一种化学气相沉积法装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109371382A(43)申请公布日2019.02.22(21)申请号201811485339.X(22)申请日2018.12.05(71)申请人电子科技大学地址611731四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号(72)发明人李雪松王跃青芳竹(74)专利代理机构成都正华专利代理事务所(普通合伙)51229代理人李蕊(51)Int.Cl.C23C16/458(2006.01)C23C16/26(2006.01)C23C16/02(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图4页(54)发明名称一种化学气相沉积法装置(57)摘要本发明公开了一种化学气相沉积法装置，属于二维材料的制备技术领域。一种化学气相沉积法装置，包括：反应炉以及加热装置，加热装置围绕反应炉设置；反应炉的两端分别设有进气口和出气口，反应炉的内部设有反应室，反应室内设有多层金属基底，相邻两层金属基底的边缘之间设有呈多孔的隔条，使相邻两层金属基底之间具有间隙S。本发明在不阻隔呈气态的前躯体流通、同时避免金属基底高温烧结或粘连的情况下，充分利用了反应室的空间，增加了可放置的金属基底的面积以及进而可形成的二维材料薄膜的面积，适用于工业生产制备，此外，本发明的装置制备的二维材料薄膜具有连续性，能够具有较大的宏观面积，适用于工业和研究等方面的应用。CN109371382ACN109371382A权利要求书1/1页1.一种化学气相沉积法装置，其特征在于，包括：反应炉(10)以及加热装置(20)，所述加热装置(20)围绕所述反应炉(10)设置；所述反应炉(10)的两端分别设有进气口(11)和出气口(12)，所述反应炉(10)的内部设有反应室(13)，所述反应室(13)内设有多层金属基底(30)，相邻两层金属基底(30)的边缘之间设有呈多孔的隔条(40)，使相邻两层金属基底(30)之间具有间隙。2.根据权利要求1所述的化学气相沉积法装置，其特征在于，所述金属基底(30)通过层叠形式形成多层，所述隔条(40)的延伸方向与所述进气口(11)和所述出气口(12)的连线方向一致。3.根据权利要求1所述的化学气相沉积法装置，其特征在于，所述金属基底(30)通过折叠形式形成多层，所述隔条(40)设置在所述金属基底(30)弯曲的两端，所述隔条(40)的延伸方向与所述进气口(11)和所述出气口(12)的连线方向一致。4.根据权利要求1所述的化学气相沉积法装置，其特征在于，所述金属基底(30)以螺旋方式形成多层，所述隔条(40)设置在所述金属基底(30)卷曲的边缘。5.根据权利要求4所述的化学气相沉积法装置，其特征在于，所述金属基底(30)的轴线与所述进气口(11)和所述出气口(12)的连线方向一致。6.根据权利要求5所述的化学气相沉积法装置，其特征在于，所述金属基底(30)的内部设有芯轴(50)，所述金属基底(30)围绕所述芯轴(50)螺旋缠绕。7.根据权利要求1至6任一项所述的化学气相沉积法装置，其特征在于，相邻两层金属基底(30)之间的间隙的宽度为0.001～10mm。8.根据权利要求7所述的化学气相沉积法装置，其特征在于，所述隔条(40)为石墨毡、石墨绳、石棉毡或石棉布。9.根据权利要求8所述的化学气相沉积法装置，其特征在于，所述金属基底(30)为铜、镍、铁、钴、金、银、铂、铝或其合金制成的箔片。2CN109371382A说明书1/4页一种化学气相沉积法装置技术领域[0001]本发明涉及二维材料的制备技术领域，具体涉及一种化学气相沉积法装置。背景技术[0002]当层状材料的厚度在几个原子以下时，被称为二维材料。目前，二维材料是科学研究的热点，其具有非常优越的性能，在半导体等领域都有着极大的前景。[0003]化学气相沉积(CVD)法是一种制备二维材料薄膜的典型方法，该方法一般使用金属箔片为基底，使前驱体在金属基底上催化裂解，沉积形成薄膜。例如，CVD法制备石墨烯是通过将衬底加热到上千度，通入碳氢化合物，其在衬底上裂解沉积出石墨烯，反应结束后系统冷却至室温。生长在衬底上的石墨烯可以直接应用，也可以转移到其它衬底上进行应用。采用类似的方法，使用含有氮和硼的前驱体(例如硼烷氨)，可以用来制备六方氮化硼(h－BN)薄膜。[0004]常规制备二维材料薄膜时，展平的金属基底直接放置在管式炉等反应炉中，在高温下，前躯体在金属基底上裂解，形成二维材料薄膜，但是，由于反应炉内反应室体积的限制，每次放入的金属基底体积较小，例如，当将展平的金属箔片放入管式炉中时，金属箔片的宽度受反应室直径的限制，不利于工业上大面积生产制备相应的二维材料薄膜。发明内容[0005]本发明的目的在于提供一种化学气相沉积法装置，以解决现有二维材料薄膜在制