一种晶圆加工设备及炉管晶圆加工时间的调节方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109545715A(43)申请公布日2019.03.29(21)申请号201811394171.1(22)申请日2018.11.21(71)申请人武汉新芯集成电路制造有限公司地址430205湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号(72)发明人罗福平(74)专利代理机构上海申新律师事务所31272代理人俞涤炯(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称一种晶圆加工设备及炉管晶圆加工时间的调节方法(57)摘要本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆加工设备，包括：炉管，存储有用于控制炉管的晶圆处理时间的时间参数；气压传感器，用于采集炉管外部的大气压力信息；处理器，分别连接炉管和气压传感器，以根据气压传感器采集的大气压力信息及预存的修正数据调节炉管的时间参数；以及一种炉管晶圆加工时间的调节方法；包括：步骤S1，采集炉管外部的大气压力信息；步骤S2，根据预设的修正数据和气压传感器采集的大气压力信息，调节炉管的时间参数；不需要人工调节炉管，实现了炉管加工时间的自动调节，保证了调节的准确性和实时性。CN109545715ACN109545715A权利要求书1/1页1.一种晶圆加工设备，其特征在于，包括：炉管，存储有用于控制所述炉管的晶圆处理时间的时间参数；气压传感器，用于采集所述炉管外部的大气压力信息；处理器，分别连接所述炉管和所述气压传感器，以根据所述气压传感器采集的所述大气压力信息及预存的修正数据调节所述炉管的所述时间参数。2.根据权利要求1所述的晶圆加工设备，其特征在于，所述修正数据按照以下公式获得调节后的所述时间参数：T1＝(P1-P)*p0/(-t0)+T式中，T1为调节后的所述时间参数；T为标准的所述时间参数；P1为调节后的所述大气压力参数；P为标准的所述大气压力参数；p0为所述大气压力参数对晶圆厚度的影响系数；t0为所述时间参数对晶圆厚度的影响系数。3.根据权利要求1所述的晶圆加工设备，其特征在于，所述炉管具有工作模式，所述工作模式包括准备模式、处理模式和退火模式；所述晶圆处理时间为所述炉管在所述处理模式下的运行时间。4.根据权利要求3所述的晶圆加工设备，其特征在于，所述处理模式下所述炉管内的温度为900～1100℃。5.根据权利要求3所述的晶圆加工设备，其特征在于，所述准备模式的持续时间为2～4h。6.一种炉管晶圆加工时间的调节方法，其特征在于，应用于一炉管，所述炉管存储有用于控制所述炉管的晶圆处理时间的时间参数；所述调节方法包括：步骤S1，采集所述炉管外部的大气压力信息；步骤S2，根据预设的修正数据和所述气压传感器采集的所述大气压力信息，调节所述炉管的所述时间参数。7.根据权利要求6所述的调节方法，其特征在于，所述修正数据按照以下公式获得调节后的所述时间参数：T1＝(P1-P)*p0/(-t0)+T式中，T1为调节后的所述时间参数；T为标准的所述时间参数；P1为调节后的所述大气压力参数；P为标准的所述大气压力参数；p0为所述大气压力参数对晶圆厚度的影响系数；t0为所述时间参数对晶圆厚度的影响系数。8.根据权利要求6所述的调节方法，其特征在于，所述炉管具有工作模式，所述工作模式包括准备模式、处理模式和退火模式；所述晶圆处理时间为所述炉管在所述处理模式下的运行时间。9.根据权利要求8所述的调节方法，其特征在于，所述处理模式下所述炉管内的温度为900～1100℃。10.根据权利要求8所述的调节方法，其特征在于，所述准备模式的持续时间为2～4h。2CN109545715A说明书1/4页一种晶圆加工设备及炉管晶圆加工时间的调节方法技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆加工设备及炉管晶圆加工时间的调节方法。背景技术[0002]在半导体制造技术中，对薄膜的厚度有着非常高的要求，而对一些比较重要的膜层尤其重要，比如氧化层-氮化层-氧化层薄膜、高压层、低压层等，如果膜层厚度偏差较大，可能会直接导致产品报废。[0003]目前有很多重要的膜层都是在炉管中生长的，炉管生长膜层具有膜层致密、质量高、平整度好等特点，而且炉管的成本也较低。一般机台在定期保养之后调好相关配置，一年内只需要调节加工时间就可以适应相应的膜层的生长要求了。[0004]然而，现有的炉管仍然存在一定的问题，主要在于膜层的厚度与外界气压有着很强的相关性。当环境气压升高，膜层的厚度就会增加，当环境气压下降，膜层的厚度就会减少。当天气发生骤变时，气压也会变化猛烈，单纯依靠人为去调配置，无法保证准确型，无法应对反应过程中的各种不确定性的情况。发明内容[0005]针对上述问题，本发明提出了一种晶圆加工设备，其中，包括：[00