成像元件及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103811507103811507A(43)申请公布日2014.05.21(21)申请号201310533749.8(22)申请日2013.11.01(30)优先权数据2012-2475812012.11.09JP(71)申请人索尼公司地址日本东京都(72)发明人武田健(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105代理人焦玉恒(51)Int.Cl.H01L27/146(2006.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书20页说明书20页附图20页附图20页(54)发明名称成像元件及其制造方法(57)摘要一种固态图像传感器，包括：基板，其中设有光电转换元件，光电转换元件将入射光量转换成电荷量；存储单元，设置在光电转换元件的一侧，存储单元接收来自光电转换元件的电荷量；第一光屏蔽部，形成在存储单元的第一侧，且设置在电荷累积区域和光电转换元件之间；以及第二光屏蔽部，形成在存储单元的第二侧，第二侧与第一侧相对。CN103811507ACN103857ACN103811507A权利要求书1/2页1.一种固态图像传感器，包括：基板，其中设有光电转换元件，该光电转换元件将入射光量转换成电荷量；存储单元，设置在该光电转换元件的一侧，该存储单元接收来自该光电转换元件的该电荷量；第一光屏蔽部，形成在该存储单元的第一侧且设置在该存储单元和该光电转换元件之间；以及第二光屏蔽部，形成在该存储单元的第二侧，使该第二侧与该第一侧相对。2.根据权利要求1所述的固态图像传感器，还包括：转移栅极，至少部分地设置在该光电转换元件中，该转移栅极将由该光电转换元件光电转换的电荷转移到该存储单元，其中配线层通过该第一光屏蔽部将该转移栅极连接到该存储单元。3.根据权利要求1所述的固态图像传感器，还包括：转移栅极，至少部分地设置在该第一光屏蔽部的开口中，该转移栅极将由该光电转换元件光电转换的电荷转移到该存储单元。4.根据权利要求3所述的固态图像传感器，其中该电荷从该转移栅极转移到该基板上的该存储单元。5.根据权利要求1所述的固态图像传感器，还包括：浮置栅极、浮置扩散区域和复位栅极，其中该浮置栅极、该浮置扩散区域和该复位栅极的每一个均设置在该第一光屏蔽部和该第二光屏蔽部之间。6.根据权利要求1所述的固态图像传感器，还包括：第三光屏蔽部，形成在该基板的后表面，其中该第三光屏蔽部形成为实质上等于该第一光屏蔽部和该第二光屏蔽部之间的间隙。7.根据权利要求1所述的固态图像传感器，其中该第一光屏蔽部的一部分和该第二光屏蔽部的一部分中的至少之一形成为从上基板表面向下延伸且在深度方向上实质上穿透该基板的中间。8.根据权利要求7所述的固态图像传感器，还包括：第三光屏蔽部，交替地设置在该第一光屏蔽部和该第二光屏蔽部之间。9.根据权利要求1所述的固态图像传感器，其中由该光电转换元件接收的光入射在该基板的后表面。10.一种电子设备，包括：光学单元；以及固态成像装置，包括设置成二维矩阵的单位像素，其中每个单位像素包括：基板，其中设有光电转换元件，该光电转换元件将入射光量转换成电荷；存储单元，设置在该光电转换元件的一侧，该存储单元接收来自该光电转换元件的电荷；第一光屏蔽部，形成在该存储单元的第一侧且设置在该存储单元和该光电转换元件之间；以及第二光屏蔽部，形成在该存储单元的第二侧，其中该第二侧与该第一侧相对。11.根据权利要求10所述的电子设备，还包括：2CN103811507A权利要求书2/2页转移栅极，至少部分地设置在该光电转换元件中，该转移栅极将由该光电转换元件光电转换的电荷转移到该存储单元，其中配线层通过该第一光屏蔽部连接该转移栅极到该存储单元。12.根据权利要求10所述的电子设备，还包括：转移栅极，至少部分地设置在该第一光屏蔽部的开口中，该转移栅极将由该光电转换元件光电转换的电荷转移到该存储单元。13.根据权利要求12所述的电子设备，其中该电荷从该转移栅极转移到该基板上的存储单元。14.根据权利要求10所述的电子设备，还包括：浮置栅极、浮置扩散区域和复位栅极，其中该浮置栅极、该浮置扩散区域和该复位栅极的每一个均设置在该第一光屏蔽部和该第二光屏蔽部之间。15.根据权利要求10所述的电子设备，还包括：第三光屏蔽部，形成在该单位像素的后表面，其中该第三光屏蔽部形成为实质上等于该第一光屏蔽部和该第二光屏蔽部之间的间隙。16.根据权利要求10所述的电子设备，其中该第一光屏蔽部和该第二光屏蔽部的至少一部分形成为从上基板表面向下延伸且在深度方向上实质上穿过该基板的中间。17.根据权利要求16所述的电子设备，还包括：第三光屏蔽部，交替地设置在该第一光屏蔽部和该第二光屏蔽部之间。18.根据权利要求10所述的电