一种单晶铜薄板制备装置及制备方法.pdf
fa****楠吖
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一种单晶铜薄板制备装置及制备方法,其结构为:(11)水平圆形通液管(11)左端通过法兰盘(9)与熔炉(14)内的通液管相连,其周围有(10)加热装置(10),右端与水平板状通液管(24)相连。水平板状通液管(24)始端设有凹槽(23),末端紧靠有冷却器(8)其内部的感应器可控制冷却水的流量。距冷却器(8)100~250mm有(6)牵引轮,牵引轮(6)和引锭单晶铜薄板(7)可同时调节牵引速度。方法步骤为:感应炉熔炼、保温、热型连铸、拉制。熔炼温度为1130~1200℃,结晶出口温度为700~850℃,冷却水
一种单晶铜粉的制备方法.pdf
本发明提供了一种单晶铜粉的制备方法,其包括以下步骤:将硫酸铜水溶液和碳酸钠水溶液同时滴加到反应容器中,反应生成碱式碳酸铜,洗涤反应产物,烘干水份;将碱式碳酸铜放置在带式烧结炉上煅烧,得到氧化铜细颗粒;在密闭反应容器内,加入反应溶剂乙二醇、还原剂、反应促进剂,再加入氧化铜细颗粒,并在反应容器内充入保护气体,搅拌并加热反应,得到单晶超细铜粉。将单晶超细铜粉、表面抗氧化分散剂、溶剂混合均匀加入到滚筒分散机中,球磨分散改性处理,然后真空干燥铜粉,得到单晶单分散铜粉。采用本发明的技术方案,得到的铜粉氧含量低,抗氧化
一种溴铅铜单晶的制备方法.pdf
本发明公开了一种溴铅铜单晶的制备方法。本发明的制备方法包括溴铅铜多晶料的制备和溴铅铜单晶的生长;具体包括:首先按化学计量比称取原料,混合后装入石英坩埚中真空封装,然后把石英坩埚放入摇摆炉中分段加热,边加热边摇摆进行溴铅铜多晶料的烧结;最后将装有溴铅铜多晶料的石英坩埚放入晶体炉中进行晶体生长。本发明采用多晶料制备和晶体生长两步法,成功生长出溴铅铜单晶,得到的溴铅铜晶体尺寸为18x50mm
一种单晶硅片的制备装置及制备方法.pdf
本发明公开了一种单晶硅片的制备装置及制备方法,包括装置本体,在装置本体上设有顶板、晶种上升旋转机构、上护腔、吊绳、隔离阀、晶种夹、石英钳锅、石墨钳锅、硅溶液、加热组件、真空泵、电极、钳锅上升旋转机构、氩气嘴、控制系统、装置本体、下炉腔、绝缘层、直径控制传感器、制备箱,本发明设计合理,单晶硅的制备采用单晶硅元素的提取物首先进行单晶硅的提取、制作,通过提取后的单晶硅元素,利用准备单晶硅片的制作器材进行制作,本发明具有提高单晶硅片的制作品质以及单晶硅片的制作工艺,加快制作单晶硅片的制作效率。
一种单晶硅制备方法及装置.pdf
本申请涉及光伏领域,提供一种单晶硅制备方法及装置,其中,方法包括以下步骤:将掺杂剂、多晶硅原料以及重掺杂硅原料放入坩埚中,重掺杂硅原料平铺设于坩埚底部,掺杂剂与多晶硅原料混合并铺设于重掺杂硅原料上;将坩埚置于单晶炉内,对单晶炉进行抽真空操作后通入保护气体,并在保护气体作用下熔化多晶硅原料及掺杂剂,得到硅熔体,控制重掺杂硅原料不熔化;当硅熔体温度稳定后,将晶种浸入硅熔体中,之后依次进行引晶,放肩,等径生长阶段,其中,在等径生长过程中,由上往下熔化至少部分重掺杂硅原料,使得重掺杂硅原料中的掺杂元素进入硅熔体中