一种高导热氮化铝陶瓷散热基片及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103204682A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103204682103204682A(43)申请公布日2013.07.17(21)申请号201210012338.XC04B35/622(2006.01)(22)申请日2012.01.16(71)申请人佛山市陶瓷研究所有限公司地址528031广东省佛山市禅城区榴苑路18号申请人佛山市南海金刚新材料有限公司(72)发明人冯斌周耀刘桔英宋家滨王玉梅(74)专利代理机构广州三环专利代理有限公司44202代理人郝传鑫颜希文(51)Int.Cl.C04B35/581(2006.01)C04B35/582(2006.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书8页说明书8页附图2页附图2页(54)发明名称一种高导热氮化铝陶瓷散热基片及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种高导热氮化铝陶瓷散热基片，所述高导热氮化铝陶瓷散热基片为采用氮化铝为主要原料，通过振动热压烧结制备而得的热导率为200~260W/(m·K)的陶瓷散热基片。本发明还公开了一种高导热氮化铝陶瓷散热基片的制备方法，包括：将经过初步处理的坯料通过压力机干压成型；将经过干压成型的所述坯料通过真空脱脂炉进行脱脂处理；将经过脱脂的所述坯料通过振动热压烧结炉中进行烧成，得到初成品；将所述初成品保温保压0.5~8小时，随炉冷却得到氮化铝陶瓷散热基片。采用本发明，所得陶瓷散热基片不但导热率可高达200~260W/(m·K)，而且结构致密，生产效率高、降低烧结难度、产品后续加工简单。CN103204682ACN1032468ACN103204682A权利要求书1/2页1.一种高导热氮化铝陶瓷散热基片，其特征在于，所述高导热氮化铝陶瓷散热基片为采用氮化铝为主要原料，通过振动热压烧结制备而得的热导率为200~260W/(m·K)的陶瓷散热基片。2.如权利要求1所述的高导热氮化铝陶瓷散热基片，其特征在于，所述振动热压烧结的烧结温度为1600~1900℃，压力为8~50T，振动频率为0~4次/秒，振幅为0.1~10吨。3.如权利要求1所述的高导热氮化铝陶瓷散热基片，其特征在于，其以质量份计的主要原料配方如下：氮化铝90~99.8%氧化钇0.1~5%粘合剂0.1~5%；所述氮化铝的平均粒径为0.8~13.0μm；所述粘合剂为聚乙烯醇缩丁醛。4.如权利要求1~3任一项所述的高导热氮化铝陶瓷散热基片，其特征在于，所述高导热氮化铝陶瓷散热基片的致密度为3.2~3.5g/cm3。5.一种高导热氮化铝陶瓷散热基片的制备方法，其特征在于，依次包括以下步骤：将经过初步处理的坯料通过压力机干压成型；将经过干压成型的所述坯料通过真空脱脂炉进行脱脂处理；将经过脱脂的所述坯料通过振动热压烧结炉，在烧结温度为1600~1900℃，压力为8~50T，振动频率为0~4次/秒、振动幅度为0.1~10吨的条件下进行烧成，得到初成品；将所述初成品保温保压0.5~8小时，随炉冷却得到氮化铝陶瓷散热基片。6.如权利要求5所述的高导热氮化铝陶瓷散热基片的制备方法，其特征在于，将经过脱脂的所述坯料通过所述振动热压烧结炉，在流动氮气气氛中进行烧成；所述氮气的流速为1~8L/min。7.如权利要求5所述的高导热氮化铝陶瓷散热基片的制备方法，其特征在于，在将经过干压成型的所述坯料通过真空脱脂炉进行脱脂处理的步骤之后，将经过脱脂的所述坯料通过振动热压烧结炉的步骤之前，还包括：将经过脱脂的所述坯料装入石墨模具中；所述石墨模具设有氮化硼隔离保护层。8.如权利要求5所述的高导热氮化铝陶瓷散热基片的制备方法，其特征在于，所述压力机的成型压力为10~250MPa；所述真空脱脂炉的脱脂处理温度为25~1500℃；所述经过干压成型的坯料在所述真空脱脂炉中脱脂处理时间为8~30小时。9.如权利要求5所述的高导热氮化铝陶瓷散热基片的制备方法，其特征在于，在将经过初步处理的坯料通过压力机干压成型的步骤之前，还包括：称量制造氮化铝陶瓷散热基片所需的主要原料；将所述原料添加酒精后进行球磨处理15~30小时；将经过球磨的所述原料进行干燥处理，并通过30~100目筛进行过筛；将经过过筛的所述原料与粘合剂混合，进行造粒处理，得到所述坯料。10.如权利要求5~9任一项所述的高导热氮化铝陶瓷散热基片的制备方法，其特征在2CN103204682A权利要求书2/2页于，所述高导热氮化铝陶瓷散热基片热导率为200~260W/(m·K)，致密度为3.2~3.5g/cm3。3CN103204682A说明书1/8页一种高导热氮化铝陶瓷散热基片及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及氮化铝陶瓷的加工制作技术领域，特别涉及一种高导热氮化铝陶瓷散热基片及其制备方法。背景技术[