碳化硅晶须抗氧化涂层的制备方法.pdf
冬易****娘子
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碳化硅晶须抗氧化涂层的制备方法.pdf
本申请公开了一种碳化硅晶须抗氧化涂层的制备方法,包括步骤:(1)、将氯铂酸粉末溶解在无水乙醇中,制备催化剂溶液;(2)、将H‑PSO溶液和催化剂溶液混合搅拌,获得混合溶液,调节混合溶液的pH值至8~9;(3)、在水浴中进行交联反应,获得交联产物;(4)、将交联产物磨成粉末;(5)、将石墨基体埋在步骤(4)的粉末中,在高温管式炉中进行高温反应。本发明方法成本低、简化工艺,并且表现出良好的高温抗氧化性能。
石墨基体表面制备碳化硅晶须涂层的方法.pdf
本申请公开了一种石墨基体表面制备碳化硅晶须涂层的方法,包括步骤:(1)、将氯铂酸粉末溶解在无水乙醇中,制备催化剂溶液;(2)、将H‑PSO溶液和催化剂溶液混合搅拌,获得混合溶液;(3)、将石墨基体浸渍在混合溶液中,然后进行交联反应;(4)、将交联产物置于高温管式炉中进行高温反应;(5)、通过浮选法去除未反应的活性炭和碳化硅颗粒,在石墨基体表面得到碳化硅晶须涂层。本发明所获得的碳化硅晶须涂层表现出良好的高温抗氧化性能,在氧化过程中,涂层表面微孔能够愈合。
一种碳化硅晶须的制备方法.pdf
本发明公开了一种碳化硅晶须的制备方法,将碳源和诱导剂碳纤维放入在高温炉中经过高温高压处理,晶须的生长过程中与杂质分离,从而得到高纯度的碳化硅晶须,包括:碳源的预制备——放入碳纤维——抽真空——充入高纯氩气作为保护气——加热——保温保压——碳化硅晶须生长完成。碳源的预制备包括以碳纳米管作为原料,放入坩埚中。或以二氧化硅和硅的混合粉末作为碳源,碳化1——2h,并加水研磨15——20分钟,烘干。真空度为3——5Pa,加热温度为1200——1500度,加热时间为10——15min。该发明工艺方法简单,并且得到的碳
一种碳化硅纳米晶须的制备方法.pdf
本发明公开了一种碳化硅纳米晶须的制备方法。其技术方案是:将10~40wt%的有机硅与60~90wt%的沥青有机溶剂可溶组分或树脂有机溶剂可溶组分溶解于溶剂中,所得溶液在250℃~450℃条件下共裂解2~6h,得到硅掺杂沥青或硅掺杂树脂。将硅掺杂沥青或硅掺杂树脂在700~900℃条件下炭化1~3h,得到硅掺杂沥青基炭材料或硅掺杂树脂基炭材料。将硅掺杂沥青基炭材料或硅掺杂树脂基炭材料研磨成细粉后装填在模具中,机压成型,脱模;将装有坯体的石墨坩埚置于高温炭化炉中,在惰性气氛中于1200~1800℃热处理1~3h
一种纯α碳化硅晶须的制备方法.pdf
一种纯α碳化硅晶须的制备方法,将质量百分比为80~99.5%碳化硅与0.5~20%铁粉或者镍粉均匀混合装入石墨坩埚内;将石墨坩埚装入中频感应烧结炉中,炉内压力小于103Pa,充入氩气至炉内压力大于4×104Pa;将石墨坩埚加热至2250~2600℃,碳纤维毡的辐射孔处的温度为1900~2100℃,抽气至气压在1×104~2×104Pa,保温0.5~4h,使晶须在碳纤维毡的开孔处通过气-液-固(VLS)机理进行形核生长;将气压充至0.6×105~1×105Pa,随炉冷却至室温,得到黄色、绿色或无色的碳化硅,