一种一体式单晶硅生长炉电极升降机构.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107541788A(43)申请公布日2018.01.05(21)申请号201710652159.5(22)申请日2017.08.02(71)申请人上海汉虹精密机械有限公司地址200444上海市宝山区宝山城市工业园区山连路188号(72)发明人刘海贺贤汉郡司拓(74)专利代理机构上海顺华专利代理有限责任公司31203代理人顾雯(51)Int.Cl.C30B35/00(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种一体式单晶硅生长炉电极升降机构(57)摘要本发明涉及单晶炉设备技术领域，具体是一种一体式单晶硅生长炉电极升降机构，包括固定安装在单晶炉炉底盘与机架之间的四根导向柱以及设置在四根导向柱上并可沿导向柱上下运动的基板。本发明的有益效果是，热场的侧部加热器可以随坩埚位置变化而变化，热场温度更均衡，有利于晶体生长，提升生长晶棒的品质。第一主电极、第二主电极可以同时升降，实现与这两个主电极相连的侧部加热器可以升降。配有的辅助支撑，与侧部加热器相连，使侧部加热器稳定升降。主电极和辅助支撑都固定在同一基板上，共同实现同步升降。通过一个伺服马达同时驱动两个主电极和两个辅助支撑的升降，使整套单晶硅生长炉电极升降机构的成本降低。CN107541788ACN107541788A权利要求书1/1页1.一种一体式单晶硅生长炉电极升降机构，其特征在于，包括固定安装在单晶炉炉底盘(101)与机架(202)之间的四根导向柱(37)以及设置在四根导向柱上并可沿导向柱上下运动的基板(35)，所述的四根导向柱(37)以左前侧、右前侧、右后侧、左后侧呈四个对角方位分布在所述基板(35)的四个角处，所述基板(35)的四个角上分别安装直线轴承(36)，每个直线轴承(36)与各自相对应的导向柱(37)滑动连接；所述基板(35)的左前侧与右后侧上分别设有第一主电极(303)及第二主电极(404)，基板(35)的右前侧与左后侧上分别设有第一辅助支撑(505)与第二辅助支撑(606)；所述第一辅助支撑(505)与第二主电极(404)之间的基板(35)上安装第一副电极(707)，所述第二辅助支撑(606)与第二主电极(404)之间的基板(35)上安装第二副电极(808)，所述第一副电极(707)与第二副电极(808)的顶部均固定安装在所述单晶炉炉底盘(101)上；所述第一主电极(303)、第二主电极(404)、第一辅助支撑(505)及第二辅助支撑(606)的外侧均安装焊接波纹管(34)，这四根焊接波纹管(34)的顶端分别连接在所述单晶炉炉底盘(101)上、底端分别连接在基板(35)上；在所述基板(35)左后侧处的单晶炉炉底盘(101)向下伸出固定座(24)，所述固定座(24)内安装第一齿轮箱(23)，该第一齿轮箱(23)向下依次连接变速箱(22)及伺服马达(21)，该齿轮箱(23)将伺服马达的动力依次传动至第一传动轴(25)、第二齿轮箱(26)、升降机(27)、第三齿轮箱(28)、动力轴(29)、第四齿轮箱(30)及升降机(31)，其中的第二齿轮箱(26)、升降机(27)、第三齿轮箱(28)及第四齿轮箱(30)均固定在安装板(33)上，所述安装板(33)固定在所述单晶炉炉底盘(101)上。2.根据权利要求1所述的一体式单晶硅生长炉电极升降机构，其特征在于，所述的每个导向柱(37)的一端固定在所述单晶炉炉底盘(101)上、另一端固定在所述机架(202)上。3.根据权利要求1所述的一体式单晶硅生长炉电极升降机构，其特征在于，所述的第一传动轴(25)由基板(35)的左后方向伸至基板(35)的右后方；所述动力轴(29)位于所述基板(35)的中心位置处。4.根据权利要求1所述的一体式单晶硅生长炉电极升降机构，其特征在于，所述的第二齿轮箱(26)、升降机(27)、第三齿轮箱(28)、第四齿轮箱(30)均位于所述基板(35)的右后方。5.根据权利要求1所述的一体式单晶硅生长炉电极升降机构，其特征在于，所述的安装板(33)通过六角棒(32)固定在所述单晶炉炉底盘(101)上。2CN107541788A说明书1/3页一种一体式单晶硅生长炉电极升降机构技术领域[0001]本发明涉及单晶炉设备技术领域，具体是一种一体式单晶硅生长炉电极升降机构。背景技术[0002]现有主流单晶硅生长炉的主电极都是固定在炉底盘上，无法升降。因此与主电极相连的侧部加热器是固定的。在长晶时，坩埚位置会逐渐上升，与侧部加热器位置发生变化，导致热场不均衡，影响长晶和生产晶棒品质。发明内容[0003]本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种具有主电极可进行升降的单晶硅生长炉。[0004]