一种直拉硅单晶炉晶棒直径检测方法及其装置.pdf
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一种直拉硅单晶炉晶棒直径检测方法及其装置.pdf
本发明涉及一种直拉硅单晶炉晶棒直径检测方法及其装置,其中装置包括双目图像采集模块(11)、识别模块(12)和检测模块(13);方法包括采集左右图像;分别识别左右图像内同一边界点对应的左右像点,按三角法计算空间位置坐标,再经矩阵转换改为液面为Z=0的世界坐标后将对应x,y坐标代入方程
直拉硅单晶炉装置及硅单晶拉制方法.pdf
本发明提供了一种提高单晶硅纯度的直拉单晶硅炉装置以及单晶硅拉制方法,该单晶炉装置的特征在于,在炉腔(16)中硅熔体(14)的上方设置一个两端开口长筒形的罩体(5),所述罩体(5)的上端设置于炉腔的上部,开口正对着副室,或设置于副室(1)内,罩体(5)与硅熔体(14)液面接近的一端与硅熔体(14)液面具有一间距。在单晶硅拉制过程中,将惰性气体从副室(1)流向罩体(5),再沿着罩体(5)从其下端流出,最终经排气口(12)排出。利用带有罩体的单晶炉装置以及拉制方法所得的单晶硅的纯度比现有技术的方法所得单晶的纯度
一种偏心的直拉硅单晶炉及其拉晶工艺.pdf
本发明涉及太阳能电池生产领域,一种偏心的直拉硅单晶炉,包括炉体、坩埚、籽晶杆,坩埚安装在炉体内部,坩埚内部装有熔融硅液,坩埚偏离坩埚轴中心线自转转动;籽晶杆安装在炉体内部,籽晶杆沿着自身轴中心线自转转动,籽晶杆沿着自身轴向相对所述坩埚可升降。本发明坩埚偏离坩埚轴中心线自转相当于增大了坩埚口径,因此对杂质的分离效果大于不偏心的坩埚。
一种CZ直拉法硅单晶炉副室取棒装置.pdf
本发明公开了一种CZ直拉法硅单晶炉副室取棒装置,包括有基座,其特征在于:所述基座上架设有固定框架,所述固定框架上设有可升降的升降平台,所述升降平台由其底端的液压缸驱动,所述升降平台上安装有伸缩臂,所述伸缩臂由其后端的丝杆驱动,所述伸缩臂的前端安装有抱夹装置。本发明结构设计合理,通过抱夹装置上的丝杆的进动伸缩带动抱夹的张与合,来抱紧、松开单晶硅棒,很好地解决了在狭长的有限空间内抱夹晶棒以及大尺寸硅单晶炉副室取棒的难题,可根据需要进行实时调节,方便操作控制,人工省时省力,取棒效率高。
直拉硅单晶炉的硅熔体液面位置及单晶棒直径的测量方法.pdf
本发明涉及一种硅单晶生产中的测量方法,旨在提供一种基于CCD测量的直拉硅单晶炉的硅熔体液面位置及单晶棒直径的测量方法。该方法包括:使用CCD摄像头获取单晶棒与硅熔体液面相交形成的光圈图像信号,并将信号经过模拟数字转换后传送至计算机系统;提取光圈图像中的图像边缘,得到光圈的椭圆形的像素坐标图;将像素坐标图椭圆形的边缘拟合成正圆;获取该正圆中心点的像素坐标位置;获取硅熔体液面高度数值和单晶棒直径的数值。通过本发明可以实时监控熔体液面的相对位置的变化,这一位置变化会对应CCD检测影像的像素变化,通过图像处理软件