陶瓷烧成体的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110041083A(43)申请公布日2019.07.23(21)申请号201811586177.9C04B35/565(2006.01)(22)申请日2018.12.25C04B35/18(2006.01)C04B35/10(2006.01)(30)优先权数据C04B35/48(2006.01)2018-0058462018.01.17JPF27D5/00(2006.01)(71)申请人日本碍子株式会社地址日本国爱知县(72)发明人井原尔史吉田信也龟井良之岛田正人(74)专利代理机构北京旭知行专利代理事务所(普通合伙)11432代理人王轶郑雪娜(51)Int.Cl.C04B35/64(2006.01)C04B35/638(2006.01)C04B35/195(2006.01)权利要求书1页说明书9页附图11页(54)发明名称陶瓷烧成体的制造方法(57)摘要本发明涉及一种陶瓷烧成体的制造方法。随着框架经过烧成炉的次数增加，有时会在框架中积蓄变形。陶瓷烧成体的制造方法包括以下工序：收纳架(3)经过烧成炉(4)的工序；从经过了烧成炉(4)的收纳架(3)取出框架(2)的工序；使用所取出的框架(2)来构建待经过烧成炉(4)的新的收纳架(3)的工序；以及，按经过烧成炉(4)时的新的收纳架(3)中所包括的框架(2)的周向位置与经过了烧成炉(4)时被取出的框架(2)的周向位置不同的方式使框架(2)旋转的工序。CN110041083ACN110041083A权利要求书1/1页1.一种陶瓷烧成体的制造方法，其中，包括以下工序：收纳架经过烧成炉的工序，该收纳架由搁板和配置在所述搁板上的框架层叠构建，在所述搁板间沿周向延伸的所述框架将配置在所述搁板上的1个以上陶瓷结构体包围；从经过了所述烧成炉的所述收纳架取出所述框架的工序；使用所取出的所述框架来构建待经过所述烧成炉的新的收纳架的工序；以及按经过所述烧成炉时的所述新的收纳架中所包括的所述框架的周向位置与经过了所述烧成炉时的被取出的所述框架的周向位置不同的方式使所述框架旋转的工序。2.根据权利要求1所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，所述框架随着经过所述烧成炉的次数增加而绕着与竖直方向一致的旋转轴进行旋转。3.根据权利要求1或2所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，所述框架以事先设定的一定的角度进行旋转。4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，所述框架包含：碳化硅SiC、氧化铝Al2O3或多铝红柱石3Al2O3·2SiO2。5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，所述框架为正方形状。6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，所述框架的旋转在从经过了所述烧成炉的所述收纳架取出所述框架之时进行、和/或、在构建所述新的收纳架之时进行、和/或、在将所述框架从某一位置向另一位置转移之时进行。7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，所述框架的旋转基于对所述框架进行转移的转移机构的工作来进行。8.根据权利要求7所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，所述转移机构包括卡盘，该卡盘构成为对所述框架进行保持。9.根据权利要求1至8中的任意一项所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，在所述烧成炉中被烧成的所述1个以上陶瓷结构体为脱脂后的陶瓷结构体。10.根据权利要求9所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，使用所取出的所述框架来构建待经过所述烧成炉的新的收纳架的工序包括：在配置有所述脱脂后的陶瓷结构体的所述搁板上配置所取出的所述框架。11.根据权利要求1至10中的任意一项所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，所述框架通过所述搁板、所述框架自身、或所述收纳架的旋转而发生旋转。12.根据权利要求1至11中的任意一项所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，在所述搁板设置有至少一个突起，该至少一个突起在所述搁板上限制所述框架的位置。13.根据权利要求1至12中的任意一项所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，所述陶瓷结构体至少包含碳化硅SiC。14.根据权利要求1至13中的任意一项所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，所述陶瓷结构体具有规定多个开口隔室的、格子状的隔壁。15.根据权利要求1至14中的任意一项所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，在烧成炉中对至少一个陶瓷结构体进行烧成的工序在非氧化气氛中进行。2CN110041083A说明书1/9页陶瓷烧成体的制造方法技术领域[0001]本发明涉及陶瓷烧成体的制造方法。背景技术[0002]专利文献1的图2公开了烧成用的搁板和支柱的组合。[0003]现有技术文献[0004]专利文献[0005]专利文献1：日本特开平9－188580号公报发明内容[0