一种新型高效电池背钝化工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110061101A(43)申请公布日2019.07.26(21)申请号201910394718.6(22)申请日2019.05.13(71)申请人山西潞安太阳能科技有限责任公司地址046000山西省长治市郊区漳泽新型工业园区(72)发明人杨飞飞赵科巍郭卫申开愉(74)专利代理机构太原市科瑞达专利代理有限公司14101代理人李富元(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)H01L31/0216(2014.01)H01L31/068(2012.01)权利要求书1页说明书2页(54)发明名称一种新型高效电池背钝化工艺(57)摘要本发明涉及单晶PERC电池钝化领域。一种新型高效电池背钝化工艺，整个工艺流程为清洗制绒、低压扩散、湿法刻蚀、双面氧化、背面氧化铝、正面镀膜、背面镀膜、激光开槽、丝网印刷；背面氧化铝是指利用氧化炉在700-800℃下，通氧气的氛围下，在电池的上下表面各沉积一层2-3nm的二氧化硅层；背面氧化铝是指利用PECVD的方式，在下表面二氧化硅的基础上沉积一层15-20nm的氧化铝层；正面镀膜和背面镀膜是指利用PECVD的方式在450-480℃下，通硅烷、氨气，在下表面氧化铝层和上表面二氧化硅层的基础上各沉积一层100-120nm的氮化硅层。CN110061101ACN110061101A权利要求书1/1页1.一种新型高效电池背钝化工艺，其特征在于：整个工艺流程为清洗制绒、低压扩散、湿法刻蚀、双面氧化、背面氧化铝、正面镀膜、背面镀膜、激光开槽、丝网印刷；背面氧化铝是指利用氧化炉在700-800℃下，通氧气的氛围下，在电池的上下表面各沉积一层2-3nm的二氧化硅层；背面氧化铝是指利用PECVD的方式，在下表面二氧化硅的基础上沉积一层15-20nm的氧化铝层；正面镀膜和背面镀膜是指利用PECVD的方式在450-480℃下，通硅烷、氨气，在下表面氧化铝层和上表面二氧化硅层的基础上各沉积一层100-120nm的氮化硅层。2.根据权利要求1所述的一种新型高效电池背钝化工艺，其特征在于：背面氧化铝的工艺条件为沉积温度750℃，压力100mtorr，通氧量2500-3000sccm，时间20-30min。3.根据权利要求1所述的一种新型高效电池背钝化工艺，其特征在于：背面氧化铝工艺条件为沉积射频功率450w，沉积温度350-450℃，沉积压力10-12pa，三甲基铝TMA流量300-400sccm，氧气流量400-500sccm，氮气流量350-400sccm，沉积时间20-30s。4.根据权利要求1所述的一种新型高效电池背钝化工艺，其特征在于：正面镀膜和背面镀膜的在同时进行，其工艺条件为沉积射频功率9000w，沉积温度450℃，沉积压力1700mtorr，氨气流量6.8slm，硅烷流量680sccm，沉积时间800-1000s。5.根据权利要求1所述的一种新型高效电池背钝化工艺，其特征在于：背面氧化铝的工艺条件为在沉积温度750℃，100mtorr压力条件下下，首先以2500-3000sccm通过臭氧1-2分钟，然后停止通入臭氧，以2500-3000sccm通入氧气20-25min。2CN110061101A说明书1/2页一种新型高效电池背钝化工艺技术领域[0001]本发明涉及单晶PERC电池钝化领域。背景技术[0002]单晶PERC电池成为主流高效工艺后，提效集中于正背面的钝化，包括接触钝化与非接触钝化，单晶PERC电池目前主流的工艺路线中，单纯的氧化铝的负电性可以形成场钝化效应，但是界面钝化比较弱，二氧化硅钝化的界面钝化好，但是整体钝化效果不如氧化铝钝化，单纯的将两者累加，在两者界面处出现不良减免效应，影响钝化效果。发明内容[0003]本发明所要解决的技术问题是：如何提供一种二氧化硅钝化和氧化铝钝化混合钝化的工艺。[0004]本发明所采用的技术方案是：一种新型高效电池背钝化工艺，整个工艺流程为清洗制绒、低压扩散、湿法刻蚀、双面氧化、背面氧化铝、正面镀膜、背面镀膜、激光开槽、丝网印刷；背面氧化铝是指利用氧化炉在700-800℃下，通氧气的氛围下，在电池的上下表面各沉积一层2-3nm的二氧化硅层；背面氧化铝是指利用PECVD的方式，在下表面二氧化硅的基础上沉积一层15-20nm的氧化铝层；正面镀膜和背面镀膜是指利用PECVD的方式在450-480℃下，通硅烷、氨气，在下表面氧化铝层和上表面二氧化硅层的基础上各沉积一层100-120nm的氮化硅层。[0005]背面氧化铝的工艺条件为沉积温度750℃，压力100mtorr，通氧量2500-3000sccm，时间20-30min。[0006]背面氧化铝工艺条件为沉积射频功率450w，沉积温度35