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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106783128A(43)申请公布日2017.05.31(21)申请号201611191110.6(51)Int.Cl.(22)申请日2016.12.21H01F41/02(2006.01)H01F1/057(2006.01)(71)申请人包头稀土研究院H01F1/08(2006.01)地址014030内蒙古自治区包头市稀土高B22F9/04(2006.01)新区黄河大街36号B22F3/02(2006.01)申请人瑞科稀土冶金及功能材料国家工程B22F3/10(2006.01)研究中心有限公司包头云捷电炉厂(72)发明人鲁飞孙良成刘小鱼杨占峰陈蓓新刘树峰邢正茂张刚李慧白洋王峰李静雅郑天仓(74)专利代理机构北京康盛知识产权代理有限公司11331代理人张良权利要求书2页说明书5页(54)发明名称制备低重稀土高矫顽力钕铁硼磁体的方法(57)摘要本发明公开了一种制备低重稀土高矫顽力钕铁硼磁体的方法,包括:配料、熔炼、速凝铸片;采用物理气相沉积方法,在惰性气氛下将重稀土粒子或者高熔质粒子沉积在钕铁硼薄片上;进行破碎制粉、取向成型、烧结热处理,制备钕铁硼磁体。本发明可使钕铁硼磁体矫顽力显著提高,细化磁体晶粒,大幅降低重稀土元素使用量。CN106783128ACN106783128A权利要求书1/2页1.一种制备低重稀土高矫顽力钕铁硼磁体的方法,包括:配料、熔炼、速凝铸片;采用物理气相沉积方法,在惰性气氛下将重稀土粒子或者高熔质粒子沉积在钕铁硼薄片上;进行破碎制粉、取向成型、烧结热处理,制备钕铁硼磁体。2.如权利要求1所述制备低重稀土高矫顽力钕铁硼磁体的方法,其特征在于:重稀土粒子采用Dy或者Tb元素的粒子,高熔质粒子采用W、Mo、V、Ti、Ta、Zr、Nb、Co、Cr或者Ga元素的粒子。3.如权利要求1所述制备低重稀土高矫顽力钕铁硼磁体的方法,其特征在于:惰性气氛采用真空、充入氩气或充入氦气。4.如权利要求1所述制备低重稀土高矫顽力钕铁硼磁体的方法,其特征在于:物理气相沉积的温度为300~500℃,沉积速率为0.01~50μm/min。5.如权利要求1至4任一项所述制备低重稀土高矫顽力钕铁硼磁体的方法,其特征在于,沉积微量重稀土粒子的步骤包括:选择所需重稀土靶材;将钕铁硼合金薄片和重稀土靶材置于物理气相沉积装置内;抽真空至真空度高于2.0×10-2Pa,充入氩气至0.2~1.0Pa;调节参数,对钕铁硼薄片加热,加热温度300~500℃;开启物理气相沉积装置,利用物理气相沉积将靶材粒子沉积在钕铁硼薄片上;停止物理气相沉积,待钕铁硼薄片温度降至室温后取出;将制得的钕铁硼薄片破碎制粉、取向压制成型、真空烧结、回火热处理,获得最终钕铁硼磁体。6.如权利要求5所述制备低重稀土高矫顽力钕铁硼磁体的方法,其特征在于:物理气相沉积采用磁控溅射沉积、离子镀沉积或者蒸发源沉积;粒子沉积速率为0.01~50μm/min。7.如权利要求6所述制备低重稀土高矫顽力钕铁硼磁体的方法,其特征在于:重稀土靶材为Dy或Tb中至少一种元素的纯金属、合金或氧化物。8.如权利要求1至4任一项所述制备低重稀土高矫顽力钕铁硼磁体的方法,其特征在于,沉积高熔质粒子的步骤包括:选择所需高熔质靶材;将钕铁硼合金薄片和高熔质靶材分别置于物理气相沉积装置内;抽真空至真空度高于2.0×10-2Pa,充入氩气至0.2~1.0Pa;调节参数,对钕铁硼薄片加热,加热温度300~500℃;开启物理气相沉积装置,利用物理气相沉积将靶材粒子沉积在钕铁硼薄片上;停止物理气相沉积,待钕铁硼薄片温度降至室温后取出;将制得的钕铁硼薄片破碎制粉、取向压制成型、真空烧结、回火热处理,获得最终钕铁硼磁体。9.如权利要求8所述制备低重稀土高矫顽力钕铁硼磁体的方法,其特征在于:高熔质靶材采用W、Mo、V、Ti、Ta、Zr、Nb、Co、Cr或者Ga中至少一种元素的纯金属、合金或氧化物。10.如权利要求8所述制备低重稀土高矫顽力钕铁硼磁体的方法,其特征在于:物理气2CN106783128A权利要求书2/2页相沉积采用磁控溅射沉积、离子镀沉积或者蒸发源沉积,粒子沉积速率为0.01~50μm/min。3CN106783128A说明书1/5页制备低重稀土高矫顽力钕铁硼磁体的方法技术领域[0001]本发明涉及一种稀土永磁材料制备技术,具体说,涉及一种制备低重稀土高矫顽力钕铁硼磁体的方法。背景技术[0002]钕铁硼永磁材料是我国稀土行业最为关注的稀土应用产业,随着科学技术的发展和技术的进步对高性能钕铁硼永磁材料的需求日益广泛。众所周知,为了提高钕铁硼的矫顽力和高温使用性,通常采用的方法是加入少量重稀土元素(如Dy、Tb等)或优化工艺细化磁体晶粒。[000