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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108892513A(43)申请公布日2018.11.27(21)申请号201811099189.9(22)申请日2018.09.20(71)申请人东北大学地址110819辽宁省沈阳市和平区文化路3号巷11号(72)发明人马北越张亚然吴桦任鑫明苏畅于敬雨高陟于景坤(74)专利代理机构沈阳东大知识产权代理有限公司21109代理人宁佳(51)Int.Cl.C04B35/573(2006.01)C04B35/626(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种利用感应炉制备碳化硅粉体的方法(57)摘要本发明的一种利用感应炉制备碳化硅粉体的方法,包括步骤如下:步骤1,将硅基固料进行高温煅烧与粉碎过筛处理,制得硅基熟料;步骤2,按配比,硅基熟料∶还原剂=100∶(10~45),将二者混合,球磨得混匀物料;步骤3,(1)将小尺寸石墨坩埚置于大尺寸石墨坩埚内,并在两个坩埚接触处放满天然石墨粉;(2)将混匀物料置于小尺寸石墨坩埚中,并在小石墨坩埚锅盖上端覆盖充足的天然石墨粉;(3)将大尺寸石墨坩埚置于感应炉线圈内,在1300~1600℃温度下,加热2~5min制得利用感应炉制备碳化硅粉体。该方法实现了硅基固料的高效增值材料化利用,操作简单易行,反应迅速,大大提高了生产效率和产品质量,制得的碳化硅粉体平均粒径为0.5~1μm。CN108892513ACN108892513A权利要求书1/1页1.一种利用感应炉制备碳化硅粉体的方法,其特征在于,按以下步骤进行:步骤1:原料预处理将硅基固料进行高温煅烧与粉碎过筛处理,制得硅基熟料;步骤2:混料按配比,硅基熟料∶还原剂=100∶(10~45),将二者混合,球磨得混匀物料;步骤3:高温合成(1)将小尺寸石墨坩埚置于大尺寸石墨坩埚内,并在两个坩埚接触处放满天然石墨粉;(2)将混匀物料置于小尺寸石墨坩埚中,并在小石墨坩埚锅盖上端覆盖充足的天然石墨粉;(3)将大尺寸石墨坩埚置于感应炉线圈内,加热制得利用感应炉制备碳化硅粉体;其中,所述的加热温度1300~1600℃,加热时间2~5min。2.根据权利要求1所述的利用感应炉制备碳化硅粉体的方法,其特征在于,所述的步骤1中,所述的硅基固料为晶体硅切割废料、铁矿石尾矿、煤矸石、粉煤灰、粘土、蜡石、红柱石或硅线石中的一种或多种。3.根据权利要求1所述的利用感应炉制备碳化硅粉体的方法,其特征在于,所述的步骤1中,煅烧与粉碎过筛处理用于去除工业硅基废渣中的杂质。4.根据权利要求1所述的利用感应炉制备碳化硅粉体的方法,其特征在于,所述的步骤1中,所述的煅烧操作在煅烧炉中进行,煅烧温度为900℃,煅烧时间为5h,所述的煅烧炉为在无保护气氛下使用的箱式电阻丝炉、硅碳棒炉、硅钼棒炉和隧道窑中的一种。5.根据权利要求1所述的利用感应炉制备碳化硅粉体的方法,其特征在于,所述的步骤1中,所述的粉碎过筛处理过程为:采用颚式破碎机粉碎处理,粉末经200目筛后,制得硅基熟料。6.根据权利要求1所述的利用感应炉制备碳化硅粉体的方法,其特征在于,所述的步骤2中,所述的还原剂为炭黑、优质煤或活性炭中的一种或多种。7.根据权利要求1所述的利用感应炉制备碳化硅粉体的方法,其特征在于,所述的步骤2中,所述的硅基熟料和还原剂一起球磨采用的设备为行星式球磨机,以200~400r·min-1转速单向运行5~8h。8.根据权利要求1所述的利用感应炉制备碳化硅粉体的方法,其特征在于,所述的步骤3(2)中,所述的混匀物料添加量以不高于小石墨坩埚容积的1/3为准。9.根据权利要求1所述的利用感应炉制备碳化硅粉体的方法,其特征在于,所述的步骤3(3)中,所述的感应线圈为铜线圈,保证大尺寸石墨坩埚置于铜线圈内,且使大尺寸石墨坩埚与铜线圈距离1~2cm。10.根据权利要求1所述的利用感应炉制备碳化硅粉体的方法,其特征在于,所述的步骤3(3)中,制得的碳化硅粉体平均粒径为0.5~1μm。2CN108892513A说明书1/4页一种利用感应炉制备碳化硅粉体的方法技术领域:[0001]本发明属于工业非金属资源化利用及陶瓷粉体材料制备技术领域,具体涉及一种利用感应炉制备碳化硅粉体的方法。背景技术:[0002]SiC工程陶瓷因其具有耐高温、抗腐蚀、耐磨损等优异性能,在冶金、化工、航空航天等领域备受青睐。其优良性能的获得很大程度上依赖于烧结体显微结构的精细化。而烧结体的显微结构与原料颗粒的大小、形貌及分布状况等密切相关。如何获得高质量的粉体成为制备高性能SiC工程材料的关键。[0003]目前,传统的SiC粉体制备方法都是固相法,并且其为工业生产SiC的主要方法,产量超过总产量的90%。固相法主要分为阿奇逊(Acheson)法、竖式炉法