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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111048625A(43)申请公布日2020.04.21(21)申请号201911368196.9(22)申请日2019.12.26(71)申请人浙江晶科能源有限公司地址314416浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号申请人晶科能源有限公司(72)发明人王钊张昕宇杨洁郑霈霆孙海杰朱思敏陈石(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人刘新雷(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)H01L31/0216(2014.01)权利要求书2页说明书5页附图1页(54)发明名称一种钝化接触P型电池的制备方法(57)摘要本发明公开了一种钝化接触P型电池的制备方法,通过设置两层N+POLY结构,在通过选择性刻蚀的方式,在刻蚀区形成非金属覆盖区保留第一N+POLY结构,金属覆盖区保留在第一N+POLY结构、第二N+POLY结构,替换现有的单纯的氮化硅钝化,极大的降低电池正面的表面复合,使得其正面复合电流大幅下降,从而使得电池的开路电压得到明显提升,提高电池的效率以及电池的性能,而且采用现有的设备即可完成所有工艺,无需添加新的设备,增加的电池成本较少。CN111048625ACN111048625A权利要求书1/2页1.一种钝化接触P型电池的制备方法,其特征在于,包括:步骤1,对制绒后的硅片正面依次制备第一遂穿氧化层和第一本征多晶硅层;步骤2,在所述第一本征多晶硅层表面依次沉积第二遂穿氧化层和第二多晶硅层,所述第二多晶硅层的厚度大于所述第一本征多晶硅层的厚度;步骤3,对所述第二多晶硅层进行磷掺杂并激活磷原子,获得第二掺杂多晶硅层,形成第二N+POLY结构,同时利用扩散作用在所述第一本征多晶硅层形成第一掺杂多晶硅层,形成第一N+POLY结构;步骤4,在所述掺杂第二多晶硅层表面沉积形成与预期的电池正面电极的形状相同的阻挡层;步骤5,将所述阻挡层作为掩膜刻蚀所述第二掺杂多晶硅层;步骤6,刻蚀所述第二多晶硅层直到所述第二遂穿氧化层为止,实现选择性刻蚀,在刻蚀区形成非金属覆盖区且保留所述第一N+POLY结构;步骤7,去除所述阻挡层,所述阻挡层所在区域为金属覆盖区,所述金属覆盖区保留所述在所述第一N+POLY结构、第二N+POLY结构。2.如权利要求1所述钝化接触P型电池的制备方法,其特征在于,在所述步骤1和步骤2之间,还包括:对所述硅片在氮气环境中,采用950℃~1050℃的温度退火20min~60min,使得所述第一本征多晶硅层结晶良好。3.如权利要求1所述钝化接触P型电池的制备方法,其特征在于,所述第一遂穿氧化层、所述第二遂穿氧化层的厚度为1nm~3nm。4.如权利要求3所述钝化接触P型电池的制备方法,其特征在于,制备所述第一遂穿氧化层、所述第二遂穿氧化层包括:采用热氧化制备遂穿氧化层,或采用热硝酸制备遂穿氧化层,或采用臭氧制备遂穿氧化层。5.如权利要求1所述钝化接触P型电池的制备方法,其特征在于,制备所述第一本征多晶硅层、所述第二多晶硅层包括:采用LPVCD、PECVD或APCVD制备所述第一本征多晶硅层、所述第二多晶硅层。6.如权利要求5所述钝化接触P型电池的制备方法,其特征在于,所述第一本征多晶硅层的厚度为5nm~10nm,所述第二多晶硅层的厚度为100nm~200nm。7.如权利要求1所述钝化接触P型电池的制备方法,其特征在于,所述步骤3包括:对所述第二多晶硅层进行磷掺杂进行磷掺杂包括采用热扩散或离子注入对所述第二多晶硅层进行磷掺杂。8.如权利要求7所述钝化接触P型电池的制备方法,其特征在于,所述步骤3还包括:采用原位参杂的方式对所述第二多晶硅层进行磷掺杂;对所述第二多晶硅层进行退火,激活掺杂的磷原子;通入氧气对所述第二多晶硅层进行氧化形成退火氧化层;其中,所述退火氧化层的厚度为20nm~30nm。9.如权利要求1所述钝化接触P型电池的制备方法,其特征在于,所述步骤4包括采用丝网印刷或喷墨的方式在所述第二掺杂多晶硅层表面沉积所述阻挡层,所述阻挡层为有机物2CN111048625A权利要求书2/2页阻挡层。10.如权利要求9所述钝化接触P型电池的制备方法,其特征在于,采用二已二醇丁醚溶解去除所述有机物阻挡层后,采用双氧水或盐酸与臭氧混合溶液去除所述有机物阻挡层的残留物。3CN111048625A说明书1/5页一种钝化接触P型电池的制备方法技术领域[0001]本发明涉及光伏组件制备技术领域,更具体地说,涉及一种钝化接触P型电池的制备方法。背景技术[0002]随着化石能源的逐渐枯竭,开采成本越来越高,同时广泛使用化石能源造成的环境污染以及温室效应越来越严重,新能源的使用也随着技术的不断进步得到越来越广泛的应用。尤其以光伏发电为最,其只要