钨电容器元件及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106663543A(43)申请公布日2017.05.10(21)申请号201580043487.4(74)专利代理机构北京市中咨律师事务所1(22)申请日2015.06.121247代理人刘航段承恩(30)优先权数据2014-1848172014.09.11JP(51)Int.Cl.H01G9/07(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H01G9/00(2006.01)2017.02.13H01G9/04(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据H01G9/052(2006.01)PCT/JP2015/0669622015.06.12(87)PCT国际申请的公布数据WO2016/038959JA2016.03.17(71)申请人昭和电工株式会社地址日本东京都(72)发明人内藤一美矢部正二权利要求书1页说明书10页附图2页(54)发明名称钨电容器元件及其制造方法(57)摘要本发明涉及一种电容器元件，其在含有钨的阳极体上依次包含：含有非晶质的钨氧化物的电介质层；被覆所述电介质层的一部分或全部的含有结晶性的钨氧化物的层；半导体层；和导电体层。本发明的电容器元件，其耐热性高，在密封工序和/或回熔炉中的处理等高温热处理后，LC难以增大。本发明涉及的电容器元件能够通过依次进行以下工序而制造：将钨粉的成形体烧结而形成阳极体的烧结工序；对所述阳极体进行化学转化处理的电介质层形成工序；在所述电介质层上形成结晶性钨氧化物层的工序；形成半导体层的半导体层形成工序；和形成导电体层的导电体层形成工序。CN106663543ACN106663543A权利要求书1/1页1.一种电容器元件，其特征在于，在含有钨的阳极体上依次包含：含有非晶质的钨氧化物的电介质层；被覆所述电介质层的一部分或全部的含有结晶性的钨氧化物的层；半导体层；和导电体层。2.根据权利要求1所述的电容器元件，所述结晶性的钨氧化物在X射线衍射中能观测到来自晶体的衍射峰。3.根据权利要求1所述的电容器元件，所述非晶质的钨氧化物在X射线衍射中观测不到来自晶体的衍射峰。4.根据权利要求2或3所述的电容器元件，所述来自晶体的衍射峰包含：在衍射角2θ＝22～25°处出现的3个峰；在衍射角2θ＝28～29°处出现的峰；在衍射角2θ＝33～34°处出现的峰；和在衍射角2θ＝36～37°处出现的峰。5.根据权利要求1～3的任一项所述的电容器元件，所述钨氧化物为三氧化钨。6.一种电容器，包含权利要求1～5的任一项所述的电容器元件。7.一种电容器元件的制造方法，其特征在于，是制造权利要求1～5的任一项所述的电容器元件的方法，依次包括以下工序：将钨粉或其成形体烧结而形成阳极体的烧结工序；使用溶液进行化学转化处理的电介质层形成工序，所述溶液包含选自七价锰化合物、六价铬化合物、卤酸化物、过硫酸化合物和有机过氧化物之中的至少一种；对所述电介质层浸渗溶液后，在300℃以上进行加热处理的结晶性钨氧化物层形成工序，所述溶液包含选自钨酸、钨酸盐、悬浮有钨氧化物粒子的溶胶、钨螯合物、含钨的金属醇盐之中的至少一种；形成半导体层的半导体层形成工序；和形成导电体层的导电体层形成工序。2CN106663543A说明书1/10页钨电容器元件及其制造方法技术领域[0001]本发明涉及钨电容器元件及其制造方法。更详细而言，本发明涉及具有含钨的阳极体、电介质层、半导体层和导电体层的电容器元件及其制造方法。背景技术[0002]专利文献1(国际公开第2013/186970号小册子)公开了一种电容器元件，该电容器元件具有含钨的阳极体、和在阳极体表面的含有钨氧化物的电介质层，所述电介质层的钨氧化物在扫描电镜中实质上观察不到晶体。[0003]在先技术文献[0004]专利文献[0005]专利文献1：国际公开第2013/186970号小册子发明内容[0006]具有含钨的阳极体、电介质层、半导体层和导电体层的电容器元件(以下简称为“钨电容器元件”)，由于阳极体的材料单价便宜，单位体积的电容量大，因此期待产品化。[0007]但是，作为应解决的课题，可举出进行密封工序和/或回熔炉中的处理等而将电容器元件在高温下热处理后的漏电流(LC)增大这样的课题。[0008]因此，本发明的课题是提供一种在高温热处理后LC难以增大、且耐热性高的钨电容器元件及其制造方法。[0009]本发明人为了查明高温热处理后的钨电容器元件的LC增大的原因而进行了研究。[0010]其结果发现，通过将含有非晶质的钨氧化物的电介质层的一部分或全部用结晶性的钨氧化物被覆，可得到耐热性高的钨电容器，并基于该见解完成了本发明。[0011]即，本发明涉及下述的[1]～[7]。[0012][1]一种电容器元件，