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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109451716A(43)申请公布日2019.03.08(21)申请号201811294909.7(22)申请日2018.11.01(71)申请人横店集团东磁股份有限公司地址322118浙江省金华市东阳市横店镇工业区(72)发明人毛石武顾小建关旺赵俊朱权(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332代理人巩克栋(51)Int.Cl.H05K9/00(2006.01)权利要求书2页说明书16页(54)发明名称一种电磁屏蔽片及其制备方法和应用(57)摘要本发明提供了一种电磁屏蔽片,所述电磁屏蔽片包括纳米晶屏蔽片,所述纳米晶屏蔽片的表面上设置有顶针冲压形成的蜂窝状图形,所述顶针形状内切圆的直径为50~90μm;本发明还提供了所述电磁屏蔽片的制备方法:选取纳米晶屏蔽片,对纳米晶屏蔽片依次进行图形化处理、退火处理、单面覆胶处理、碎片化处理与绝缘化填充处理;根据工艺需要还可将多个所述经绝缘化填充的电磁屏蔽片进行贴合。本处理方法工艺简单,成本低廉且处理后的电磁屏蔽片具有良好的磁导率,能够降低涡流损耗,有效提高电磁屏蔽片的性能。CN109451716ACN109451716A权利要求书1/2页1.一种电磁屏蔽片,其特征在于,包括纳米晶屏蔽片;所述纳米晶屏蔽片的表面上设置有顶针冲压形成的蜂窝状图形;所述顶针形状内切圆的直径为50-90μm。2.根据权利要求1所述的电磁屏蔽片,其特征在于,所述纳米晶屏蔽片的长度为40-80mm,优选为60mm;优选地,所述纳米晶屏蔽片的宽度为40-80mm,优选为60mm;优选地,所述纳米晶屏蔽片的厚度为10-50μm,优选为15-25μm;优选地,所述顶针的轴间距为500-5000μm,优选为1000-3000μm;优选地,所述顶针形状包括圆形、正方形或六边体形中的任意一种或至少两种的组合,优选为六边体形;优选地,所述顶针的数量为256-25600根,优选为2560-21000根;优选地,所述顶针形状内切圆的直径为60-80μm。3.根据权利要求1或2所述的电磁屏蔽片,其特征在于,所述纳米晶屏蔽片的表面布满裂纹;优选地,所述裂纹形成的碎片大小为0.2-10mm,优选为0.5-8mm;优选地,所述电磁屏蔽片包括1-20层所述纳米晶屏蔽片,优选为2-10层纳米晶屏蔽片。4.根据权利要求1-3的任一项所述的电磁屏蔽片,其特征在于,所述电磁屏蔽片包括绝缘粉末;优选地,所述绝缘粉末填充于所述蜂窝状图形的内部;优选地,所述绝缘粉末填充于所述裂纹的内部。5.根据权利要求1-3所述的电磁屏蔽片的制备方法,其特征在于,所述电磁屏蔽片的制备方法包括如下步骤:(1)图形化处理纳米晶屏蔽片,得到图形化纳米晶屏蔽片;(2)退火处理步骤(1)所述图形化纳米晶屏蔽片,得到退火纳米晶屏蔽片;(3)单面覆胶处理步骤(2)所述退火纳米晶屏蔽片,得到覆胶保护纳米晶屏蔽片;(4)碎片化处理步骤(3)所述覆胶保护纳米晶屏蔽片,得到裂纹纳米晶屏蔽片;(5)绝缘化填充步骤(4)所述裂纹纳米晶屏蔽片,得到电磁屏蔽片。6.根据权利要求4所述的电磁屏蔽片的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述退火处理的退火温度为500-600℃,优选为550-580℃;优选地,步骤(2)所述退火处理的保温时间为60-120min,优选为90-110min;优选地,步骤(3)所述单面覆胶处理使用的胶体包括硅胶、树脂、亚克力胶或PU胶,优选为硅胶;优选地,步骤(3)所述单面覆胶处理后胶体的厚度为3-20μm,优选为3-15μm;优选地,步骤(3)所附单面覆胶处理的方法包括浸胶、涂布或粘合,优选为涂布;优选地,步骤(4)所述碎片化处理的压力为10-30MPa,优选为10-25MPa,进一步优选为13MPa。7.根据权利要求4所述的电磁屏蔽片的制备方法,其特征在于,步骤(5)所述绝缘化填充包括如下步骤:用绝缘粉末填充裂纹纳米晶片屏蔽片的裂纹;优选地,所述绝缘粉末包括聚丙烯酸酯、聚氨酯、环氧树脂、二氧化硅、氧化锆或氧化铝2CN109451716A权利要求书2/2页中的任意一种或至少两种的组合;优选地,所述绝缘粉末的粒径为10-300nm,优选为100-150nm;优选地,所述填充的温度为19-45℃,优选为20-35℃;优选地,所述填充的速度为1-3m/min,优选为1-2m/min;优选地,所述填充的过程还包括超声辅助和/或微波辅助,优选为超声辅助;优选地,所述超声辅助的超声频率为28-40kHz,优选为30-36kHz。8.根据权利要求4所述的电磁屏蔽片的制备方法,其特征在于,所述方法还包括步骤(5)后的步骤(6):贴合电磁屏蔽片,得到电磁屏蔽片产品;优选地,所述电磁屏蔽片产品的所述电磁屏蔽片的层数