一种钝化接触P型电池的制备方法.pdf
一吃****福乾
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一种钝化接触P型电池的制备方法.pdf
本发明公开了一种钝化接触P型电池的制备方法,通过设置两层N+POLY结构,在通过选择性刻蚀的方式,在刻蚀区形成非金属覆盖区保留第一N+POLY结构,金属覆盖区保留在第一N+POLY结构、第二N+POLY结构,替换现有的单纯的氮化硅钝化,极大的降低电池正面的表面复合,使得其正面复合电流大幅下降,从而使得电池的开路电压得到明显提升,提高电池的效率以及电池的性能,而且采用现有的设备即可完成所有工艺,无需添加新的设备,增加的电池成本较少。
一种高效P型钝化接触晶硅太阳电池的制备方法.pdf
本发明涉及太阳电池技术领域,尤其是一种高效P型钝化接触晶硅太阳电池的制备方法;所述制备方法包括以下步骤:以P型单晶硅片作为硅衬底,首先进行抛光(或者制绒处理),硅片采用PECVD设备,在背面生长隧穿氧化硅薄膜和掺杂的p型非晶硅薄膜,采用PECVD设备,在背面沉积硼硅玻璃BSG薄膜,在KOH溶液中进行制绒处理,在电池正面形成金字塔结构,扩散炉,钝化层生长;丝网印刷、烧结,本发明中通过将非晶硅的高温晶化过程与标准磷扩散工艺在扩散管中一步完成,优化了工艺流程,减少了工艺步骤,从而极大的提高了产能,降低了污染的风
钝化接触电池及其制备方法和钝化接触结构及其制备装置.pdf
本发明涉及一种钝化接触电池及其制备方法和钝化接触结构及其制备装置。该制备方法包括:S1、对硅片进行预处理,以在硅片表面形成介质层;S2、将硅片放入设置有靶材的PVD工艺腔中,并在PVD工艺腔内通入气体,以在介质层上制备掺杂非晶硅层;其中,靶材的个数为n,n≥2,n个靶材中至多存在一个不含掺杂源的靶材,其余靶材均为含掺杂源靶材,每个含掺杂源靶材的掺杂源浓度各不相同;靶材从工艺腔的炉口到炉尾沿着硅片的前进方向依次排放;掺杂非晶硅层为至少包含两层掺杂非晶硅层的复合掺杂非晶硅层,两层掺杂非晶硅层的掺杂浓度不同;S
一种P型硅背接触电池和制备方法.pdf
本发明实施例提供了一种P型硅背接触电池和制备方法,属于硅片电池制备技术领域,电池包括:Si衬底,所述Si衬底具体为P型Si衬底;所述Si衬底的反面间隔设置有若干段磷扩散层,且相邻段的磷扩散层之间留设有一空白区;第一掺杂硅层,所述第一掺杂硅层设置有若干段,若干段第一掺杂硅层逐一设置在若干段的磷扩散层上;且所述第一掺杂硅层上方的磷扩散层和Si衬底形成一PN结;第二掺杂硅层,所述第二掺杂硅层设置有若干段,若干段第二掺杂硅层设置在若干个空白区内;以及电极,所述电极设置有若干个,且若干个电极分别电性连接在第一掺杂硅
一种应用于接触钝化电池的钝化结构及其制备方法.pdf
本发明涉及太阳能电池技术领域,针对现有技术的TOPCon电池中接触钝化层光吸收率高的问题,公开了提供一种应用于接触钝化电池的钝化结构及其制备方法,包括N型衬底、设于所述N型衬底正面的两个正电极和设于所述N型衬底背面的两个负电极,所述N型衬底的背面设有SiO