多喷嘴干粉气化炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109504445A(43)申请公布日2019.03.22(21)申请号201811374861.0(22)申请日2018.11.19(71)申请人清华大学山西清洁能源研究院地址030032山西省太原市电子街10号(72)发明人张建胜毕大鹏袁苹李位位(74)专利代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201代理人赵天月(51)Int.Cl.C10J3/48(2006.01)C10J3/72(2006.01)C10J3/86(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称多喷嘴干粉气化炉(57)摘要本发明公开了多喷嘴干粉气化炉，包括：壳体、顶置烧嘴、侧置烧嘴、辐射废锅和排渣池，其中，壳体内形成气化室，气化室内设置有水冷壁，壳体的底部收缩形成气化室出渣口；烧嘴包括顶置烧嘴和侧置烧嘴，顶置烧嘴设置在壳体的顶壁上且适于向气化室喷射干粉煤、氧气和蒸汽；侧置烧嘴设置在壳体的侧壁上且适于向气化室喷射干粉煤、氧气和蒸汽；辐射废锅与气化室出渣口相连，辐射废锅内设置有膜式水冷壁和多个水冷屏，多个水冷屏沿周向均匀分布且分别通过鳍片与膜式水冷壁相连，辐射废锅的下部侧壁上具有粗合成气出口；排渣池与辐射废锅的底部相连，排渣池的底部具有排渣口。因此，本发明的多喷嘴干粉气化炉具有煤粉转化率高和能量利用率高的优点。CN109504445ACN109504445A权利要求书1/1页1.一种多喷嘴干粉气化炉，其特征在于，包括：壳体，所述壳体内形成气化室，所述气化室内设置有水冷壁，所述气化室的底部收缩形成气化室出渣口；顶置烧嘴，所述顶置烧嘴设置在所述壳体的顶壁上且适于向所述气化室内喷射干粉煤、氧气和蒸汽；侧置烧嘴，所述侧置烧嘴设置在所述壳体的侧壁上且适于向所述气化室内喷射干粉煤、氧气和蒸汽；辐射废锅，所述辐射废锅与所述气化室出渣口相连，所述辐射废锅内设置有膜式水冷壁和多个水冷屏，所述多个水冷屏沿周向均匀分布且分别通过鳍片与所述膜式水冷壁相连，所述辐射废锅的下部侧壁上具有粗合成气出口；排渣池，所述排渣池与所述辐射废锅的底部相连，所述排渣池的底部具有排渣口。2.根据权利要求1所述的多喷嘴干粉气化炉，其特征在于，所述顶置烧嘴内设置有点火棒。3.根据权利要求1所述的多喷嘴干粉气化炉，其特征在于，所述侧置烧嘴包括至少两个。4.根据权利要求3所述的多喷嘴干粉气化炉，其特征在于，所述侧置烧嘴在所述壳体的侧壁上沿周向均匀分布。5.根据权利要求4所述的多喷嘴干粉气化炉，其特征在于，所述侧置烧嘴沿水平方向喷射。6.根据权利要求5所述的多喷嘴干粉气化炉，其特征在于，所述侧置烧嘴与所述顶置烧嘴的竖直距离为0.1-0.5D，其中D为所述壳体的内径。2CN109504445A说明书1/3页多喷嘴干粉气化炉技术领域[0001]本发明属于气化炉领域，具体而言，本发明涉及多喷嘴干粉气化炉。背景技术[0002]目前，成熟的高压粉煤气化技术从进料方式上可以分为干粉进料和水煤浆进料。干粉进料的主要特点是相比水煤浆进料能量利用率高，合成气中有效气含量高，并且对于低质、高灰熔点的煤种，一般采用干粉进料方式。另外按照喷嘴设置，气化炉分为单喷嘴顶置和多喷嘴的气化炉。对于单喷嘴顶置的气化炉，物料停留时间短，导致气化炉的碳转化率低，多喷嘴气化炉解决了停留时间短的问题，并且可以更容易进行大型化。[0003]由于气流床气化过程温度达到1300℃以上，气化产物含有大量的高位显热，如果采用传统的激冷流程，将造成能量的损失，因此采用废锅流程的气化工艺将有效的利用气化产物的高位显热，提高能量利用效率。发明内容[0004]本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出了一种具有能量利用率高、粉煤碳转化率高的多喷嘴干粉气化炉。[0005]根据本发明的一个方面，本发明提出了一种多喷嘴干粉气化炉，根据本发明的实施例，该多喷嘴干粉气化炉包括：[0006]壳体，所述壳体内形成气化室，所述气化室内设置有水冷壁，所述气化室的底部收缩形成气化室出渣口；[0007]顶置烧嘴，所述顶置烧嘴设置在所述壳体的顶壁上且适于向所述气化室内喷射干粉煤、氧气和蒸汽；[0008]侧置烧嘴，所述侧置烧嘴设置在所述壳体的侧壁上且适于向所述气化室内喷射干粉煤、氧气和蒸汽；[0009]辐射废锅，所述辐射废锅与所述气化室出渣口相连，所述辐射废锅内设置有膜式水冷壁和多个水冷屏，所述多个水冷屏沿周向均匀分布且分别通过鳍片与所述膜式水冷壁相连，所述辐射废锅的下部侧壁上具有粗合成气出口；[0010]排渣池，所述排渣池与所述辐射废锅的底部相连，所述排渣池的底部具有排渣口。[0011]由此，本发明上述实施例的多喷嘴干粉气化炉，首先，由于在气