一种背钝化高效多晶硅PERC双面电池工艺.pdf
一吃****仪凡
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一种背钝化高效多晶硅PERC双面电池工艺.pdf
本发明涉及一种背钝化高效多晶硅PERC双面电池工艺,去除硅片表面损伤层并进行双面抛光,运用金属辅助湿法刻蚀法进行双面黑硅制绒,再进行去金属盐清洗。然后,采用具备浓度梯度的两步碱溶液对绒面进行扩孔修饰;高温炉中POCl
一种新型高效电池背钝化工艺.pdf
本发明涉及单晶PERC电池钝化领域。一种新型高效电池背钝化工艺,整个工艺流程为清洗制绒、低压扩散、湿法刻蚀、双面氧化、背面氧化铝、正面镀膜、背面镀膜、激光开槽、丝网印刷;背面氧化铝是指利用氧化炉在700‑800℃下,通氧气的氛围下,在电池的上下表面各沉积一层2‑3nm的二氧化硅层;背面氧化铝是指利用PECVD的方式,在下表面二氧化硅的基础上沉积一层15‑20nm的氧化铝层;正面镀膜和背面镀膜是指利用PECVD的方式在450‑480℃下,通硅烷、氨气,在下表面氧化铝层和上表面二氧化硅层的基础上各沉积一层10
一种PERC电池背面钝化膜层以及基于ALD工艺的PERC电池制备方法.pdf
本发明公开了一种PERC电池背面钝化膜层,包括PERC电池硅衬底表面向外依次先后沉积的背面氧化铝层、背面SiONx层和背面SiNx层,还公开了基于ALD工艺的PERC电池制备方法,包括如下步骤:制绒;扩散;背面抛光、刻蚀和去磷硅玻璃;背面ALD制备氧化铝;正面PECVD沉积SiNx减反射膜;背面PECVD沉积背面钝化膜层;背面激光局部开口;丝网印刷、烧结;其中,背面PECVD沉积背面钝化膜层过程中,硅片进入炉管后,炉管温度升温至400℃~600℃,先沉积SiONx膜后沉积SiNx膜。本发明的PERC电池背
一种氮氧化硅PERC电池背钝化结构、其制备方法及包括其的PERC电池.pdf
本发明提供了一种氮氧化硅PERC电池背钝化结构、其制备方法及包括其的PERC电池,所述的氮氧化硅PERC电池背钝化结构包括由PERC电池的背面依次层叠设置的晶硅衬底、氮氧化硅层和氮化硅层。所述的制备方法包括:将放置有电池片的石英舟推入钝化炉内,对电池片进行笑气预处理,随后在电池片背面的晶硅衬底表面依次沉积氮氧化硅层和氮化硅层,得到所述的氮氧化硅PERC电池背钝化结构。本发明采用氮氧化硅层取代了传统的PERC电池背钝化结构中的氧化铝层,氮氧化硅薄膜内也含有大量氢原子,具备优良的钝化作用,同时氮氧化硅薄膜具有
一种背钝化高效p型PERL双面电池的制作方法.pdf
本发明涉及一种背钝化高效p型PERL双面电池的制作方法,该方法包括:将p型硅片通过热氧化进行掩膜、激光消融形成背面图案、丝网印刷硼浆料、高温炉中POCl