一种高致密度ITO靶材的烧结方法.pdf

一种高致密度ITO靶材的烧结方法，先将ITO坯体放进干燥脱脂炉中进行干燥脱脂，再将ITO坯体放在承烧板上并送入氧压炉中，以2~5°C/min的速度升温至500~800°C时第一保温1~5h并通入氧气，以0.5~2°C/min的速度升温至1000~1400°C时第二保温1~5h，氧气流量调整8~30L/min，再以0.5~2°C/min的速度升温至1500~1650°C时第三保温20~60h，氧气流量调整5~20L/min，之后以0.5~2°C/min的速度降温至1200°C，此时关闭氧气并使氧压炉内的压力

2023-06-19

10

252KB

一种高致密度ITO旋转靶的烧结方法.pdf

一种高致密度ITO旋转靶的烧结方法，包括将原料制成ITO旋转靶素坯的步骤和将ITO旋转靶素坯在氧气氛烧结炉中烧制成ITO旋转靶材的步骤。在烧制之前，先在承烧板上放置陶瓷素坯，然后将ITO旋转靶素坯放在陶瓷素坯上，并使ITO旋转靶素坯的底面与陶瓷素坯完全接触，以便在烧制过程中使ITO旋转靶素坯和陶瓷素坯同步收缩，以此消除或减少两者之间的相对位移，从而消除或减少收缩阻力的影响，改善旋转靶顶部和底部收缩不一致的现象，提供靶材均匀性和相对密度。旋转靶各个部位的相对密度之差不大于0.1%，各个部位的内径之差不大于0

2023-06-18

10

172KB

一种高密度ITO靶材的常压烧结方法.pdf

本发明公开了一种高密度ITO靶材的常压烧结方法，属于ITO靶材加工技术领域，该常压烧结方法包括以下步骤：S1、ITO平面素坯的放置：将ITO平面素坯置于烧结炉内的支撑装置上，以使支撑装置放置面上放置有多个ITO平面素坯，相邻ITO平面素坯通过放置面上的限位柱隔开；S2、ITO靶材的烧结：在常压氧气氛条件下，通过烧结炉对支撑装置上的ITO平面素坯进行烧结，ITO平面素坯采用分段式烧结。本发明解决了传统ITO靶材常压烧结工艺制造得到的ITO靶材密度较低的问题。

2023-06-15

10

819KB

一种ITO靶材烧结尺寸控制方法.pdf

本发明公开了一种ITO靶材烧结尺寸控制方法，本发明作为一种ITO靶材烧结尺寸控制方法，通过晾坯：将ITO靶材坯体，放置5‑10天；对位：将ITO靶材坯体放置在承烧板上；烧结：将承烧板放置在烧结炉内，盖上炉盖，向烧结炉内通入氧气；缩板：控制承烧板聚拢，烧结完成降温开炉，得到相对密度大于90％的ITO靶材；对ITO靶材坯体烧结过程中的垂直方向收缩偏差做出补偿，使制得ITO靶材更加均匀，从而提高ITO靶材磁控溅射的利用率；其中缩板步骤中使用一种ITO靶材烧结尺寸控制装置，此装置通过转动盘上的弧形槽带动控制杆沿转

2023-06-15

10

500KB

一种两步分段烧结法制备高致密ITO靶材的方法.pdf

一种两步分段烧结法制备高致密ITO靶材的方法，先将原料制成素坯后在空气气氛下保温脱脂，脱脂之后直接在空气气氛下升温至800—1300℃保温5—30小时进行第一步预烧，预烧后的坯体放置于承烧板上，在氧气气氛下升温至1500—1600℃保温5—30小时进行第二步烧结，烧结结束前1—5小时停止通入氧气，之后随炉冷却得到ITO靶材烧结体。空气气氛下进行预烧能够缩短氧气气氛的烧结时间，大幅降低生产能耗。脱脂与预烧工序合为一体，节约烧结总时间，预烧使得坯体中的颗粒进一步实现均匀化，避免了异常晶粒长大，提高靶材的微观均

2023-06-18

10

270KB