一种降低纳米晶磁芯的剩磁的退火工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107345265A(43)申请公布日2017.11.14(21)申请号201710479921.4C22C38/02(2006.01)(22)申请日2017.06.22C22C38/04(2006.01)C22C38/06(2006.01)(71)申请人东莞市大忠电子有限公司C22C38/12(2006.01)地址523000广东省东莞市东城区温塘茶C22C38/16(2006.01)上工业大道16号C22C38/20(2006.01)(72)发明人梁文超李正中李经伟C22C38/22(2006.01)(74)专利代理机构东莞市华南专利商标事务所C22C38/24(2006.01)有限公司44215C22C38/26(2006.01)代理人姜华C22C38/28(2006.01)C22C38/32(2006.01)(51)Int.Cl.C22C38/34(2006.01)C21D1/26(2006.01)C22C38/38(2006.01)C21D6/00(2006.01)C21D9/00(2006.01)H01F1/147(2006.01)H01F41/02(2006.01)权利要求书2页说明书9页(54)发明名称一种降低纳米晶磁芯的剩磁的退火工艺(57)摘要本发明涉及高频逆变电源技术领域，具体涉及一种降低纳米晶磁芯的剩磁的退火工艺，包括如下步骤：（1）将纳米晶带材卷绕成环形纳米晶磁芯。（2）将纳米晶磁芯放入真空退火炉内进行热处理；（3）将热处理后的纳米晶磁芯放入真空退火炉内再次进行热处理。本发明的退火工艺用常规格退火炉把所要热处理的纳米晶磁芯通过两次相同热处理工艺以达到横磁炉降低纳米晶磁芯剩磁的电性要求，简化了热处理工艺，工艺简单，减少了生产设备投入，还可以节省电力成本25%以上，生产成本低。通过本发明的退火工艺制得的纳米晶磁芯具有稳定的磁导率和直流偏置能力，还具有高饱和磁感应强度、低损耗值、低矫顽力、耐高温等优点，综合性能优良。CN107345265ACN107345265A权利要求书1/2页1.一种降低纳米晶磁芯的剩磁的退火工艺，其特征在于：包括如下步骤：（1）将纳米晶带材卷绕成环形纳米晶磁芯；（2）将纳米晶磁芯放入真空退火炉内进行热处理；（3）将热处理后的纳米晶磁芯放入真空退火炉内再次进行热处理。2.根据权利要求1所述的一种降低纳米晶磁芯的剩磁的退火工艺，其特征在于：所述步骤（1）中，纳米晶带材的厚度为15-25μm，宽度为20-30mm。3.根据权利要求1所述的一种降低纳米晶磁芯的剩磁的退火工艺，其特征在于：所述步骤（1）中，纳米晶带材为铁基纳米晶带材，所述铁基纳米晶带材包括如下重量百分比的元素：Si：14%-16%、B：7%-9%、Nb：1%-3%、Cu：1.6%-1.8%、Zr：4%-6%、Al：0.5%-1.5%，余量为Fe。4.根据权利要求3所述的一种降低纳米晶磁芯的剩磁的退火工艺，其特征在于：所述铁基纳米晶带材还包括Ga：0.4%-0.8%、V：0.1%-0.5%、Ti：0.2%-0.6%、Mn：1%-3%、Cr：0.5%-1.5%、Mo：0.8%-1.2%、C：1.2%-1.4%、Ge：0.01%-0.05%、P：0.001%-0.005%、Vb：1.4%-1.8%、Ta：0.3%-0.7%和W：0.04%-0.08%。5.根据权利要求1所述的一种降低纳米晶磁芯的剩磁的退火工艺，其特征在于：所述步骤（1）中，纳米晶带材为铁镍基纳米晶带材，所述铁镍基纳米晶带材包括如下重量百分比的元素：Ni：15%-25%、Si：10%-12%、B：3%-5%、Nb：2%-4%、Cu：0.3%-0.5%、Co：4%-8%，余量为Fe。6.根据权利要求5所述的一种降低纳米晶磁芯的剩磁的退火工艺，其特征在于：所述铁镍基纳米晶带材还包括Ga：0.4%-0.8%、V：0.1%-0.5%、Ti：0.2%-0.6%、Mn：1%-3%、Cr：0.5%-1.5%、Mo：0.8%-1.2%、C：1.2%-1.4%、Ge：0.01%-0.05%、P：0.001%-0.005%、Vb：1.4%-1.8%、Ta：0.3%-0.7%和W：0.04%-0.08%。7.根据权利要求1所述的一种降低纳米晶磁芯的剩磁的退火工艺，其特征在于：所述步骤（2）和所述步骤（3）中，热处理的步骤为：经过110-130min把炉内温度从室温升温至640-660K；在643-663K保温15-25min后，用32-40min升温至750-770K；在753-773K保温35-45min后，用11-15min升温至790-810K；在793-813K保温55-65min后，用10-14min升