一种环保高效ITO靶材的制备方法.pdf
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一种环保高效ITO靶材的制备方法.pdf
本发明公开了一种环保高效ITO靶材的制备方法,包括以下步骤:S1、用等离子弧熔融In‑Sn合金,之后将处于熔融态的金属在等离子发生室内的含氧40%vol的气流中氧化,并使所获得的反应产物在气流中强烈冷却制得原料粉末;S2、将原料粉末、离子交换水、氧化锆装入球磨罐中,球磨混合;S3、加入分散剂继续混合;S4、加入蜡基粘结剂继续混合;S5、将所构成的磨浆注入到过滤式成形模内制作成形体;S6、将此成形体进行干燥脱脂;S7、将干燥脱脂后的成形体送入烧结炉内烧结,制得靶材。本发明具备易脱模,且可提高靶材的相对密度,
一种ITO靶材的制备方法.pdf
一种ITO靶材的制备方法,其特征是:采用透射电镜下观察粒度在10—100纳米的氧化锡粉末和微米级氧化铟粉末,质量比为1∶9;采用湿法混合的方法将氧化锡粉末和氧化铟粉末混合均匀成ITO粉末,溶剂选择水、无水乙醇、丙酮或异丙醇;将ITO粉末放入球磨罐中,加入钢芯尼龙球,再加入溶剂,球磨24小时,吹干溶剂,过60目筛,在钢模具中以50MPa压强干压成型,再在280MPa下进行冷等静压,保压10分钟,然后在烧结炉中纯氧气气氛下1200-1600℃温度下进行烧结,保温2-3小时。本发明通过引入无团聚的粒度分布窄的纳
一种高纯度ITO靶材的制备方法.pdf
本发明涉及一种高纯度ITO靶材的制备方法,包括如下步骤:S1:将氧化锡、氧化铟混合后放入球磨机加水球磨成浆料;S2:将步骤S1获得的浆料脱泡处理;S3:对步骤S2获得的浆料成型,成型压力为0.15‑0.45MPa,成型时间为2h‑8h;S4:将步骤S3成型的胚料放入烧结炉中烧结,炉温为常温,再将烧结炉内的炉温提升到500℃‑1000℃后保温5h‑10h,保温过后再将炉温提升到1550℃‑1650℃,再保温3h‑20h,保温过后将炉温降到500℃‑1000℃,再保温5h‑10h,保温过后将炉温降到常温。本发
一种高均匀性ITO靶材的制备方法.pdf
本发明公开了一种高均匀性ITO靶材的制备方法,包括如下步骤:以共沉淀反应制备出的ITO粉体为原料,将纯水、助烧剂、催化剂、分散剂按一定添加方法与原料进行球磨混合,达到一定粘度得到ITO浆料再加入一定量的粘结剂,充分搅拌进行冷冻干燥,采用二次成型方法,先预压,再冷等静压制成均匀的ITO生坯,将ITO生坯升温至300~700℃保温进行脱脂,然后升温至1500~1650℃保温,最后随炉冷却至室温,得到均匀的ITO靶材烧结体。
热压法制备ITO靶材的方法.pdf
本发明涉及ITO靶材,具体说是热压法制备ITO靶材的方法,其包括制取铟锡氢氧化物沉淀溶液;离心分离沉淀溶液中的沉淀物和液体;用水洗涤沉淀物,并离心分离沉淀物和水;干燥、煅烧沉淀物,得到ITO粉末;在ITO粉末中加入聚乙烯醇,利用模具将ITO粉末干压成成型体;将成型体置于热压炉中,制取ITO靶材的步骤。本发明通过控制合成溶液的温度和PH值等条件,可使ITO粉末达到纳米级,为热压法制备高密度的ITO靶材提供条件;同时本发明采用多次离心分离水洗的沉淀物,可有效去除沉淀物表面的杂质,有助于提高ITO粉末的导电性,