改善PERC高效电池片外观小白点的退火工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107256907A(43)申请公布日2017.10.17(21)申请号201710470048.2(22)申请日2017.06.20(71)申请人常州亿晶光电科技有限公司地址213000江苏省常州市金坛市尧塘镇金武路18号(72)发明人徐泽宇孙铁囤姚伟忠(74)专利代理机构常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙)32258代理人郑云(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)权利要求书1页说明书2页(54)发明名称改善PERC高效电池片外观小白点的退火工艺(57)摘要本发明涉及太阳能电池片技术领域，尤其是一种改善PERC高效电池片外观小白点的退火工艺，该退火工艺包括以下步骤：a：将炉管温度调低为550℃，然后将硅片放入炉管内，随后通入5000±1000sccm氧气，与硅片表面杂质发生氧化反应；b:再向炉管内通入5000±1000sccm氮气进行吹扫，去除硅片表面杂质；c：将炉管内温度提升至700±20℃，然后通入1000sccm氮气用以保护硅片表面，避免二次污染；d：硅片出炉管后降温至550℃，本发明在常规退火工艺去水汽的基础上，能够再次去除硅片表面杂质，并更好的保护硅片表面。CN107256907ACN107256907A权利要求书1/1页1.一种改善PERC高效电池片外观小白点的退火工艺，其特征在于：该退火工艺包括以下步骤：a：将炉管温度调低为550℃，然后将硅片放入炉管内，随后通入5000±1000sccm氧气，与硅片表面杂质发生氧化反应；b:再向炉管内通入5000±1000sccm氮气进行吹扫，去除硅片表面杂质；c：将炉管内温度提升至700±20℃，然后通入1000sccm氮气用以保护硅片表面，避免二次污染；d：硅片出炉管后降温至550℃。2CN107256907A说明书1/2页改善PERC高效电池片外观小白点的退火工艺技术领域[0001]本发明涉及太阳能电池片技术领域，尤其是一种改善PERC高效电池片外观小白点的退火工艺。背景技术[0002]常规退火是高温去除水汽，增加氧化铝的致密性，目前采用同一温度进出炉管，导致硅片表面在退火炉管中无法充分形成保护膜,电池片表面容易粘附环境中的杂质灰尘，造成电池片表面有小白点的情况的产生,影响功率。发明内容[0003]本发明要解决的技术问题是：为了解决现有技术电池片在高温去水汽的退火工艺中，电池片表面容易产生小白点的问题，现提供一种改善PERC高效电池片外观小白点的退火工艺。[0004]本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种改善PERC高效电池片外观小白点的退火工艺，该退火工艺包括以下步骤：[0005]a：将炉管温度调低为550℃，然后将硅片放入炉管内，随后通入5000±1000sccm氧气，与硅片表面杂质发生氧化反应；[0006]b:再向炉管内通入5000±1000sccm氮气进行吹扫，去除硅片表面杂质；[0007]c：将炉管内温度提升至700±20℃，然后通入1000sccm氮气用以保护硅片表面，避免二次污染；[0008]d：硅片出炉管后降温至550℃。[0009]本发明的有益效果是：本发明在常规退火工艺去水汽的基础上，能够再次去除硅片表面杂质，并更好的保护硅片表面。具体实施方式[0010]实施例1[0011]一种改善PERC高效电池片外观小白点的退火工艺，该退火工艺包括以下步骤：[0012]a：将炉管温度调低为550℃，然后将硅片放入炉管内，随后通入5000±1000sccm氧气，与硅片表面杂质发生氧化反应；[0013]b:再向炉管内通入5000±1000sccm氮气进行吹扫，去除硅片表面杂质；[0014]c：将炉管内温度提升至700±20℃，然后通入1000sccm氮气用以保护硅片表面，避免二次污染；[0015]d：硅片出炉管后降温至550℃。[0016]对比例1[0017]常规硅片退火工艺高温去水汽，具体如下：硅片进入炉管后，炉管内保持恒定温度，并通入氮气。3CN107256907A说明书2/2页[0018]用上述对比例1中的工艺制备30000片硅片和实施例1中的工艺制备1600片硅片，硅片上具有小白点的数量如表1：[0019]表1[0020]类型产量小白点数量小白点比例对比例1300002790.93％实施例1160040.25％[0021]通过表1可以看出：小白点情况有明显改善，有效的提高了硅片的成品率。[0022]用上述对比例1中的工艺及实施例1中的工艺分别制备2000片硅片，硅片的参数性能对比表如表2：[0023]表2[0024][0025]表2中：以对比例1正常的功率为基准点，高于对比例1正常功率为正值，低于对比例1正常功率为负值；[0026]结合表2，实施例1中