一种碳化硅单晶炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107523871A(43)申请公布日2017.12.29(21)申请号201610453000.6(22)申请日2016.06.22(71)申请人江苏拜尔特光电设备有限公司地址214264江苏省无锡市宜兴市芳桥街道工业集中区(72)发明人袁玉平闫鹏袁佳斌(74)专利代理机构宜兴市天宇知识产权事务所(普通合伙)32208代理人丁骞(51)Int.Cl.C30B29/36(2006.01)C30B15/00(2006.01)权利要求书1页说明书2页附图1页(54)发明名称一种碳化硅单晶炉(57)摘要本发明涉及一种碳化硅单晶炉，它包括坩埚，在所述坩埚上方设有坩埚盖，在所述坩埚底部设有旋转机构，在所述坩埚内设有物料室，在所述坩埚盖下端面设有籽晶，所述籽晶至少设置一个，在所述坩埚外部设有保温层，所述坩埚和坩埚盖都设在反应室内，在所述反应室外部设有感应线圈，所述感应线圈的分布高度占反应室高度的1/2-7/10，所述坩埚的内径长度占反应室内径长度的3/5-4/5，在所述反应室上设有压力控制装置和监测装置。本发明结构设置合理，控制精确，产品质量高。CN107523871ACN107523871A权利要求书1/1页1.一种碳化硅单晶炉，其特征在于：它包括坩埚（1），在所述坩埚（1）上方设有坩埚盖（2），在所述坩埚（1）底部设有旋转机构（3），在所述坩埚（1）内设有物料室（4），在所述坩埚盖（2）下端面设有籽晶（5），所述籽晶（5）至少设置一个，在所述坩埚（1）外部设有保温层（6），所述坩埚（1）和坩埚盖（2）都设在反应室（7）内，在所述反应室（7）外部设有感应线圈（8），所述感应线圈（8）的分布高度占反应室（7）高度的1/2-7/10，所述坩埚（1）的内径长度占反应室（7）内径长度的3/5-4/5，在所述反应室（7）上设有压力控制装置（9）和监测装置（10）。2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶炉，其特征在于：所述坩埚（1）和坩埚盖（2）都由石墨制成。3.根据权利要求1所述的碳化硅单晶炉，其特征在于：所述感应线圈（8）的分布高度占反应室（7）高度的3/5。4.根据权利要求1所述的碳化硅单晶炉，其特征在于：所述坩埚（1）的内径长度占反应室（7）内径长度的7/10。2CN107523871A说明书1/2页一种碳化硅单晶炉技术领域[0001]本发明涉及一种晶体生产装置，具体涉及一种碳化硅晶体生产装置。背景技术[0002]目前，碳化硅晶体生长装置的结构设置不合理，工作温度和压力不易控制，感应线圈不完全轴对称导致石墨坩埚产生的晶体生长温场不完全轴对称，从而产生不对称晶体生长。发明内容[0003]发明目的：本发明的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种结构设置合理，控制精确，产品质量高的碳化硅单晶炉。[0004]技术方案：为了解决上述技术问题，本发明所述的一种碳化硅单晶炉，它包括坩埚，在所述坩埚上方设有坩埚盖，在所述坩埚底部设有旋转机构，在所述坩埚内设有物料室，在所述坩埚盖下端面设有籽晶，所述籽晶至少设置一个，在所述坩埚外部设有保温层，所述坩埚和坩埚盖都设在反应室内，在所述反应室外部设有感应线圈，所述感应线圈的分布高度占反应室高度的1/2-7/10，所述坩埚的内径长度占反应室内径长度的3/5-4/5，在所述反应室上设有压力控制装置和监测装置。[0005]所述坩埚和坩埚盖都由石墨制成。[0006]所述感应线圈的分布高度占反应室高度的3/5。[0007]所述坩埚的内径长度占反应室内径长度的7/10。[0008]有益效果：本发明与现有技术相比，其显著优点是：本发明整体结构设置合理，采用分布高度占反应室高度3/5的对称感应线圈及设在坩埚外的保温层，使反应室内温度稳定，晶体对称生长，采用内径长度占反应室内径长度7/10的坩埚，保证晶体处于最稳定生产环境，设置压力控制装置和监测装置，控制精确。附图说明[0009]图1是本发明的结构示意图。具体实施方式[0010]下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明。[0011]如图1所示，本发明所述的一种碳化硅单晶炉，它包括坩埚1，在所述坩埚1上方设有坩埚盖2，在所述坩埚1底部设有旋转机构3，在所述坩埚1内设有物料室4，在所述坩埚盖2下端面设有籽晶5，所述籽晶5至少设置一个，在所述坩埚1外部设有保温层6，所述坩埚1和坩埚盖2都设在反应室7内，在所述反应室7外部设有感应线圈8，所述感应线圈8的分布高度占反应室7高度的3/5，所述坩埚1的内径长度占反应室7内径长度的7/10，在所述反应室7上设有压力控制装置9和监测装置10；所述坩埚1和坩埚盖2都由石墨制成。本发明整体结构设3CN107523871A说明书2/2页置合理，采用分布高度占反应室高度3/5的对