LED封装方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108389949A(43)申请公布日2018.08.10(21)申请号201810139750.5(22)申请日2018.02.11(71)申请人深圳市润沃自动化工程有限公司地址518000广东省深圳市宝安区石岩街道石龙大道68号B栋2楼(72)发明人张炳忠刘新(74)专利代理机构深圳市精英专利事务所44242代理人冯筠(51)Int.Cl.H01L33/48(2010.01)H01L33/62(2010.01)H01L33/64(2010.01)权利要求书1页说明书2页附图3页(54)发明名称LED封装方法(57)摘要本发明公开了一种LED封装方法，包括:在LED芯片下表面涂覆锡金合金层；在铜片的上端面沉金，使得铜片的上端面形成金层；将若干铜片放入高温炉内；将下表面涂覆有锡金合金层的LED芯片压合在铜片上端面使得锡金合金层与金层熔合。它的优点是锡金合金层与金层之间导热性好，散热效果好，可适用于大功率的LED封装，锡金合金层与金层之间固定牢固。CN108389949ACN108389949A权利要求书1/1页1.一种LED封装方法，其特征在于，包括:在LED芯片下表面涂覆锡金合金层；在铜片的上端面沉金，使得铜片的上端面形成金层；将若干铜片放入高温炉内；将下表面涂覆有锡金合金层的LED芯片压合在铜片上端面使得锡金合金层与金层熔合。2.根据权利要求1所述的LED封装方法，其特征在于，在铜片的左侧面或右侧面固定绝缘胶，相邻铜片通过绝缘胶绝缘固定。3.根据权利要求1所述的LED封装方法，其特征在于，所述锡金合金层与金层熔合在一起的温度为300～320度。4.根据权利要求3所述的LED封装方法，其特征在于，所述锡金合金层与金层熔合在一起的温度为310度。2CN108389949A说明书1/2页LED封装方法技术领域[0001]本发明涉及LED封装技术领域，尤其是一种LED封装方法。背景技术[0002]用银浆将led芯片焊接在基板上，这种焊接存在的缺点：led芯片与基板间导热性不好，led芯片与基板不够牢固，led芯片容易从基板上脱离。发明内容[0003]本发明的目的是解决现有技术的不足，提供一种LED封装方法。[0004]本发明的一种技术方案：[0005]一种LED封装方法，包括:在LED芯片下表面涂覆锡金合金层；在铜片的上端面沉金，使得铜片的上端面形成金层；将若干铜片放入高温炉内；将下表面涂覆有锡金合金层的LED芯片压合在铜片上端面使得锡金合金层与金层熔合。[0006]一种优选方案是在铜片的左侧面或右侧面固定绝缘胶，将相邻铜片通过绝缘胶绝缘固定。[0007]一种优选方案是锡金合金层与金层熔合在一起的温度为300～320度。[0008]一种优选方案是所述锡金合金层与金层熔合在一起的温度为310度。[0009]综合上述技术方案，本发明的有益效果：锡金合金层与金层之间导热性好，散热效果好，可适用于大功率的LED封装，锡金合金层与金层之间固定牢固。[0010]上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。附图说明[0011]图1是本发明的流程图；[0012]图2是本发明中LED芯片和铜片的熔合之前立体图；[0013]图3是本发明中LED芯片和铜片的熔合之后立体图；[0014]图4是本发明中若干铜片的熔合时立体图。具体实施方式[0015]如图1至图4所示，一种LED封装方法，包括:[0016]S1，在LED芯片20下表面涂覆锡金合金层21；[0017]S2，在铜片10的上端面沉金，使得铜片10的上端面形成金层11；[0018]S3，将若干铜片10放入高温炉内；[0019]S4，将下表面涂覆有锡金层11的LED芯片20压合在铜片10上端面使得锡金合金层21与金层11熔合。3CN108389949A说明书2/2页[0020]具体的，高温炉为分段加热的熔炉带，熔炉带的温度从一端到另外一端依次增加，温度增加的梯度可以是10度，20度或者30度，将上端面设有金层11的铜片10放置在熔炉带上，铜片10随熔炉带一起移动，铜片10的温度不断升高；将下表面涂覆有锡金合金层21的LED芯片20压合在铜片10上端面，使得铜片10上端面的金层11和LED芯片20下表面的锡金合金层21熔合在一起。[0021]优选的，在铜片10的左侧面或右侧面固定绝缘胶30，将相邻铜片10通过绝缘胶30绝缘固定。具体的，将熔化的绝缘胶30固定在铜片10的左侧面或右侧面，将相邻铜片10压合，使得铜片10一侧面的绝缘胶30与相邻铜片10粘接固定。[0022