一种半固态压铸制备高导热烤盘的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109396380A(43)申请公布日2019.03.01(21)申请号201811383354.3(22)申请日2018.11.20(71)申请人吴江市格瑞福金属制品有限公司地址215224江苏省苏州市吴江区横扇镇四都村(72)发明人刘鹭(74)专利代理机构南京纵横知识产权代理有限公司32224代理人董建林(51)Int.Cl.B22D17/00(2006.01)C22C1/03(2006.01)C22C21/00(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种半固态压铸制备高导热烤盘的方法(57)摘要本发明涉及一种半固态压铸制备高导热烤盘的方法，包括将铝合金铸锭加入熔炼炉中熔炼，控制熔炼温度为740-760℃；将Al-5B合金加入熔炼炉中，控制温度为740-760℃，保温0.5-1h；将Al-10Sr合金加入熔炼炉中，控制温度为740-760℃，保温0.5-1h，得到铝合金熔液；对铝合金液进行精炼、除气、除渣；采用电磁搅拌对除渣后的铝合金液进行高速搅拌，搅拌时降温至620-640℃，搅拌时间为30-40min，搅拌速度为250-500rpm，获得半固态的压铸液；将压铸液转移至高压液压压铸机，通过烤盘模具压铸出铝合金烤盘毛坯；铝合金烤盘毛坯抛光后，进行涂层，得到高导热烤盘成品。通过本发明的方法制备获得的烤盘制作方法简单，导热效果好，适合在烘焙领域推广使用。CN109396380ACN109396380A权利要求书1/1页1.一种半固态压铸制备高导热烤盘的方法，其特征在于：包括：a.将铝合金铸锭加入熔炼炉中熔炼，控制熔炼温度为740-760℃；b．将Al-5B合金加入熔炼炉中，控制温度为740-760℃，保温0.5-1h；c．将Al-10Sr合金加入熔炼炉中，控制温度为740-760℃，保温0.5-1h，得到铝合金熔液；d．对铝合金液进行精炼、除气、除渣；e.采用电磁搅拌对除渣后的铝合金液进行高速搅拌，搅拌时降温至620-640℃，搅拌时间为30-40min，搅拌速度为250-500rpm，获得半固态的压铸液；f．将压铸液转移至高压液压压铸机，通过烤盘模具压铸出铝合金烤盘毛坯；g.铝合金烤盘毛坯抛光后，进行涂层，得到高导热烤盘成品；其中，Sr元素的加入量占总合金加入量的0.03-0.05wt%，B元素加入量占总合金加入量的0.03-0.05wt%，所述铝合金铸锭选自2A16铝合金、2A17铝合金、2A20铝合金中的一种或多种，所述压铸过程中的压力为200-250MPa，保压时间为5-10秒。2.根据权利要求1所述的一种半固态压铸制备高导热烤盘的方法，其特征在于：Cu元素占总合金的5.8-7.0wt%，优选6-6.8wt%。3.根据权利要求1所述的一种半固态压铸制备高导热烤盘的方法，其特征在于：所述高导热烤盘的导热系数大于170W/(m·K)。4.根据权利要求1所述的一种半固态压铸制备高导热烤盘的方法，其特征在于：所述涂层选自聚四氟乙烯涂层或者麦饭石涂层。5.根据权利要求1所述的一种半固态压铸制备高导热烤盘的方法，其特征在于：所述步骤f中，烤盘模具加热并保温在150-170℃后再进行压铸。6.根据权利要求1-5任一项所述高导热烤盘的制备方法制得的高导热烤盘。7.根据权利要求6所述的高导热烤盘，其特征在于：烤盘厚度为1-2mm。2CN109396380A说明书1/4页一种半固态压铸制备高导热烤盘的方法技术领域[0001]本发明涉及用于烤箱的烤盘制作工艺，具体涉及一种半固态压铸制备高导热烤盘的方法。背景技术[0002]烤箱现在成为了家庭中不可或缺的家用电器，烤箱烤制的餐品味道香醇可口。烤箱的烤盘有多种材料，较为常见的有不锈钢制烤盘、铝制烤盘、玻璃烤盘、其他合金烤盘等等，其中钢制烤盘的导热效果最差，导致烘焙过程中容易受热不均匀，而铝合金的烤盘成为了最佳的选择。在铝合金的制造领域，压铸是目前最主要的铸造工艺，其生产效率高，材料利用率高，适合大规模工业化生产。为了保证压铸时的流动性能，通常会在铝合金中添加约10%的硅，例如我国国产代号YL113的铝合金，通常含有9.5-11.5％硅，由于该合金的晶格发生畸变，对自由电子的运动产生较大的阻力，从而也导致这种铝合金的导热性能不高，一般导热系数仅有100W/(m·K)左右。[0003]因此，制造高导热率的烤盘对于烘焙领域来说显得尤为迫切。现有技术中已有通过改变硅相来改变导热率的报道，通过添加0.02%的硼和0.03%的锶发生复合变质，处理铝硅合金，Si相由层片状转变为纤维状，经350℃四小时退火处理，使得合金的导热系数提高至约179W/(m·K)，但是以上研究仅以铝合金ENAB-44200为原料，