一种单晶导电铜杆熔炼装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107354508A(43)申请公布日2017.11.17(21)申请号201710645102.2(22)申请日2017.08.01(71)申请人尚成荣地址241009安徽省芜湖市鸠江区褐山北路冶炼新村42幢3单元402室(72)发明人尚成荣(51)Int.Cl.C30B29/02(2006.01)C30B11/00(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种单晶导电铜杆熔炼装置(57)摘要本发明公开了一种单晶导电铜杆熔炼装置，包括上引连铸熔料炉和封闭混合熔料炉；所述封闭混合熔料炉的顶部设置有熔料炉封闭顶盖，所述熔料炉封闭顶盖上设置有还原气体排出管，所述封闭混合熔料炉的底部设置有还原气体鼓入管、熔融铜液导流管和导流管密封导套，所述熔融铜液导流管的下端位于所述上引连铸熔料炉中熔融铜液的液面下方；所述熔融铜液导流管匀速下降，使所述封闭混合熔料炉中的熔融铜液匀速流入所述上引连铸熔料炉中，且单位时间内所述熔融铜液导流管中流过的熔融铜液质量与单位时间内上引结晶器中流过的熔融铜液总质量相等。本发明能够实现单晶导电铜材中特定配方组成的添加成分的均匀添加和融合。CN107354508ACN107354508A权利要求书1/1页1.一种单晶导电铜杆熔炼装置，其特征在于：包括上引连铸熔料炉和封闭混合熔料炉（1）；所述上引连铸熔料炉包括顶部开口设置的加热熔融加料腔（2）和封闭设置的加热上引结晶腔（3），所述加热熔融加料腔（2）和所述加热上引结晶腔（3）水平连通，所述加热上引结晶腔（3）内竖直设置有若干上引结晶器（4），若干所述上引结晶器（4）的下端位于所述加热上引结晶腔（3）内，若干所述上引结晶器（4）的上端连接连铸机头；所述封闭混合熔料炉（1）设置于所述加热熔融加料腔（2）的上方，且所述封闭混合熔料炉（1）的顶部设置有熔料炉封闭顶盖（5），所述熔料炉封闭顶盖（5）上设置有还原气体排出管（6），所述封闭混合熔料炉（1）的底部设置有还原气体鼓入管（7）、熔融铜液导流管（8）和导流管密封导套（9），所述熔融铜液导流管（8）竖直设置于所述导流管密封导套（9）中，所述熔融铜液导流管（8）的上端位于所述封闭混合熔料炉（1）中，所述熔融铜液导流管（8）的下端位于所述加热熔融加料腔（2）中熔融铜液的液面下方；所述熔融铜液导流管（8）匀速下降，使所述封闭混合熔料炉（1）中的熔融铜液匀速流入所述加热熔融加料腔（2）中，且单位时间内所述熔融铜液导流管（8）中流过的熔融铜液质量与单位时间内若干所述上引结晶器（4）中流过的熔融铜液总质量相等，使所述加热熔融加料腔（2）中的熔融铜液的液面高度保持恒定。2.根据权利要求1所述的一种单晶导电铜杆熔炼装置，其特征在于：所述加热熔融加料腔（2）和所述加热上引结晶腔（3）之间设置有固液分离块（10），所述固液分离块（10）上设置有若干相互平行且水平设置的过滤通流孔（11），所述过滤通流孔（11）的两端分别连接所述加热熔融加料腔（2）和所述加热上引结晶腔（3）。3.根据权利要求1所述的一种单晶导电铜杆熔炼装置，其特征在于：所述加热熔融加料腔（2）的熔融铜液的液面上方还悬浮设置有木炭保温还原层（12）和石墨鳞片隔氧层（13），且所述木炭保温还原层（12）位于所述石墨鳞片隔氧层（13）的上方。4.根据权利要求1所述的一种单晶导电铜杆熔炼装置，其特征在于：所述封闭混合熔料炉（1）的外侧环绕设置有第一工频感应加热线圈（14），所述上引连铸熔料炉的外侧环绕设置有第二工频感应加热线圈（15）。5.根据权利要求1所述的一种单晶导电铜杆熔炼装置，其特征在于：所述熔融铜液导流管（8）的内侧面和所述导流管密封导套（9）的外侧面均设置有石墨密封润滑层；所述熔料炉封闭顶盖（5）上还设置有小料投放口，所述小料投放口中设置有投料口密封塞（16）。6.根据权利要求1所述的一种单晶导电铜杆熔炼装置，其特征在于：所述还原气体鼓入管（7）向所述封闭混合熔料炉（1）中通入氮气和一氧化碳按照1/9的体积比混合的混合气体；所述还原气体排出管（6）上设置有用检测一氧化碳浓度的一氧化碳检测器（17）。2CN107354508A说明书1/3页一种单晶导电铜杆熔炼装置技术领域[0001]本发明涉及一种铜加工设备技术领域，特别是一种单晶导电铜杆熔炼装置。背景技术[0002]单晶导电铜材是相对于多晶导电铜材而言的一种新型导体材料，由于在金属微观结构中取消了横向晶界，从而可以显著地提高导电铜材的导电性以及信号传递的保真性；在具体地延伸性和导电性方面，单晶导电铜材相较于多晶导电铜材杆，延伸率可以增加60%～80%，电阻率可以降低15%～20%，可以广泛应用于音像设备、高清晰度电视等电子信息