一种大载荷单晶导电铜母排的生产工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107366016A(43)申请公布日2017.11.21(21)申请号201710641928.1(22)申请日2017.07.31(71)申请人尚成荣地址241009安徽省芜湖市鸠江区褐山北路冶炼新村42幢3单元402室(72)发明人尚成荣(51)Int.Cl.C30B29/02(2006.01)C30B11/00(2006.01)H01B5/02(2006.01)H01B13/00(2006.01)B21C23/14(2006.01)权利要求书1页说明书3页(54)发明名称一种大载荷单晶导电铜母排的生产工艺(57)摘要本发明公开了一种大载荷单晶导电铜母排的生产工艺，包括以下步骤：将电解铜原料投放入封闭混合熔料炉中进行熔炼，然后投入微量添加组分，熔炼40～50分钟；向封闭混合熔料炉通氮气和一氧化碳的混合气体，将熔融混合物转移至上引连铸熔料炉中，通过虹吸作用使熔融混合物进入到上引连铸结晶器中，通过引拉装置将上引连铸结晶器中已结晶的导电铜杆从上引连铸结晶器的顶部引出，在单晶导电铜杆的表面均匀涂布抗氧化油脂，然后将涂布了抗氧化油脂的单晶导电铜杆送入到预热腔内，预热后输送至连续挤压成型机头中，制得单晶导电铜母排后浸入到抗氧化油脂进行冷却。本发明的生产过程连续性好、生产效率高，不会破坏单晶导电铜材的内在金相结构。CN107366016ACN107366016A权利要求书1/1页1.一种大载荷单晶导电铜母排的生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、将电解铜原料投放入封闭混合熔料炉中进行熔炼，熔炼温度为1100～1200摄氏度，当电解铜完全熔融后，继续熔炼15～20分钟；然后向熔融的铜液中投入微量添加组分；步骤二、在封闭混合熔料炉的底部设置通气进口，在封闭混合熔料炉的顶部设置通气出口，将加入了微量添加组分的熔融铜液保持在1080～1100摄氏度，熔炼40～50分钟；步骤三、通过通气进口向封闭混合熔料炉通氮气和一氧化碳的混合气体，氮气和一氧化碳的混合气体中一氧化碳与氮气的混合体积比为1/9；混合气体再由通气出口排出；步骤四、将封闭混合熔料炉中的熔融混合物转移至上引连铸熔料炉中，上引连铸熔料炉的加热温度为1080～1100摄氏度；然后通过虹吸作用使熔融混合物进入到上引连铸结晶器中，在上引连铸结晶器中通过冷却水系统进行冷却结晶，冷却水系统的进水温度不大于30摄氏度，冷却水系统的出水温度不大于45摄氏度；步骤五、通过引拉装置将上引连铸结晶器中已结晶的导电铜杆从上引连铸结晶器的顶部引出，并以每分钟100～120毫米的速度引拉导电铜杆制成单晶导电铜杆；步骤六、在单晶导电铜杆的表面均匀涂布抗氧化油脂，然后将涂布了抗氧化油脂的单晶导电铜杆送入到预热腔内，以每秒不大于20摄氏度的升温速率加热至350～380摄氏度；步骤七、将预热后的单晶导电铜杆输送至连续挤压成型机头中，通过连续挤压成型机头中的挤压轮挤压推送单晶导电铜杆，单晶导电铜杆在连续挤压成型机头中摩擦受热提高流动性，然后使单晶导电铜杆通过连续挤压成型模具从而塑形制得单晶导电铜母排；步骤八、将连续挤压成型的单晶导电铜母排浸入到步骤六中的抗氧化油脂，直至冷却至40摄氏度以下，然后将单晶导电铜母排表面的抗氧化油脂擦拭除去，再用少量工业酒精擦拭单晶导电铜母排的表面即可。2.根据权利要求1所述的一种大载荷单晶导电铜母排的生产工艺，其特征在于：在步骤三中，检测通气出口排出的混合气体中一氧化碳的浓度，当通气出口排出的混合气体中一氧化碳的体积为10%时，即可停止步骤三的操作而进行步骤四的操作。3.根据权利要求1所述的一种大载荷单晶导电铜母排的生产工艺，其特征在于：在步骤四中，上引连铸熔料炉中熔融混合物的深度为80～100厘米，上引连铸结晶器的下端与上引连铸熔料炉底部之间的间距为20～30厘米。4.根据权利要求1所述的一种大载荷单晶导电铜母排的生产工艺，其特征在于：在步骤七中，控制单晶导电铜杆在连续挤压成型机头中的最高温度不大于610摄氏度。5.根据权利要求1所述的一种大载荷单晶导电铜母排的生产工艺，其特征在于：在步骤八中，用于冷却单晶导电铜母排的抗氧化油脂中设置有若干冷却铜管，冷却水流经若干冷却铜管从而间接对抗氧化油脂进行冷却。2CN107366016A说明书1/3页一种大载荷单晶导电铜母排的生产工艺技术领域[0001]本发明涉及一种铜加工工艺技术领域，特别是一种大载荷单晶导电铜母排的生产工艺。背景技术[0002]单晶导电铜材是相对于多晶导电铜材而言的一种新型导体材料，由于在金属微观结构中取消了横向晶界，从而可以显著地提高导电铜材的导电性以及信号传递的保真性。单晶导电铜材的生产在工艺上主要采用定向凝固技术和连续铸造技术相结合的方法；现