一种单晶导电铜杆上引连铸法生产工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107354507A(43)申请公布日2017.11.17(21)申请号201710641592.9(22)申请日2017.07.31(71)申请人尚成荣地址241009安徽省芜湖市鸠江区褐山北路冶炼新村42幢3单元402室(72)发明人尚成荣(51)Int.Cl.C30B29/02(2006.01)C30B11/02(2006.01)C22C1/10(2006.01)C22C9/01(2006.01)C22C32/00(2006.01)权利要求书1页说明书3页(54)发明名称一种单晶导电铜杆上引连铸法生产工艺(57)摘要本发明公开了一种单晶导电铜杆上引连铸法生产工艺，包括以下步骤：将电解铜原料投放入封闭混合熔料炉中进行熔炼，向熔融的铜液中投入铝锑合金粉末、氧化铕粉末和铍铝合金粉末，通过封闭混合熔料炉底部的通气进口向封闭混合熔料炉通氮气和一氧化碳的混合气体，混合气体再由封闭混合熔料炉顶部的通气出口排出；熔融混合物转移至上引连铸熔料炉中，通过虹吸作用使熔融混合物进入到上引连铸结晶器中，通过引拉装置将上引连铸结晶器中已结晶的导电铜杆从上引连铸结晶器的顶部引出，最后将制成的导电铜杆打包成卷。本发明生产加工的单晶导电铜杆相较于多晶导电铜材杆，延伸率可以增加60%～80%，电阻率可以降低15%～20%。CN107354507ACN107354507A权利要求书1/1页1.一种单晶导电铜杆上引连铸法生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、将100份的电解铜原料投放入封闭混合熔料炉中进行熔炼，熔炼温度为1100～1200摄氏度，当电解铜完全熔融后，继续熔炼15～20分钟；步骤二、向熔融的铜液中投入铝锑合金粉末0.6～0.7份、氧化铕粉末0.02～0.03份和铍铝合金粉末1.1～1.2份；铝锑合金粉末中锑元素的含量为25%～35%，其余为铝元素；铍铝合金粉末中铍元素的含量为60%～65%，其余为铝元素；步骤三、在封闭混合熔料炉的底部设置通气进口，在封闭混合熔料炉的顶部设置通气出口，将加入了铝锑合金粉末、氧化铕粉末和铍铝合金粉末的熔融的铜液保持在1080～1100摄氏度，熔炼40～50分钟；步骤四、通过通气进口向封闭混合熔料炉通氮气和一氧化碳的混合气体，氮气和一氧化碳的混合气体中一氧化碳与氮气的混合体积比为1/9；混合气体再由通气出口排出；步骤五、将封闭混合熔料炉中的熔融混合物转移至上引连铸熔料炉中，上引连铸熔料炉的加热温度为1080～1100摄氏度；然后通过虹吸作用使熔融混合物进入到上引连铸结晶器中，在上引连铸结晶器中通过冷却水系统进行冷却结晶，冷却水系统的进水温度不大于30摄氏度，冷却水系统的出水温度不大于45摄氏度；步骤六、通过引拉装置将上引连铸结晶器中已结晶的导电铜杆从上引连铸结晶器的顶部引出，并以每分钟100～120毫米的速度引拉导电铜杆，最后将制成的导电铜杆打包成卷。2.根据权利要求1所述的一种单晶导电铜杆上引连铸法生产工艺，其特征在于：在步骤二中，将向熔融的铜液中投入铝锑合金粉末0.7份、氧化铕粉末0.025份和铍铝合金粉末1.1份；铝锑合金粉末中锑元素的含量为30%，其余为铝元素；铍铝合金粉末中铍元素的含量为65%，其余为铝元素。3.根据权利要求1所述的一种单晶导电铜杆上引连铸法生产工艺，其特征在于：在步骤四中，检测通气出口排出的混合气体中一氧化碳的浓度，当通气出口排出的混合气体中一氧化碳的体积为10%时，即可停止步骤四的操作而进行步骤五的操作。4.根据权利要求1所述的一种单晶导电铜杆上引连铸法生产工艺，其特征在于：在步骤五中，上引连铸熔料炉中熔融混合物的深度为80～100厘米，上引连铸结晶器的下端与上引连铸熔料炉底部之间的间距为20～30厘米。2CN107354507A说明书1/3页一种单晶导电铜杆上引连铸法生产工艺技术领域[0001]本发明涉及一种铜加工工艺技术领域，特别是一种单晶导电铜杆上引连铸法生产工艺。背景技术[0002]单晶导电铜材是相对于多晶导电铜材而言的一种新型导体材料，由于在金属微观结构中取消了横向晶界，从而可以显著地提高导电铜材的导电性以及信号传递的保真性；在具体地延伸性和导电性方面，单晶导电铜材相较于多晶导电铜材杆，延伸率可以增加60%～80%，电阻率可以降低15%～20%，可以广泛应用于音像设备、高清晰度电视等电子信息相关领域。[0003]单晶导电铜材的生产在工艺上主要采用定向凝固技术和连续铸造技术相结合的方法；现有技术中单晶导电铜材主要通过水平连铸工艺进行加工生产，水平连铸工艺获得的铸坯中氧含量不易控制，生产的铸坯的合格率较低；且经水平连铸工艺生产的铸坯后续还需要经过轧制才能够获得成品。[0004]上引连铸工艺是目前铜杆生