一种铁基纳米晶磁芯剩磁的热处理方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112951579A(43)申请公布日2021.06.11(21)申请号202110124185.7C21D1/74(2006.01)(22)申请日2021.01.29(71)申请人佛山市中研非晶科技股份有限公司地址528000广东省佛山市南海区里水和桂工业园B区顺景大道15号(72)发明人徐猛黄旭文肖育泳王秀帅谢双(74)专利代理机构广州科粤专利商标代理有限公司44001代理人谭健洪莫瑶江(51)Int.Cl.H01F41/02(2006.01)C21D6/00(2006.01)C21D1/04(2006.01)C21D1/26(2006.01)权利要求书2页说明书4页附图2页(54)发明名称一种铁基纳米晶磁芯剩磁的热处理方法(57)摘要本发明涉及一种铁基纳米晶磁芯剩磁的热处理方法，包括如下步骤，S1、铁基纳米晶带材表面做氧化膜处理；S2、使用恒张力卷绕机，将带材进行卷绕成磁芯；S3、使用气氛退火炉进行预退火处理；S4、复合磁场退火处理。通过采用上述技术方案，降低纳米晶磁芯剩磁Br值，提高抗直流特性，提高高频逆变变压器的稳定性，减小互感器电流的角差。CN112951579ACN112951579A权利要求书1/2页1.一种铁基纳米晶磁芯剩磁的热处理方法，其特征是：包括如下步骤：S1、铁基纳米晶带材表面做氧化膜处理；S2、使用恒张力卷绕机，将带材进行卷绕成磁芯；S3、使用气氛退火炉进行预退火处理；S4、复合磁场退火处理；其中，所述S3中，预退火的步骤为：a、经25‑35min将气氛退火炉的温度从室温升温至390‑410℃；b、在390‑410℃保温25‑35min后，用25‑35min升温至440‑460℃；c、在440‑460℃保温25‑35min后，控制气氛退火炉25‑35min内降温至190‑210℃，打开气氛退火炉的炉门，将纳米晶磁芯取出；d、从气氛退火炉取出的纳米晶磁芯，急冷处理至常温；其中，所述S4中，退火步骤为：a、经过55‑65min将气氛退火炉的温度从室温升温至510‑530℃；b、在510‑530℃保温45‑55min后，通过20‑30min升温至550‑560℃；c、在550‑560℃保温115‑125min后，控制气氛退火炉降温15‑25min后降温至490‑510℃；d、在此降温过程中，施加纵磁场处理,温度降到490‑510℃后关闭纵磁电流；e、再打开横磁场，在490‑510℃保温85‑95min后，控制气氛退火炉经55‑65min降温至190‑210℃；f、将纳米晶磁芯取出，急冷处理至常温。2.根据权利要求1所述的铁基纳米晶磁芯剩磁的热处理方法，其特征是：所述S3中，预退火的步骤为：a、经30min将气氛退火炉的温度从室温升温至400℃；b、在400℃保温30min后，用30min升温至450℃；c、在450℃保温30min后，控制气氛退火炉30min内降温至200℃，打开气氛退火炉的炉门，将纳米晶磁芯取出；d、从气氛退火炉取出的纳米晶磁芯，急冷处理至常温。3.根据权利要求1所述的铁基纳米晶磁芯剩磁的热处理方法，其特征是：所述S4中，退火步骤为：a、经过60min将气氛退火炉的温度从室温升温至520℃；b、在520℃保温50min后，通过25min升温至555℃；c、在555℃保温120min后，控制气氛退火炉降温20min后降温至500℃；d、在此降温过程中，施加纵磁处理,温度降到500℃后关闭纵磁电流；e、再打开横磁场，在500℃保温90min后，控制气氛退火炉经60min降温至200℃；f、将纳米晶磁芯取出，急冷处理至常温。4.根据权利要求1所述的铁基纳米晶磁芯剩磁的热处理方法，其特征是：所述S1中，将氧化镁与酒精两者1:1混合并均匀涂洒在铁基纳米晶带材的表面，在室温自然晾干。5.根据权利要求1所述的铁基纳米晶磁芯剩磁的热处理方法，其特征是：所述S2中，铁基纳米晶带材的厚度为12‑25um,宽度为5‑32mm。2CN112951579A权利要求书2/2页6.根据权利要求1所述的铁基纳米晶磁芯剩磁的热处理方法，其特征是：在执行所述S4步骤之前，在室温条件下，在气氛退火炉中充入惰性气体。7.根据权利要求1所述的铁基纳米晶磁芯剩磁的热处理方法，其特征是：所述S3和S4中的急冷处理为：将纳米晶磁芯放置在冷却架用强风急冷至常温8.根据权利要求1所述的铁基纳米晶磁芯剩磁的热处理方法，其特征是：所述S4中，纵磁场的电流控制在3‑5A，横磁场的电流控制在380‑400A。3CN112951579A说明书1/4页一种铁基纳米晶磁芯剩磁的热处理方法技术领域[0001]本发明涉及属于高频逆变电源的技术领域，具体涉及一种铁基纳米晶磁芯剩磁的