一种碳化硅单晶炉用压力控制系统.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107523874A(43)申请公布日2017.12.29(21)申请号201610453225.1(22)申请日2016.06.22(71)申请人江苏拜尔特光电设备有限公司地址214264江苏省无锡市宜兴市芳桥街道工业集中区(72)发明人袁玉平闫鹏袁佳斌(74)专利代理机构宜兴市天宇知识产权事务所(普通合伙)32208代理人丁骞(51)Int.Cl.C30B29/36(2006.01)C30B35/00(2006.01)权利要求书1页说明书2页附图1页(54)发明名称一种碳化硅单晶炉用压力控制系统(57)摘要本发明涉及一种碳化硅单晶炉用压力控制系统，它包括反应室，在所述反应室一侧设有充气管路，另一侧设有主抽气管路和压力控制管路，在所述充气管路上设有充气阀和质量流量控制器，在所述主抽气管路上设有第一机械泵和第一抽气阀，在所述主抽气管路上设有分抽气管路，在所述分抽气管路上设有分子泵和第二抽气阀，在所述压力控制管路上设有压力传感器、压力控制阀、PID控制电路和第二机械泵，所述分抽气管路与压力控制管路相连。本发明控制精确，运行平稳。CN107523874ACN107523874A权利要求书1/1页1.一种碳化硅单晶炉用压力控制系统，其特征在于：它包括反应室（1），在所述反应室（1）一侧设有充气管路（2），另一侧设有主抽气管路（3）和压力控制管路（4），在所述充气管路（2）上设有充气阀（5）和质量流量控制器（6），在所述主抽气管路（3）上设有第一机械泵（7）和第一抽气阀（8），在所述主抽气管路（3）上设有分抽气管路（9），在所述分抽气管路（9）上设有分子泵（10）和第二抽气阀（11），在所述压力控制管路（4）上设有压力传感器（12）、压力控制阀（13）、PID控制电路（14）和第二机械泵（15），所述分抽气管路（9）与压力控制管路（4）相连。2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶炉用压力控制系统，其特征在于：所述分抽气管路（9）设在第一机械泵（7）和第一抽气阀（8）之间的主抽气管路上。3.根据权利要求1所述的碳化硅单晶炉用压力控制系统，其特征在于：所述分抽气管路（9）与压力传感器（12）前部的压力控制管路（4）相连。2CN107523874A说明书1/2页一种碳化硅单晶炉用压力控制系统技术领域[0001]本发明涉及一种压力控制系统，具体涉及一种单晶炉压力控制系统。背景技术[0002]碳化硅单晶生长中，载气一般使用氩气，不同的排气速度对生长晶体的多型有很大的影响。在确定生长时的温度梯度后，影响碳化硅单晶生长最重要的因素就是控制压力，但是目前的碳化硅单晶生长炉中还没有比较稳定、控制精确的压力控制系统。发明内容[0003]发明目的：本发明的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种控制精确，运行平稳的碳化硅单晶炉用压力控制系统。[0004]技术方案：为了解决上述技术问题，本发明所述的一种碳化硅单晶炉用压力控制系统，它包括反应室，在所述反应室一侧设有充气管路，另一侧设有主抽气管路和压力控制管路，在所述充气管路上设有充气阀和质量流量控制器，在所述主抽气管路上设有第一机械泵和第一抽气阀，在所述主抽气管路上设有分抽气管路，在所述分抽气管路上设有分子泵和第二抽气阀，在所述压力控制管路上设有压力传感器、压力控制阀、PID控制电路和第二机械泵，所述分抽气管路与压力控制管路相连。[0005]所述分抽气管路设在第一机械泵和第一抽气阀之间的主抽气管路上。[0006]所述分抽气管路与压力传感器前部的压力控制管路相连。[0007]有益效果：本发明与现有技术相比，其显著优点是：本发明整体结构设置合理，设置由充气阀和质量流量控制器组成的充气管路，及第一机械泵、第一抽气阀、分子泵和第二抽气阀组成的抽气管路，及压力传感器、PID控制电路、压力控制阀和第二机械泵组成的压力控制管路，确保控制精确，整体运行平稳可靠，为碳化硅单晶生长提供良好的压力环境。附图说明[0008]图1是本发明的结构示意图。具体实施方式[0009]下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明。[0010]如图1所示，本发明所述的一种碳化硅单晶炉用压力控制系统，它包括反应室1，在所述反应室1一侧设有充气管路2，另一侧设有主抽气管路3和压力控制管路4，在所述充气管路2上设有充气阀5和质量流量控制器6，在所述主抽气管路3上设有第一机械泵7和第一抽气阀8，在所述主抽气管路3上设有分抽气管路9，在所述分抽气管路9上设有分子泵10和第二抽气阀11，在所述压力控制管路4上设有压力传感器12、压力控制阀13、PID控制电路14和第二机械泵15，所述分抽气管路9与压力控制管路4相连；所述分抽气管路9设在第一机械泵7和第一抽气阀8之间的主抽气管路上；所述分