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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107572490A(43)申请公布日2018.01.12(21)申请号201710811088.9(22)申请日2017.09.11(71)申请人河北工业大学地址300130天津市红桥区丁字沽光荣道8号河北工业大学东院330#(72)发明人唐成春赵岩刘振亚张俊杰王德坤曹超超(74)专利代理机构天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙)12210代理人赵凤英(51)Int.Cl.C01B21/064(2006.01)B82Y40/00(2011.01)权利要求书1页说明书5页附图5页(54)发明名称一种可控合成氮化硼纳米片的制备方法(57)摘要本发明为一种可控合成氮化硼纳米片的制备方法。该方法包括如下步骤:将金属镁粉和氧化硼按照混合,在研砵中研磨得到灰白色混合物;再放置于高温管式炉中,氮气保护气氛下从常温升到750-850℃,保温1-1.5h;然后气氛换为氨气气氛下,1200-1400℃,保温2-10h,再降温至室温,得到白色固体产物;最后经过洗涤、烘干,最后得到氮化硼纳米片粉末。本发明对设备要求不高,降低了能耗和生产成本。产物通过简单的盐酸洗进行提纯,易于操作。CN107572490ACN107572490A权利要求书1/1页1.一种可控合成氮化硼纳米片的制备方法,其特征为该方法包括如下步骤:(1)将金属镁粉和氧化硼混合,在研砵中研磨1-5min混合均匀得到灰白色混合物;其中,摩尔比镁粉:氧化硼=1~6:1;(2)将步骤(1)中得到的混合物粉末放置于高温管式炉中,氮气保护气氛下从常温升到750-850℃,升温速率为10℃/min,保温1-1.5h;然后气氛换为氨气气氛下,以10℃/min的升温速率升到1200-1400℃,保温2-10h,再降温至室温,得到白色固体产物;(3)将步骤(2)中的产物盐酸溶液机械搅拌6-24h洗去氧化镁杂质,然后过滤,再用去离子水洗2-3次得到白色粉末;(4)将步骤(3)中的白色粉末在70-90℃烘箱中保温10-15h,最后得到氮化硼纳米片粉末。2.如权利要求1所述的可控合成氮化硼纳米片的制备方法,其特征为所述的步骤(3)中的氮气气氛或氨气气氛中的气体流量均为50ml/min-100ml/min。3.如权利要求1所述的可控合成氮化硼纳米片的制备方法,其特征为所述的步骤(3)中的盐酸的浓度为1~5M。2CN107572490A说明书1/5页一种可控合成氮化硼纳米片的制备方法技术领域[0001]本发明涉及六方氮化硼纳米材料的技术合成领域,具体为一种纯相粒径均匀的六方氮化硼纳米片的可控合成方法。背景技术[0002]六方氮化硼晶体的分子式是BN,与石墨是等电子体,具有类似石墨的层状结构,具有优良的电绝缘性、高温耐火性、热传导性、化学惰性、高润滑性等,被广泛应用于机械、冶金、电子、航空航天等科技领域。[0003]氮化硼纳米片具有类似石墨烯的二维纳米结构,由多层六方氮化硼层状结构叠加而成。氮化硼纳米片具有与石墨烯相媲美的力学性能和热传导性能,并且具有比石墨烯更优越的化学稳定性,热稳定性,独特的紫外发光性能等。同时,氮化硼纳米片为典型的宽禁带半导体材料,其带隙宽度为5-6eV,是制备电子器件绝缘膜、高温功率器件、纳米复合材料及紫外发光元件的理想材料。[0004]近年来,研究人员不断探求绿色节能环保的合成方法来制备氮化硼纳米片,包括机械分离法、化学气相沉积法、固相化学反应法等。但由于制备方法的局限,所得产物量非常少,且存在严重缺陷,这严重制约了六方氮化硼在研究和应用领域进一步的发展。D.Pacilé等首先报道了二维氮化硼纳米材料的合成,采用微机械分离法,得到了大约10个原子层的氮化硼纳米片,此方法虽然简单易行,但是随机性大不易控制,产量低且产物缺陷较多。支春义等人利用类似于化学气相沉积的方法,得到了大尺寸的六方氮化硼纳米片,并且研究了其在聚合物中作为添加剂的作用,丰富了制备六方氮化硼的方法,但是得到的产物量少,无法工业化生产。徐立强等人发明了一种高比表面积氮化硼超薄纳米片的制备方法,其采用固相法,利用氧化硼为硼源,盐酸肼、氯化铵或者溴化铵为氮源,金属锌、铁或者镍为还原剂,在温和条件下制备了六方氮化硼纳米片,但是其厚度难以控制,并且产率低。本发明涉及一种简易的可控合成六方氮化硼纳米片的方法,具有操作简单,原料廉价,厚度可控,适合工业化生产的特点,所得产品结晶度和纯度都较高。发明内容[0005]本发明的目的在于针对当前技术中存在的不足,提供一种可控合成氮化硼纳米片的制备方法。该方法采用氧化硼、镁粉为原料,在合适的物料配比下,通过两段不同气氛下的烧结来获得产物。本发明原料价廉易得,制备过程简单方便,可以高质量大批量生产,克服已有氮化硼纳米片制备所