多晶硅还原炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106276914A(43)申请公布日2017.01.04(21)申请号201610846744.4(22)申请日2016.09.23(71)申请人中国恩菲工程技术有限公司地址100038北京市海淀区复兴路12号(72)发明人汪绍芬石何武杨永亮严大洲汤传斌姚心(74)专利代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201代理人黄德海(51)Int.Cl.C01B33/035(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图3页(54)发明名称多晶硅还原炉(57)摘要本发明公开了一种多晶硅还原炉，包括炉体、底盘组件、进气系统和出气系统，底盘组件包括底盘本体、电极、进气端管和出气端管，炉体与底盘本体限定出反应腔，多个电极设在底盘本体上且为沉积载体硅芯提供安装基础，多个电极在底盘本体上排列成多圈，每圈电极等间距设置且中心位于底盘本体的中心轴线上，多圈电极沿底盘本体的径向间隔设置，多个进气端管设在底盘本体上且位于相邻圈电极之间以及底盘本体的中心处，多个出气端管设在底盘本体上且位于最外圈电极与最内圈电极之间；进气系统与多个进气端管相连；出气系统与多个出气端管相连。根据本发明的多晶硅还原炉，具有结构紧凑、集成大型化、单炉产量高、生产质量优良、节能高效的特点。CN106276914ACN106276914A权利要求书1/2页1.一种多晶硅还原炉，其特征在于，包括：炉体；底盘组件，所述底盘组件包括：底盘本体，所述底盘本体与所述炉体限定出反应腔，多个电极，多个所述电极设在所述底盘本体上且为所述反应腔内的沉积载体硅芯提供安装基础，多个所述电极在所述底盘本体上排列成多圈，每圈电极等间距设置且中心位于所述底盘本体的中心轴线上，多圈电极沿所述底盘本体的径向间隔设置，多个进气端管，多个所述进气端管设在所述底盘本体上且位于相邻圈电极之间以及所述底盘本体的中心处，多个出气端管，多个所述出气端管设在所述底盘本体上且位于最外圈电极与最内圈电极之间；进气系统，所述进气系统与多个所述进气端管相连；出气系统，所述出气系统与多个所述出气端管相连。2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述底盘本体的内直径为2800mm-3000mm，所述电极为48对。3.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述电极为48对且在所述底盘本体上排列成4-6圈。4.根据权利要求3所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述电极分布在沿所述底盘本体的径向由外至内的第一至第五圈上，所述第一圈上分布有16对电极，所述第二圈上分布有13对电极，所述第三圈上分布有10对电极，所述第四圈上分布有6对电极，所述第五圈上分布有3对电极。5.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，每个所述电极包括：电极座，所述电极座设在所述底盘本体上；电极本体，所述电极本体设在所述电极座上，其中，每圈电极的相邻两个电极本体的正负极反向设置且相邻两对电极通过电极板连接。6.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述进气端管为20-50个，其中，多个所述进气端管中的一个设在所述底盘本体的中心处且其余的排列成多圈，每圈进气端管设在相邻圈电极之间。7.根据权利要求6所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述其余的进气端管分布在沿所述底盘本体的径向由外至内的第一至第四圈，所述第一圈上分布有13个进气端管，所述第二圈上分布有10个进气端管，所述第三圈上分布有5个进气端管，所述第四圈上分布有3个进气端管。8.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，多个所述出气端管在所述底盘本体上排列成至少一圈，每圈出气端管的相邻出气端管之间设有所述进气端管。9.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述出气端管为4-6个且沿所述底盘本体的周向均匀分布在沿所述底盘本体的径向由内至外的第二圈电极与第三圈电极之间。10.根据权利要求1-9中任一项所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述底盘本体包括：底盘法兰；2CN106276914A权利要求书2/2页上底板，所述上底板设在所述底盘法兰内；下底板，所述下底板设在所述底盘法兰内且位于所述上底板下方，所述下底板与所述上底板和所述底盘法兰限定出底盘冷却腔；多个导流板，多个所述导流板设在所述底盘冷却腔内且在所述底盘冷却腔内限定出多个螺旋流道。11.根据权利要求10所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述底盘组件还包括：多个底盘进液管，多个所述底盘进液管设在所述下底板上且每个所述底盘进液管分别与多个所述螺旋流道连通，多个所述底盘进液管位于最外圈电极与最内圈电极之间以及所述底盘本体的中心处；多个底盘出液管，多个所述底盘出液管设在所述下底板上且每个所述底盘出液管分别与多个所述螺旋流道连通，多个所述底盘出液管在所述底盘本