陶瓷烧成体的制造方法、以及陶瓷成型体的烧成方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110041082A(43)申请公布日2019.07.23(21)申请号201811439803.1(22)申请日2018.11.29(30)优先权数据2018-0043682018.01.15JP(71)申请人日本碍子株式会社地址日本国爱知县(72)发明人北口丹尼尔勇吉得永健(74)专利代理机构北京旭知行专利代理事务所(普通合伙)11432代理人王轶郑雪娜(51)Int.Cl.C04B35/638(2006.01)C04B35/64(2006.01)C04B35/195(2006.01)C04B38/00(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图3页(54)发明名称陶瓷烧成体的制造方法、以及陶瓷成型体的烧成方法(57)摘要本发明涉及一种陶瓷烧成体的制造方法、以及陶瓷成型体的烧成方法。本发明希望除去陶瓷成型体内的源自于有机粘合剂的碳成分，以免导致陶瓷烧成体发生开裂。陶瓷烧成体的制造方法包括以下工序：在烧成炉内对陶瓷成型体进行加热的工序；以及对氧浓度进行控制以使在陶瓷成型体的加热中烧成炉内的氧浓度发生波动的工序。CN110041082ACN110041082A权利要求书1/2页1.一种陶瓷烧成体的制造方法，其中，包括以下工序：在烧成炉内对陶瓷成型体进行加热的工序；以及对氧浓度进行控制以使在所述陶瓷成型体的加热中所述烧成炉内的氧浓度发生波动的工序。2.根据权利要求1所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，对氧浓度进行控制以使在所述陶瓷成型体的加热中所述烧成炉内的氧浓度发生波动的工序基于改变向所述烧成炉供给的气体的氧浓度来进行。3.根据权利要求2所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，改变向所述烧成炉供给的气体的氧浓度包括：至少在第一氧浓度的第一气体与低于所述第一氧浓度的第二氧浓度的第二气体之间改变向所述烧成炉供给的气体。4.根据权利要求2所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，改变向所述烧成炉供给的气体的氧浓度包括：反复进行如下循环，即，将第一氧浓度的第一气体和低于所述第一氧浓度的第二氧浓度的第二气体交替向所述烧成炉供给。5.根据权利要求3或4所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，所述第一氧浓度为21VOL％以下。6.根据权利要求5所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，所述第一氧浓度为15VOL％以上。7.根据权利要求3至6中的任意一项所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，所述第二氧浓度为5VOL％以下。8.根据权利要求4所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，1个循环中的所述第一气体的供给时间比1个循环中的所述第二气体的供给时间短。9.根据权利要求4所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，使由所述第一气体的所述第一氧浓度与1个循环中的所述第一气体的供给时间相乘计算出的第一供给量为E，使由所述第二气体的所述第二氧浓度与1个循环中的所述第二气体的供给时间相乘计算出的第二供给量为F，使1个循环的时间为R，且1个循环中的氧的平均供给量利用((E+F)/R)来表示，此时满足：3＜((E+F)/R)＜13。10.根据权利要求1至9中的任意一项所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，在所述烧成炉内对所述陶瓷成型体进行加热的工序包括：第一升温工序：在180℃以上的温度范围内以第一升温速度升温至目标温度；以及第二升温工序：在所述烧成炉内的温度到达所述目标温度后，以大于所述第一升温速度的第二升温速度进行升温。11.根据权利要求10所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，对氧浓度进行控制以使在所述陶瓷成型体的加热中所述烧成炉内的氧浓度发生波动的工序在所述第一升温工序中进行。12.根据权利要求10或11所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，2CN110041082A权利要求书2/2页所述目标温度为300℃以下的温度。13.根据权利要求10至12中的任意一项所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，与所述烧成炉的气氛温度到达所述目标温度同步地，所述烧成炉的气氛由低氧气氛变为大气气氛。14.根据权利要求1至13中的任意一项所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，对氧浓度进行控制以使在所述陶瓷成型体的加热中所述烧成炉内的氧浓度发生波动的工序在所述烧成炉的气氛温度为300℃以下进行。15.根据权利要求1至14中的任意一项所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，所述陶瓷成型体具有由对开口隔室进行规定的隔壁构筑成的蜂窝结构。16.一种陶瓷成型体的烧成方法，其中，包括以下工序：在烧成炉内对陶瓷成型体进行加热的工序；以及对氧浓度进行控制以使在所述陶瓷成型体的加热中所述烧成炉内的氧浓度发生波动的工序。3CN110041082A说明书1/8页陶瓷烧成体的制造方法、以及陶瓷成型体的烧成方法技术领域[0001]本发明涉及陶瓷烧成体的制造方法、以及陶瓷成型体的烧成方法。背景