热至与坩埚(1)内原料的温度一致;而后再注入一定量的原料,将U型封内的原料一并注入坩埚内。6.根据权利要求4所述的晶体生长炉,其特征在于:还设置有冷风机(12),冷风机(12)吹向U型封和导流管位于保温箱外的部分。7.根据权利要求5所述的晶体生长炉,其特征在于:导流管位于保温箱外的部分设置为螺旋状。8.基于权利要求1所述的晶体生长炉的晶体生长方法,采用原料以外的物料作为堵料,其特征在于包括:由保温箱外的出流口注入一段熔融堵料,待冷却凝固;通过引出管向坩埚注入原料,加热管通电发热;通过驱动装置逐步下降升降平台,逐步结晶形成晶棒;出现不透明析晶后,加热环通电加热导流管,导流管内堵料融化,尚未结晶的原料由连通管流出,得到完全透明的晶棒。9.基于权利要求1所述的晶体生长炉的晶体生长方法,采用原料作为堵料,导流管仅作为排出原料用、引入管仅作为注入原料用,导流管、引入管内的原料流向具有单一性,其特征在于包括:通过引出管向坩埚注入原料,加热管通电发热;原料浸没入流口后注入导出管一段高度,停止注入原料,待导出管内原料冷却结晶堵2CN113913918A权利要求书2/2页塞后继续注入原料;通过驱动装置逐步下降升降平台,逐步结晶形成晶棒;出现不透明析晶后,加热环通电加热导流管,导流管内堵料融化,尚未结晶的原料由连通管流出,得到完全透明的晶棒。3CN113913918A说明书1/4页一种适用坩埚下降法的晶体生长炉技术领域[0001]本发明涉及晶体生长炉领域,具体涉及一种适用坩埚下降法的晶体生长炉。背景技术[0002]坩埚下降法亦即是布里奇曼法,属于熔体生长法的一种,可用于生长化学计量比铌酸锂单晶,其特点是:籽晶在坩埚的底部,籽晶上部是多晶原粮,