气相生长装置、外延晶片的制造方法及气相生长装置用附接件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109661716A(43)申请公布日2019.04.19(21)申请号201780054111.2(74)专利代理机构北京德崇智捷知识产权代理有限公司1(22)申请日2017.07.061467代理人陈丽丽(30)优先权数据2016-1728032016.09.05JP(51)Int.Cl.H01L21/205(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日C23C16/455(2006.01)2019.03.04(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2017/0248222017.07.06(87)PCT国际申请的公布数据WO2018/042877JA2018.03.08(71)申请人信越半导体株式会社地址日本国东京都千代田区(72)发明人大西理权利要求书1页说明书7页附图5页(54)发明名称气相生长装置、外延晶片的制造方法及气相生长装置用附接件(57)摘要本发明的气相生长装置1，包括：反应炉2、多条流路16a、盖14、及附接件15。反应炉2包括供导入气相生长气体的入口8a，通过气相生长气体而于基板W上生长外延层。多条流路16a自入口8a延伸至入口8a的外侧，将气相生长气体引导至反应炉2。盖14包括朝向多条流路16a引导原料气体的导入路14a。附接件15包括可连接于导入路14a的分支路15a，并安装于盖14。分支路15a在附接件15被安装于盖14的状态下连接于导入路14a，且自导入路14a侧朝向原料气体的下游侧呈竞赛状与多条流路16a对应地分支并连接于多条流路16a。由此，提供一种气相生长装置，其能够以优秀的成本效益使生长于基板上的外延层的膜厚的均匀性良好。CN109661716ACN109661716A权利要求书1/1页1.一种气相生长装置，其特征在于，包括：反应炉，其具有供导入原料气体的入口，通过上述原料气体于基板上生长外延层；多条流路，其自上述入口延伸至上述入口的外侧，将上述原料气体引导至上述反应炉；注入盖，其具有朝向上述多条流路引导上述原料气体的导入路；及石英制的附接件，其具有能够连接于上述导入路的连接路，安装于上述注入盖；上述连接路在上述附接件被安装于上述注入盖的状态下连接于上述导入路，并且自上述导入路侧朝向上述原料气体的下游侧呈竞赛状与上述多条流路对应地分支，并连接于上述多条流路。2.根据权利要求1所述的气相生长装置，其特征在于，上述注入盖为不锈钢制。3.根据权利要求1或2所述的气相生长装置，其特征在于，上述多条流路合计为2的次方的条数。4.根据权利要求1至3中任一项所述的气相生长装置，其特征在于，上述多条流路为32条以上。5.一种外延晶片的制造方法，其特征在于，该方法使用权利要求1至4中记载的气相生长装置使外延层生长于上述基板。6.一种气相生长装置用附接件，其特征在于，其安装于气相生长装置的注入盖，该气相生长装置包括：反应炉，其具有供导入原料气体的入口，通过上述原料气体于基板上生长外延层；多条流路，其自上述入口延伸至上述入口的外侧，将上述原料气体引导至上述反应炉；及注入盖，其具有朝向上述多条流路引导上述原料气体的导入路，上述附接件为石英制，且上述附接件包括连接路，其在上述附接件被安装于上述注入盖的状态下连接于上述导入路，并且自上述导入路侧朝向上述原料气体的下游侧呈竞赛状与上述多条流路对应地分支，并连接于上述多条流路。2CN109661716A说明书1/7页气相生长装置、外延晶片的制造方法及气相生长装置用附接件技术领域[0001]本发明涉及一种气相生长装置、外延晶片的制造方法及气相生长装置用附接件。背景技术[0002]伴随着半导体集成电路的微细化，形成于成为半导体集成电路基础的半导体基板的图案被微细化，而对半导体基板所要求的质量变得更加严格。对半导体基板所要求的质量之中，尤其对平坦度的要求极其高。而且，关于半导体基板中用于多种用途的外延晶片，兼顾基板的平坦度与外延层的平坦度为课题。而且，该外延层的平坦度很大程度上受外延层的膜厚分布影响。由此，为了满足所要求的外延层的平坦度，必须使外延层的膜厚分布的均匀性更加良好。[0003]目前，针对制造直径300mm的外延晶片，使用单片式的气相生长装置。此种气相生长装置大致包括：供给使外延层生长于基板上的原料气体的机构、藉由所供给的原料气体而于基板生长外延层的反应炉、以及将反应炉内的气体排出的机构。作为供给原料气体的机构，自原料气体的上游侧起依序具备注入盖(以下，称为「盖」)、挡板、及注入嵌件(以下，称为「嵌件」)。盖具有在将原料气体导入至反应炉内时供原料气体通过的空间。挡板为夹持于盖与嵌件之间的板状部件，且具有将盖内的原料气体引导至嵌件的多个贯通孔。通过该贯通孔而调整朝向嵌件的原料气体