成像元件及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107658322A(43)申请公布日2018.02.02(21)申请号201710981135.4(22)申请日2013.11.01(30)优先权数据2012-2475812012.11.09JP(62)分案原申请数据201310533749.82013.11.01(71)申请人索尼公司地址日本东京都(72)发明人武田健(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105代理人张邦帅(51)Int.Cl.H01L27/146(2006.01)权利要求书2页说明书19页附图20页(54)发明名称成像元件及其制造方法(57)摘要一种固态图像传感器，包括：基板，其中设有光电转换元件，光电转换元件将入射光量转换成电荷量；存储单元，设置在光电转换元件的一侧，存储单元接收来自光电转换元件的电荷量；第一光屏蔽部，形成在存储单元的第一侧，且设置在电荷累积区域和光电转换元件之间；以及第二光屏蔽部，形成在存储单元的第二侧，第二侧与第一侧相对。CN107658322ACN107658322A权利要求书1/2页1.一种成像装置，包括：基板，其中设有至少第一光电转换元件和第二光电转换元件；存储器，设置在第一光电转换元件和第二光电转换元件之间，所述存储器接收来自第一光电转换元件的电荷量；第一光屏蔽部，设置在基板中，并位于存储器和第一光电转换元件之间；第二光屏蔽部，设置在基板中，并位于存储器和第二光电转换元件之间；以及第三光屏蔽部，在基板的光入射表面处布置在存储器上，并至少从第一光屏蔽部延伸到第二光屏蔽部。2.如权利要求1所述的成像装置，还包括：转移栅极，至少部分地设置在第一光电转换元件的区域中，该转移栅极将由第一光电转换元件光电转换的电荷量转移到该存储器，其中配线层通过该第一光屏蔽膜将该转移栅极连接到该存储器。3.如权利要求1所述的成像装置，还包括：转移栅极，至少部分地设置在该第一光屏蔽膜的开口中，该转移栅极将由第一光电转换元件光电转换的电荷量转移到该存储器。4.如权利要求3所述的成像装置，其中，电荷从该转移栅极转移到该基板上的该存储器。5.一种成像装置，包括：基板，其中设有至少第一光电转换元件和第二光电转换元件；存储器，设置在第一光电转换元件和第二光电转换元件之间，所述存储器接收来自第一光电转换元件的电荷量；第一光屏蔽部，设置在存储器和第一光电转换元件之间；第二光屏蔽部，设置在存储器和第二光电转换元件之间；第三光屏蔽部，布置在基板的光入射表面处；浮置栅极；浮置扩散区域；以及复位栅极，其中该浮置栅极、该浮置扩散区域和该复位栅极的每一个均设置在该第一光屏蔽部和该第二光屏蔽部之间，其中，在剖视图中，存储器由第一光屏蔽部、第二光屏蔽部和第三光屏蔽部围绕。6.如权利要求1所述的成像装置，其中，该第一光屏蔽部的一部分和该第二光屏蔽部的一部分中的至少之一形成为从上基板表面向下延伸且在深度方向上实质上穿透该基板的中间。7.如权利要求1所述的成像装置，其中，由第一光电转换部接收的光入射到基板的后表面。8.一种成像装置，包括：基板，其中设有至少第一光电转换元件和第二光电转换元件；存储器，设置在第一光电转换元件和第二光电转换元件之间，所述存储器接收来自第一光电转换元件的电荷量；2CN107658322A权利要求书2/2页第一光屏蔽部，设置在存储器和第一光电转换元件之间；第二光屏蔽部，设置在存储器和第二光电转换元件之间；浮置栅极；浮置扩散区域；以及复位栅极，其中，该浮置栅极、该浮置扩散区域和该复位栅极的每一个均设置在该第一光屏蔽部和该第二光屏蔽部之间。9.如权利要求8所述的成像装置，还包括：转移栅极，至少部分地设置在第一光电转换元件的区域中，该转移栅极将由第一光电转换元件光电转换的电荷量转移到该存储器，其中配线层通过该第一光屏蔽膜将该转移栅极连接到该存储器。10.如权利要求8所述的成像装置，还包括：转移栅极，至少部分地设置在该第一光屏蔽膜的开口中，该转移栅极将由第一光电转换元件光电转换的电荷量转移到该存储器。11.如权利要求10所述的成像装置，其中，电荷从该转移栅极转移到该基板上的该存储器。12.如权利要求8所述的成像装置，还包括：浮置栅极、浮置扩散区域和复位栅极，其中该浮置栅极、该浮置扩散区域和该复位栅极的每一个均设置在该第一光屏蔽部和该第二光屏蔽部之间。13.如权利要求8所述的成像装置，其中，该第一光屏蔽部的一部分和该第二光屏蔽部的一部分中的至少之一形成为从上基板表面向下延伸且在深度方向上实质上穿透该基板的中间。14.如权利要求8所述的成像装置，其中，由第一光电转换部接收的光入射到基板的后表面。3CN107658322A说明书1/19页成像元件及其制造方法[0001]本申请是申请日为2013年1