石墨基体表面制备碳化硅晶须涂层的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107523877A(43)申请公布日2017.12.29(21)申请号201610452857.6C30B7/14(2006.01)(22)申请日2016.06.22(71)申请人张家港市山牧新材料技术开发有限公司地址215625江苏省苏州市张家港市锦丰镇合兴街道星火村山牧新材料技术开发有限公司(72)发明人范佳晨赵云龙徐丹徐凯徐再赵维达(74)专利代理机构常州市维益专利事务所(普通合伙)32211代理人陆华君(51)Int.Cl.C30B29/62(2006.01)C30B29/36(2006.01)权利要求书1页说明书3页(54)发明名称石墨基体表面制备碳化硅晶须涂层的方法(57)摘要本申请公开了一种石墨基体表面制备碳化硅晶须涂层的方法，包括步骤：(1)、将氯铂酸粉末溶解在无水乙醇中，制备催化剂溶液；(2)、将H-PSO溶液和催化剂溶液混合搅拌，获得混合溶液；(3)、将石墨基体浸渍在混合溶液中，然后进行交联反应；(4)、将交联产物置于高温管式炉中进行高温反应；(5)、通过浮选法去除未反应的活性炭和碳化硅颗粒，在石墨基体表面得到碳化硅晶须涂层。本发明所获得的碳化硅晶须涂层表现出良好的高温抗氧化性能，在氧化过程中，涂层表面微孔能够愈合。CN107523877ACN107523877A权利要求书1/1页1.一种石墨基体表面制备碳化硅晶须涂层的方法，其特征在于，包括步骤：(1)、将氯铂酸粉末溶解在无水乙醇中，制备催化剂溶液；(2)、将H-PSO溶液和催化剂溶液混合搅拌，获得混合溶液；(3)、将石墨基体浸渍在混合溶液中，然后进行交联反应；(4)、将交联产物置于高温管式炉中进行高温反应；(5)、通过浮选法去除未反应的活性炭和碳化硅颗粒，在石墨基体表面得到碳化硅晶须涂层。2.根据权利要求1所述的石墨基体表面制备碳化硅晶须涂层的方法，其特征在于：步骤(1)中，催化剂溶液的浓度为1.5～1.8％。3.根据权利要求1所述的石墨基体表面制备碳化硅晶须涂层的方法，其特征在于：步骤(3)中，浸渍压力为0.4～0.5MPa，浸渍时间为40～60分钟。4.根据权利要求1所述的石墨基体表面制备碳化硅晶须涂层的方法，其特征在于：步骤(3)中，100～110℃下进行交联反应20～30分钟。5.根据权利要求1所述的石墨基体表面制备碳化硅晶须涂层的方法，其特征在于：步骤(4)中，升温速率8～10℃/min，反应温度1800～2000℃，反应时间60～90min。6.根据权利要求1所述的石墨基体表面制备碳化硅晶须涂层的方法，其特征在于：步骤(5)中，获得的碳化硅晶须的直径为0.3～0.4μm，长径比50左右。2CN107523877A说明书1/3页石墨基体表面制备碳化硅晶须涂层的方法技术领域[0001]本申请涉及一种抗氧化涂层，特别是涉及一种石墨基体表面制备碳化硅晶须涂层的方法。背景技术[0002]碳化硅晶须是一种高模量、强度高、硬度大、耐磨、耐腐蚀、耐高温的轻质结构材料，主要用于制备陶瓷基、金属基、树脂基等复合材料，以提高材料的强度、硬度、抗磨等性能，在宇航、原子能、汽车、船舶、新材料、化学、电力、石油、电子、环境、机械、冶金等工业领域有着广泛的用途。目前，最普遍的应用是碳化硅晶须增强增韧氧化铝和氮化硅制做切削刀具、压模充头等。[0003]制备碳化硅晶须的方法有很多，最成熟的技术是以炭黑、氧化硅微粉或稻壳为原料，添加Fe、Co、Ni的单质或其化合物的一种或几种作催化剂，在石墨作发热体地电炉中加热至高温而合成。用常规加热电炉合成碳化硅晶须，不仅合成温度高、产率低，而且操作复杂，发热体成本高、损耗大。导致一是设备投资大；二是原料加热不均匀，晶须产量相对较低；三是晶须的生产成本高，质量相对不高；四是操作困难，制备过程中产生的挥发性气体常常影响高温电炉的正常连续生产。发明内容[0004]本发明的目的在于提供一种石墨基体表面制备碳化硅晶须涂层的方法，以克服现有技术中的不足。[0005]为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：[0006]本申请实施例公开一种石墨基体表面制备碳化硅晶须涂层的方法，包括步骤：[0007](1)、将氯铂酸粉末溶解在无水乙醇中，制备催化剂溶液；[0008](2)、将H-PSO溶液和催化剂溶液混合搅拌，获得混合溶液；[0009](3)、将石墨基体浸渍在混合溶液中，然后进行交联反应；[0010](4)、将交联产物置于高温管式炉中进行高温反应；[0011](5)、通过浮选法去除未反应的活性炭和碳化硅颗粒，在石墨基体表面得到碳化硅晶须涂层。[0012]优选的，在上述的石墨基体表面制备碳化硅晶须涂层的方法中，步骤(1)中，催化剂溶液的浓度为1.5～1.8％。[0013]优选的，在