内容提供者
一种单晶硅制备方法及装置.pdf
2023-06-16
10金币
471KB
17页
努力****梓颖
实名认证
内容提供者
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10
亲，该文档总共17页，到这已经超出免费预览范围，如果喜欢就直接下载吧～
相关资料
一种单晶硅片的制备装置及制备方法.pdf
本发明公开了一种单晶硅片的制备装置及制备方法，包括装置本体,在装置本体上设有顶板、晶种上升旋转机构、上护腔、吊绳、隔离阀、晶种夹、石英钳锅、石墨钳锅、硅溶液、加热组件、真空泵、电极、钳锅上升旋转机构、氩气嘴、控制系统、装置本体、下炉腔、绝缘层、直径控制传感器、制备箱，本发明设计合理，单晶硅的制备采用单晶硅元素的提取物首先进行单晶硅的提取、制作，通过提取后的单晶硅元素，利用准备单晶硅片的制作器材进行制作，本发明具有提高单晶硅片的制作品质以及单晶硅片的制作工艺，加快制作单晶硅片的制作效率。
2023-06-18
10
340KB
一种单晶硅制备方法及装置.pdf
本申请涉及光伏领域，提供一种单晶硅制备方法及装置，其中，方法包括以下步骤：将掺杂剂、多晶硅原料以及重掺杂硅原料放入坩埚中，重掺杂硅原料平铺设于坩埚底部，掺杂剂与多晶硅原料混合并铺设于重掺杂硅原料上；将坩埚置于单晶炉内，对单晶炉进行抽真空操作后通入保护气体，并在保护气体作用下熔化多晶硅原料及掺杂剂，得到硅熔体，控制重掺杂硅原料不熔化；当硅熔体温度稳定后，将晶种浸入硅熔体中，之后依次进行引晶，放肩，等径生长阶段，其中，在等径生长过程中，由上往下熔化至少部分重掺杂硅原料，使得重掺杂硅原料中的掺杂元素进入硅熔体中
2023-06-16
10
471KB
单晶硅制备装置及方法.pdf
本申请提供一种单晶硅制备装置，装置包括：晶体生长炉本体；坩埚；升降机构，用于将籽晶垂直升降；导流筒；装置还包括：主加热单元，设在位于坩埚外侧；副加热单元，位于坩埚和导流筒之间，处于熔体液面上方，用于对熔体进行加热；控制单元，用于控制主加热单元和/或副加热单元的功率，以使晶体等径生长；其中，控制单元在控制加热单元的功率时，控制单元优先选择控制副加热单元。本申请还提供一种单晶硅制备方法。本申请通过增设一直接向熔体液面辐射热量的副加热单元，通过调节副加热单元的功率影响熔体液面温度，可以有效延长坩埚的使用寿命。
2023-06-15
10
640KB
单晶硅制备方法及装置.pdf
本申请提供单晶硅制备方法及装置，其中，单晶硅制备装置至少包括单晶炉、坩埚、加热器、导流筒、晶体提拉装置及热盖板；坩埚用于收容硅原料，在加热器的作用下所述硅原料熔化形成硅熔体；热盖板可拆卸连接在晶体提拉装置上，热盖板包括沿周向依次间隔设置的多个扇叶，多个扇叶沿水平方向倾斜设置；晶体提拉装置用于带动热盖板向靠近导流筒下端开口处移动，并带动热盖板旋转。本申请的单晶硅制备方法及装置，能够抑制热量散失，显著提高熔料效率；有效压制硅熔体中的挥发物从顶部挥发，改善单晶硅的拉晶环境，提升单晶硅品质。
2023-06-15
10
896KB
制备铸造单晶硅的装置及方法.pdf
一种制备铸造单晶硅的装置，包括炉体、引晶组件、气体导流筒、安装在所述炉体中的隔热组件、放置在所述隔热组件内的坩埚及加热器，所述气体导流筒的一端穿插于所述隔热组件，另一端延伸至所述炉体外，所述引晶组件包括用于夹持籽晶的夹持头及用于驱动所述夹持头的驱动件，所述夹持头位于所述坩埚的上方。采用上述制备铸造单晶硅的装置制备铸造单晶硅的成本较低。本发明还提供一种制备铸造单晶硅的方法。
2023-06-20
10
563KB