一种CZ直拉法硅单晶炉副室取棒装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107299389A(43)申请公布日2017.10.27(21)申请号201710729049.4(22)申请日2017.08.23(71)申请人马四海地址230000安徽省合肥市新站区新蚌埠路3768号佳海工业城一期D84D85幢(72)发明人马四海张笑天马青(74)专利代理机构安徽合肥华信知识产权代理有限公司34112代理人刘跃(51)Int.Cl.C30B15/00(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称一种CZ直拉法硅单晶炉副室取棒装置(57)摘要本发明公开了一种CZ直拉法硅单晶炉副室取棒装置，包括有基座，其特征在于：所述基座上架设有固定框架，所述固定框架上设有可升降的升降平台，所述升降平台由其底端的液压缸驱动，所述升降平台上安装有伸缩臂，所述伸缩臂由其后端的丝杆驱动，所述伸缩臂的前端安装有抱夹装置。本发明结构设计合理，通过抱夹装置上的丝杆的进动伸缩带动抱夹的张与合，来抱紧、松开单晶硅棒，很好地解决了在狭长的有限空间内抱夹晶棒以及大尺寸硅单晶炉副室取棒的难题，可根据需要进行实时调节，方便操作控制，人工省时省力，取棒效率高。CN107299389ACN107299389A权利要求书1/1页1.一种CZ直拉法硅单晶炉副室取棒装置，包括有基座，其特征在于：所述基座上架设有固定框架，所述固定框架上设有可升降的升降平台，所述升降平台由其底端的液压缸驱动，所述升降平台上安装有伸缩臂，所述伸缩臂由其后端的丝杆驱动，所述伸缩臂的前端安装有抱夹装置。2.根据权利要求1所述的CZ直拉法硅单晶炉副室取棒装置，其特征在于：所述的基座的底端安装有行走轮，所述基座上分布有可升降的支撑杆。3.根据权利要求1所述的CZ直拉法硅单晶炉副室取棒装置，其特征在于：所述的升降平台的四个拐角分别设有导向轮，所述导向轮与固定框架立柱上的导轨导向配合。4.根据权利要求1所述的CZ直拉法硅单晶炉副室取棒装置，其特征在于：所述固定框架的上端部分别安装有两相对应的固定梁，所述固定梁上分别安装有滑轮，所述滑轮中有钢丝绳绕过，所述钢丝绳的一端固定在升降平台上，另一端固定在液压缸的缸体固定板上。5.根据权利要求4所述的CZ直拉法硅单晶炉副室取棒装置，其特征在于：所述的滑轮为四个，两两对称设置在固定梁上，所述的液压缸为两个。6.根据权利要求1所述的CZ直拉法硅单晶炉副室取棒装置，其特征在于：所述的抱夹装置包括有安装在伸缩臂前端的固定板，所述固定板上安装有上下间隔成列设置的抱夹，所述抱夹分别包括有两相互对应设置的左、右夹爪，所述左、右夹爪的两端分别通过槽形连杆连接，所述槽形连杆的两端拐角处分别通过转销铰接在固定座上，所述固定座安装在固定板上，所述槽形连杆的中部通过顶杆与固定板导向配合，且顶杆上套装有与固定板旋合的中空的丝杆管，且顶杆的端部安装有限位板。7.根据权利要求6所述的CZ直拉法硅单晶炉副室取棒装置，其特征在于：所述的抱夹为三个，上下间隔设置。8.根据权利要求6所述的CZ直拉法硅单晶炉副室取棒装置，其特征在于：所述的槽形连杆的内拐角处设有用于连接相邻连杆的弧形加固拐臂。2CN107299389A说明书1/3页一种CZ直拉法硅单晶炉副室取棒装置[0001]技术领域：本发明涉及机械设计领域，主要涉及一种CZ直拉法硅单晶炉副室取棒装置。[0002]背景技术：硅单晶炉是一种软轴提拉型单晶炉，在惰性气体的保护环境中，以高纯的石墨电阻加热器，将半导体多晶硅高温融化，用直拉法的方式生长出一种无位错的单晶硅棒。但是单晶硅生长的条件要求十分地苛刻，从原料、热场、控制系统、保护性气体、设备、石英坩埚等等，每一个环节都必须认真地做到位。[0003]硅单晶炉的真空环境主要由主炉室、炉盖、副炉室等组成，主炉室的结构是宽大、扁短，空间比较的宽敞，对于副炉室的结构特点是深长、空间相对比较狭小。对于一些硅单晶炉的副室、炉盖、主室三者是可以分离的。对于生长出的硅单晶棒要从硅单晶炉内取出，需要将单晶硅棒提拉上升到副室筒内，将炉盖与主室用翻板阀隔离上下空间。然后将副室升起与炉盖分离，最后旋转副室到一边缓慢下降硅棒将硅棒用硅棒转移装置转移。[0004]目前市场上CZ直拉法硅单晶炉生长的硅单晶棒的尺寸在6-8英寸。随着技术的进步对于单晶硅棒的直径尺寸要求越来越大，目前生长的12英寸以上的硅单晶棒的单晶炉设备，对于一些大尺寸硅单晶炉（12英寸以上硅单晶棒的单晶炉）副室与炉盖不可以分开，这样会出现正常生产过程中拉制硅单晶A/B两段的情况下，无法在正常生产过程中将副室移开单独取下硅单晶A棒带来难题。在这样的实际背景下，针对地设计一种新型硅单晶炉副室取棒装置。[0005]发明内容：本