单晶硅炉用炭炭导流筒修复腐蚀层的工艺方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109338458A(43)申请公布日2019.02.15(21)申请号201811574130.0(22)申请日2018.12.21(71)申请人保定顺天新材料股份有限公司地址074100河北省保定市涞水县义安镇北义安村(72)发明人王金铎啜艳明郭宾胡士伟周倩(74)专利代理机构北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)11435代理人刘敏(51)Int.Cl.C30B15/00(2006.01)C30B29/06(2006.01)C23C16/26(2006.01)权利要求书1页说明书2页(54)发明名称单晶硅炉用炭炭导流筒修复腐蚀层的工艺方法(57)摘要本发明公开了一种单晶硅炉用炭炭导流筒修复腐蚀层的工艺方法，包括以下步骤：S1、将被腐蚀的导流筒放入高温炉中，进行高温处理；S2、使用刀具处理导流筒的外表面，对导流筒的外表面进行切削，保证其外表面平整；S3、将步骤S2切削后的导流筒再次放置在化学气相沉积炉中进行高温处理，其中化学气相沉积炉的温度为1060-1070℃，保温40-50小时，碳源性气体的滞留时间不超过20秒。本发明采用上述单晶硅炉用炭炭导流筒修复腐蚀层的工艺方法，操作方法简单，可以提高导流筒整体使用寿命。CN109338458ACN109338458A权利要求书1/1页1.一种单晶硅炉用炭炭导流筒修复腐蚀层的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将被腐蚀的导流筒放入高温炉中，进行高温处理；S2、使用刀具处理导流筒的外表面，对导流筒的外表面进行切削，保证其外表面平整；S3、将步骤S2切削后的导流筒再次放置在化学气相沉积炉中进行高温处理，其中化学气相沉积炉的温度为1060-1070℃，保温40-50小时，碳源性气体的滞留时间不超过20秒。2.根据权利要求1所述的单晶硅炉用炭炭导流筒修复腐蚀层的工艺方法，其特征在于：步骤S1中高温炉的温度为2000℃，保温处理2小时。3.根据权利要求1所述的单晶硅炉用炭炭导流筒修复腐蚀层的工艺方法，其特征在于：步骤S2中对导流筒的外表面厚度切削控制在1-2mm，保证导流筒外侧的腐蚀层切削完全。4.根据权利要求1所述的单晶硅炉用炭炭导流筒修复腐蚀层的工艺方法，其特征在于：经过所述的单晶硅炉用炭炭导流筒修复腐蚀层的工艺方法处理后的导流筒使用寿命延长6个月以上。2CN109338458A说明书1/2页单晶硅炉用炭炭导流筒修复腐蚀层的工艺方法技术领域[0001]本发明涉及单晶硅炉等配套设备的修复工艺技术领域，特别是涉及一种单晶硅炉用炭炭导流筒修复腐蚀层的工艺方法。背景技术[0002]炭炭导流筒在单晶拉晶热场中用于控制热场温度梯度及引导氩气流；在拉晶过程中导流筒内侧有炭毡保护不易腐蚀，外侧由于受硅蒸汽腐蚀形成腐蚀层而不能使用。单晶拉晶过程中导流筒的外表面被腐蚀，腐蚀机理是硅蒸汽与热解炭反应生成SiC，SiC容易脱落使表面不被硅化的纤维裸露，导流筒表面出现凹坑后进一步加剧腐蚀速度。随着腐蚀加深后，SiC附着在孔洞内，由于SiC腐蚀层容易掉落到石英坩埚融化到硅料中，使硅棒碳含量高，甚至出现长晶成多晶硅的情况。为保证拉晶纯度及成晶率，导流筒腐蚀不能继续使用。但是，导流筒整体结构、强度并未失效，目前，导流筒表面形成腐蚀层平均需要时间12个月，导流筒被腐蚀之后往往采用直接报废的方式处理。发明内容[0003]本发明的目的是提供一种单晶硅炉用炭炭导流筒修复腐蚀层的工艺方法，操作方法简单，可以提高导流筒整体使用寿命。[0004]为实现上述目的，本发明提供了一种单晶硅炉用炭炭导流筒修复腐蚀层的工艺方法，包括以下步骤：[0005]S1、将被腐蚀的导流筒放入高温炉中，进行高温处理；[0006]S2、使用刀具处理导流筒的外表面，对导流筒的外表面进行切削，保证其外表面平整；[0007]S3、将步骤S2切削后的导流筒再次放置在化学气相沉积炉中进行高温处理，其中化学气相沉积炉的温度为1060-1070℃，保温40-50小时，碳源性气体的滞留时间不超过20秒。[0008]优选的，步骤S1中高温炉的温度为2000℃，保温处理2小时。[0009]优选的，步骤S2中对导流筒的外表面厚度切削控制在1-2mm，保证导流筒外侧的腐蚀层切削完全。[0010]优选的，经过所述的单晶硅炉用炭炭导流筒修复腐蚀层的工艺方法处理后的导流筒使用寿命延长6个月以上。[0011]因此，本发明采用上述单晶硅炉用炭炭导流筒修复腐蚀层的工艺方法，操作方法简单，可以提高导流筒整体使用寿命。[0012]下面通过实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。具体实施方式[0013]下面结合对本发明的实施方式做进一步的说明。3CN109338458A说明书2/2页[0014]一种单晶硅炉