一种高效透氧的ITO靶材摆放-烧结方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108530055A(43)申请公布日2018.09.14(21)申请号201810653336.6(22)申请日2018.06.22(71)申请人广东凯盛光伏技术研究院有限公司地址528137广东省佛山市三水区乐平镇齐力大道南5号(72)发明人余永强马立云那嘉周传水向光王友乐张玲莉柯尚文李隽康明锋范家伟董永亮(74)专利代理机构广州嘉权专利商标事务所有限公司44205代理人左恒峰(51)Int.Cl.C04B35/457(2006.01)C04B35/64(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种高效透氧的ITO靶材摆放-烧结方法(57)摘要本发明公开了一种高效透氧的ITO靶材摆放-烧结方法，步骤如下：1)将ITO粉末成型，得到ITO靶坯，再对ITO靶坯进行干燥；2)将垫片放置在承烧板上，再在垫片上放置一层直径0.5～1mm的瓷球，再将ITO靶坯放置在瓷球上；3)将步骤2)设置好ITO靶坯的承烧板放进烧结炉进行烧结，再进行打磨，得到ITO靶材。本发明可以大大提高ITO靶坯烧结时的透氧率，增加了ITO靶材烧结后的密度，提高了ITO靶材的质量，且烧结后ITO靶材底面不会产生垫片印，不会污染靶材，减少了后加工过程中因磨削而造成的靶材消耗。CN108530055ACN108530055A权利要求书1/1页1.一种高效透氧的ITO靶材摆放-烧结方法，其特征在于：步骤如下：1)将ITO粉末成型，得到ITO靶坯，再对ITO靶坯进行干燥；2)将垫片放置在承烧板上，再在垫片上放置一层直径0.5～1mm的瓷球，再将ITO靶坯放置在瓷球上；3)将步骤2)设置好ITO靶坯的承烧板放进烧结炉进行烧结，再进行表面打磨，得到ITO靶材。2.根据权利要求1所述的高效透氧的ITO靶材摆放-烧结方法，其特征在于：步骤1)所述干燥的温度为100～500℃，干燥时间为50～100h。3.根据权利要求1所述的高效透氧的ITO靶材摆放-烧结方法，其特征在于：步骤2)所述瓷球为耐1800℃以上高温的瓷球。4.根据权利要求3所述的高效透氧的ITO靶材摆放-烧结方法，其特征在于：步骤2)所述瓷球为氧化锆球。5.根据权利要求1～4中任意一项所述的高效透氧的ITO靶材摆放-烧结方法，其特征在于：步骤2)所述瓷球均匀分布在垫片上。6.根据权利要求1～4中任意一项所述的高效透氧的ITO靶材摆放-烧结方法，其特征在于：步骤2)所述垫片的材质为刚玉-莫来石、硅酸钙中的一种。7.根据权利要求1～4中任意一项所述的高效透氧的ITO靶材摆放-烧结方法，其特征在于：步骤3)所述烧结的温度为1000～1700℃，烧结时间为20～40h。2CN108530055A说明书1/4页一种高效透氧的ITO靶材摆放-烧结方法技术领域[0001]本发明涉及一种高效透氧的ITO靶材摆放-烧结方法。背景技术[0002]ITO靶材是一种由氧化铟粉末和氧化锡粉末经过成型、烧结而成的黑灰色陶瓷半导体，是生产ITO薄膜的重要原料。经过多年的发展，目前ITO靶材的制备工艺已经比较成熟，方法多种多样，但是仍然存在烧结不够充分、加工时间长、生产工艺复杂、生产效率低等问题，ITO靶材的密度还有很大的提升空间。[0003]传统的工艺在进行ITO靶材烧结时，ITO靶材的摆放主要分为以下两种方法：1)直接摆放法：将靶坯直接放置在承烧板上，然后一起放进烧结炉中进行烧结，由于靶坯与承烧板相接触的部位几乎不透氧，会导致靶坯烧结不充分，靶材成型效果差，该方法已逐渐被淘汰；2)垫片法：先在靶坯下方垫上垫片，再放置在承烧板上，再一起放进烧结炉中进行烧结，该方法可以在一定程度上提高靶材烧结时的透氧率，但靶材烧结后与垫片相接触的部位会留下大面积的垫片印，靶材的底层受到污染，后续打磨操作的磨削量大，不仅增加了工艺难度和工艺成本，而且还会对靶材质量造成一定影响。发明内容[0004]本发明的目的在于提供一种高效透氧的ITO靶材摆放-烧结方法。[0005]本发明所采取的技术方案是：[0006]一种高效透氧的ITO靶材摆放-烧结方法，步骤如下：[0007]1)将ITO粉末成型，得到ITO靶坯，再对ITO靶坯进行干燥；[0008]2)将垫片放置在承烧板上，再在垫片上放置一层直径0.5～1mm的瓷球，再将ITO靶坯放置在瓷球上；[0009]3)将步骤2)设置好ITO靶坯的承烧板放进烧结炉进行烧结，再进行表面打磨，得到ITO靶材。[0010]步骤1)所述干燥的温度为100～500℃，干燥时间为50～100h。[0011]步骤2)所述瓷球为耐1800℃以上高温的瓷球。[0012]步骤2)所述瓷球为氧化锆球。[0013]步骤2)所述瓷球均匀分布在垫片上。[0014]