一种背钝化高效p型PERL双面电池的制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109686814A(43)申请公布日2019.04.26(21)申请号201710980151.1(22)申请日2017.10.19(71)申请人上海神舟新能源发展有限公司地址201112上海市闵行区江月路505号(72)发明人吴伟梁汪建强赵晨郑飞陶智华眭山张忠卫阮忠立(74)专利代理机构上海科盛知识产权代理有限公司31225代理人王小荣(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)H01L31/0224(2006.01)H01L31/0236(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图1页(54)发明名称一种背钝化高效p型PERL双面电池的制作方法(57)摘要本发明涉及一种背钝化高效p型PERL双面电池的制作方法，该方法包括：将p型硅片通过热氧化进行掩膜、激光消融形成背面图案、丝网印刷硼浆料、高温炉中POCl3沉积PSG、激光掺杂形成选择性发射极，然后在硅片正面沉积SiNx，硅片背面先沉积Al2O3层，再沉积SiNx层，最后丝网印刷烧结正、背面银浆。与现有技术相比，本发明能够实现效率大于22.5％的PERL双面电池技术产业化，不仅提高电池效率，同时因具有双面发电功能，因此也提高了组件的发电能力，简化工艺，从而方便大规模量产。CN109686814ACN109686814A权利要求书1/1页1.一种背钝化高效p型PERL双面电池的制作方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：1)将p型硅片置于HF/HNO3混合溶液中清洗，去除表面损伤层、切割线痕；2)将清洗后的硅片置于碱性溶液中进行制绒，之后进行背面抛光；3)将背面抛光后的硅片进行氧化，使SiO2的厚度为10-15nm；4)将硅片背面进行纳秒激光开膜；5)在硅片背面进行丝网局域印刷硼浆料，之后在800-1200℃下退火；6)利用POCl3在硅片正面沉积PSG，并采用皮秒激光掺杂形成选择性发射极；7)在硅片正面先沉积一层高折射率SiNx膜，之后再沉积一层低折射率SiNx膜；8)在硅片背面先沉积一层Al2O3，再沉积一层SiNx，或直接在硅片背面沉积一层SiOx，之后在400-450℃下退火；9)在硅片正面进行丝网印刷银浆料，在硅片背面印刷银铝浆料，烧结后即可。2.根据权利要求1所述的一种背钝化高效p型PERL双面电池的制作方法，其特征在于，步骤1)中，所述的HF/HNO3混合溶液中，HF与HNO3体积比为1:1-5。3.根据权利要求1所述的一种背钝化高效p型PERL双面电池的制作方法，其特征在于，步骤2)中，所述的碱性溶液为KOH溶液或NaOH溶液。4.根据权利要求1所述的一种背钝化高效p型PERL双面电池的制作方法，其特征在于，步骤2)中，所述的背面抛光过程在HF/HNO3混合溶液中进行。5.根据权利要求1所述的一种背钝化高效p型PERL双面电池的制作方法，其特征在于，步骤3)中，所述的氧化为高温热氧化，该高温热氧化的温度为650-870℃。6.根据权利要求1所述的一种背钝化高效p型PERL双面电池的制作方法，其特征在于，步骤5)中，所述的退火过程在氮气或氧气中进行。7.根据权利要求1所述的一种背钝化高效p型PERL双面电池的制作方法，其特征在于，步骤7)中，所述的高折射率SiNx膜的厚度为9-11nm，折射率为2.5-2.9；所述的低折射率SiNx膜的厚度为60-80nm，折射率为2-2.1。8.根据权利要求1所述的一种背钝化高效p型PERL双面电池的制作方法，其特征在于，步骤8)中，硅片背面的Al2O3层的厚度为5-20nm，SiNx层的厚度为70-100nm，SiOx层的厚度为70-100nm。9.根据权利要求1所述的一种背钝化高效p型PERL双面电池的制作方法，其特征在于，步骤9)中，所述的烧结温度为850-910℃。10.根据权利要求1所述的一种背钝化高效p型PERL双面电池的制作方法，其特征在于，步骤2)中，所述的背面抛光过程在单抛机中进行；步骤3)中，所述的氧化过程在干氧化炉中进行；步骤6)中，所述的正面沉积过程在高温炉中进行；步骤7)中，利用管式PECVD设备或板式PECVD设备在硅片正面沉积SiNx膜；步骤8)中，利用ALD设备或PECVD设备在硅片背面沉积一层Al2O3，之后再利用PECVD设备沉积一层SiNx。2CN109686814A说明书1/6页一种背钝化高效p型PERL双面电池的制作方法技术领域[0001]本发明属于太阳电池技术领域，涉及一种背钝化高效p型PERL双面电池的制作方法。背景技术[0002]对于产业化p型常规太阳电池而言，尽管各种不同技术的应用在一定程度上提升了电池效率，例如，选择性发射级(selectiveemitter)结构、两次印刷技术(do