一种新型碳化硅单晶炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107523872A(43)申请公布日2017.12.29(21)申请号201610453106.6(22)申请日2016.06.22(71)申请人江苏拜尔特光电设备有限公司地址214264江苏省无锡市宜兴市芳桥街道工业集中区(72)发明人袁玉平闫鹏袁佳斌(74)专利代理机构宜兴市天宇知识产权事务所(普通合伙)32208代理人丁骞(51)Int.Cl.C30B29/36(2006.01)C30B23/00(2006.01)权利要求书1页说明书2页附图1页(54)发明名称一种新型碳化硅单晶炉(57)摘要本发明涉及一种新型碳化硅单晶炉，它包括坩埚，在所述坩埚上方设有坩埚盖，在所述坩埚底部内侧设有下晶体生长平台，在所述坩埚盖下端面上设有上晶体生长平台，在所述坩埚内侧壁上设有物料室，在所述坩埚底部外侧设有旋转机构，在所述坩埚外部设有保温层，所述坩埚和坩埚盖都设在反应室内，在所述反应室外部设有感应线圈，所述感应线圈的分布高度占反应室高度的2/3-4/5，所述坩埚的内径长度占反应室内径长度的3/5-4/5，在所述反应室上设有压力控制装置和监测装置。本发明结构设置合理，控制精确，产品质量高。CN107523872ACN107523872A权利要求书1/1页1.一种新型碳化硅单晶炉，其特征在于：它包括坩埚（1），在所述坩埚（1）上方设有坩埚盖（2），在所述坩埚（1）底部内侧设有下晶体生长平台（3），在所述坩埚盖（2）下端面上设有上晶体生长平台（4），在所述坩埚（1）内侧壁上设有物料室（5），在所述坩埚（1）底部外侧设有旋转机构（6），在所述坩埚（1）外部设有保温层（7），所述坩埚（1）和坩埚盖（2）都设在反应室（8）内，在所述反应室（8）外部设有感应线圈（9），所述感应线圈（9）的分布高度占反应室（8）高度的2/3-4/5，所述坩埚（1）的内径长度占反应室（8）内径长度的3/5-4/5，在所述反应室（8）上设有压力控制装置（10）和监测装置（11）。2.根据权利要求1所述的新型碳化硅单晶炉，其特征在于：所述坩埚（1）和坩埚盖（2）都由石墨制成。3.根据权利要求1所述的新型碳化硅单晶炉，其特征在于：所述感应线圈（9）的分布高度占反应室（8）高度的7/10。4.根据权利要求1所述的新型碳化硅单晶炉，其特征在于：所述坩埚（1）的内径长度占反应室（8）内径长度的7/10。2CN107523872A说明书1/2页一种新型碳化硅单晶炉技术领域[0001]本发明涉及一种晶体生产装置，具体涉及一种碳化硅晶体生产装置。背景技术[0002]目前，碳化硅晶体生长装置的结构设置不合理，工作温度和压力不易控制，感应线圈不完全轴对称导致石墨坩埚产生的晶体生长温场不完全轴对称，从而产生不对称晶体生长。发明内容[0003]发明目的：本发明的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种结构设置合理，控制精确，产品质量高的新型碳化硅单晶炉。[0004]技术方案：为了解决上述技术问题，本发明所述的一种新型碳化硅单晶炉，它包括坩埚，在所述坩埚上方设有坩埚盖，在所述坩埚底部内侧设有下晶体生长平台，在所述坩埚盖下端面上设有上晶体生长平台，在所述坩埚内侧壁上设有物料室，在所述坩埚底部外侧设有旋转机构，在所述坩埚外部设有保温层，所述坩埚和坩埚盖都设在反应室内，在所述反应室外部设有感应线圈，所述感应线圈的分布高度占反应室高度的2/3-4/5，所述坩埚的内径长度占反应室内径长度的3/5-4/5，在所述反应室上设有压力控制装置和监测装置。[0005]所述坩埚和坩埚盖都由石墨制成。[0006]所述感应线圈的分布高度占反应室高度的7/10。[0007]所述坩埚的内径长度占反应室内径长度的7/10。[0008]有益效果：本发明与现有技术相比，其显著优点是：本发明整体结构设置合理，采用分布高度占反应室高度7/10的对称感应线圈及设在坩埚外的保温层，使反应室内温度稳定，晶体对称生长，采用内径长度占反应室内径长度7/10的坩埚，保证晶体处于最稳定生产环境，将物料室设在坩埚内侧壁上，同时设置上、下晶体生长平台，大大提高生产效率，设置压力控制装置和监测装置，控制精确。附图说明[0009]图1是本发明的结构示意图。具体实施方式[0010]下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明。[0011]如图1所示，本发明所述的一种新型碳化硅单晶炉，它包括坩埚1，在所述坩埚1上方设有坩埚盖2，在所述坩埚1底部内侧设有下晶体生长平台3，在所述坩埚盖2下端面上设有上晶体生长平台4，在所述坩埚1内侧壁上设有物料室5，在所述坩埚1底部外侧设有旋转机构6，在所述坩埚1外部设有保温层7，所述坩埚1和坩埚盖2都设在反应室8内，在所述反应室8外部设有感应线圈9，所述感